浙大電力電子技術第一章-閱讀頁
2025-06-04 00:33本頁面
【正文】 C相當于 Ig （ 2） 通態(tài)電流臨界上升率 （ 3） 門極觸發(fā)電流 Ｉ GT與門極觸發(fā)電壓 Ｕ GT 對觸發(fā)電路要求 ， 隨溫度變化 。 晶閘管 晶閘管的派生器件 (1).快速晶閘管（ FST） (2).雙向晶閘管（ TRIAC） (3).逆導晶閘管（ RCT） (4).門級可關斷晶閘管（ GTO） (5).光控晶閘管（ LTT） 大功率晶體管 結構 (a) 普通晶體管結構 (b) GTR結構 (c) 符號 雙極導電性：電子、空穴均參與導電 電流全控型：通過調節(jié) B極電流控制集、射極（ C、 E）間通斷 大功率晶體管 1. 工作特性 （ a）輸入特性；（ b）輸出特性 2. 動態(tài)特性 （ a）等值電路；（ b）開關特性 (a) (b) 大功率晶體管 主要參數 電壓參數 集電極額定電壓 UCEM 飽和壓降 UCES 電流參數 連續(xù)（直流）額定（集電極）電流 Ic 集電極額定電流（最大允許電流） ICM 基極電流最大允許值 IBM 集電極最大耗散功率 PCM 大功率晶體管 二次擊穿現象 出現擊穿現象 AB段，稱為一次擊穿。 b） 飽和區(qū) II：雖 UDS繼續(xù)增大 ， 但 ID基本保持不變；若保持 UDS不變 ，則 UGS越高 ， ID越大 。 功率場效應晶體管 2）轉移特性 跨導（與 GTR中 β相似） 表示柵源極電壓 UGS對漏極電流 ID的控制能力 功率場效應晶體管 開關特性 為多數載流子器件 ， 沒有存儲 效應 ， 開關時間短為 20ns左右 。 靜態(tài)擎住： IC ICM 動態(tài)擎?。?關斷時產生 ， J2結反壓很快建立 ， 建立速度與 有關 ， 越大建立得越快 ， 但在 J上引起的位移電流 也越大 ， 此電流可在 Rbr、 Rdr上產生 NPN管導通的正向偏壓 ， 從而產生擎住現象 。 擎住效應仿真演示： 絕緣柵雙極型晶體管（ IGBT） 安全工作區(qū) (a) FBSOA (b) RBSOA 其他新型功率開關器件 靜電感應晶體管（ SIT） 靜電感應晶閘管（ SITH或 FCT） MOS控制晶閘管（ MCT） 集成門極換流晶閘管（ IGCT） 功率模塊（ PM）與功率集成電路 （ PIC） ?智能功率模塊（ IPM）
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1