單晶硅太陽電池工藝-閱讀頁
2025-06-01 11:34本頁面
【正文】 PVD鍍膜。 商業(yè)化生產(chǎn)單晶硅電池鍍膜主要是鍍單層氮化硅，厚度控制在 7580nm,折射率在 之間。 joe 13 PECVD 板式 PECVD joe 14 PECVD ? 鍍膜的工藝氣體只有硅烷和氨氣，板式鍍膜采用 MW generator,激發(fā)頻率較大，所以氨氣用量較小，管式設(shè)備采用 HF（高頻） generator,頻率不超過 ,氨氣難電離，所以氨氣消耗量很大。管式設(shè)備氨氣量耗費大致在每batch 100L左右，流量為 5L/min,硅烷流量 450550sccm即可。實際的鍍膜效果來看，管式設(shè)備做出的電池效率比板式的高 %，多晶硅電池采用這兩種設(shè)備鍍膜，做出的電池效率差距更明顯。 joe 15 Screen printing and firing ? 鍍膜后做金屬電極的方法很多，國內(nèi)廠商商業(yè)化生產(chǎn)大多采用AMAT Baccini的絲網(wǎng)印刷設(shè)備。 joe 16 joe 17 joe 18 ? 左圖為軟件工藝參數(shù)更改界面，常被更改的是以下四個參數(shù)。 ? 修改 OFFSETS框內(nèi)的 X，Y， Theta值可以保證在硅片上印刷圖形的準(zhǔn)確。 joe 19 firing ? 燒結(jié)是絲網(wǎng)印刷后電池制造的最后一道工序，國內(nèi)生產(chǎn)商采用的燒結(jié)爐主要來自三個廠商， Centrotherm,BTU和 Despatch. joe 20 firing ? 以 Centrotherm燒結(jié)爐為例，以下是它的一個典型的工藝參數(shù)配置 ? HTO：烘干區(qū) ? 350 380 400度 ? FF：快速燒結(jié)區(qū) ? 450 500 550 625 820 840度，前四個區(qū)燒結(jié)背電極和鋁背場，后兩個區(qū)燒結(jié)正電極（銀電極）。 joe 21 IR lamp joe 22 ? 絲網(wǎng)印刷到測試整個過程具體的工藝流程如下： ? ，材料為銀鋁漿或銀漿 ? 烘干 ? ，材料為鋁漿，燒結(jié)后會用鋁進(jìn)入硅片背面，形成 P+P結(jié)構(gòu)，拉大了內(nèi)電勢，提高了開路電壓，同時兼有背部鋁吸雜的作用。 P型單晶硅電池工藝改進(jìn)方面的最大突破莫過于 SE（選擇性發(fā)射極）電池的商業(yè)化投產(chǎn)，目前研制成功的工藝流程比較繁瑣，我會附上商業(yè)化生產(chǎn)SE電池的專利說明書，里面有詳細(xì)的講解
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