電磁屏蔽技術(shù)資料-在線瀏覽
2025-04-06 14:06本頁(yè)面
【正文】 小用屏蔽效能度量 : SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283 實(shí)心材料屏蔽效能的計(jì)算 入射波 場(chǎng)強(qiáng) 距離 吸收損耗 A R1 R2 SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋ B ＝ R＋ A＋ B B 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283 吸收損耗的計(jì)算 t 入射電磁波 E0 剩余電磁波 E1 E1 = E0et/? A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB ? A ＝ ( t / ? ) dB A = t ? f ?r?r dB 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283 趨膚深度舉例 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283 反射損耗 R ＝ 20 lg ZW 4 Zs 反射損耗與波阻抗有關(guān)，波阻抗越高，則反射損耗越大。 ZS = ?107? f ?r/?r 遠(yuǎn)場(chǎng)： 377? 近場(chǎng)：取決于源的阻抗 同一種材料的阻抗隨頻率變 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283 不同電磁波的反射損耗 遠(yuǎn)場(chǎng) : R ＝ 20 lg 377 4 Zs 4500 Zs = 屏蔽體阻抗， D = 屏蔽體到源的距離（ m） f = 電磁波的頻率（ MHz） 2 D f D f Zs Zs 電場(chǎng) : R ＝ 20 lg 磁場(chǎng) : R ＝ 20 lg dB 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283 影響反射損耗的因素 150 1k 10k 100k 1M 10M 100M 平面波 3? 108 / 2?r f R(dB) 靠近輻射源 r = 30 m 靠近輻射源 楊繼深 2023年 5月 電話 01068386283
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