錳氧化物薄膜制備工藝及表征手段-在線瀏覽
2025-04-01 21:40本頁面
【正文】 磁電阻效應(yīng)的著眼點(diǎn)是 ABO3型鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的摻雜稀土錳氧化物 ,主要研究的內(nèi)容是氧化物不同位置的摻雜特性 ,以研究不同物質(zhì)的摻入對(duì)氧化物薄膜的巨磁電阻效應(yīng)的影響 。三、制備 錳氧化物薄膜的方法167。 磁控濺射（ DC和 RF）167。 分子束外延 (MBE)167。例如：蒸發(fā) 磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜 ...鋁膜等。靶材的制備167。 溶膠凝膠法（ solgel)167。PLD的 機(jī) 制167。 1. 激光和靶材相互作用，靶材表面的高溫溶 蝕和蒸發(fā)電離167。 3. 襯底表面薄膜的沉積，作絕熱膨脹發(fā)射的等離子羽輝與襯底相互作用，最終在襯底淀積成膜PLD法制備薄膜實(shí)驗(yàn)流程圖調(diào)整激光器參數(shù)安裝靶材與襯底抽真空（機(jī)械泵與分子泵至 105Pa）開加熱裝置，通氣體導(dǎo)入激光進(jìn)行鍍膜關(guān)閉儀器激光器為 YAG固體激光器，波長 ?。?532nm(綠光） ,激光脈寬為 10ns,頻率為 1Hz,3Hz, 0300mJ可調(diào)．PLD技術(shù) 的優(yōu)點(diǎn)可以生長和靶材成分一致的多元化合物薄膜靈活的換靶裝置便于實(shí)現(xiàn)多層膜及超晶格膜的生長易于在較低溫度下原位生長取向一致的織構(gòu)膜和外延單晶膜由于激光的能量高，可以沉積難熔薄膜生長過程中可以原位引入多種氣體，提高薄膜的質(zhì)量污染小薄膜存在表面顆粒問題很難進(jìn)行大面積薄膜的均勻沉積基片靶材旋轉(zhuǎn)法激光束運(yùn)動(dòng)缺點(diǎn)新方法：激光分子束外延（二） 磁控濺射（ DC和 RF） DC RF磁控濺射法 的工作原理? 磁控濺射的工作原理是指電子在 電場 E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其 電離 產(chǎn)生出 Ar 和新的電子；新電子飛向基片， Ar 在電場作用下加速飛向 陰極 靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生 濺射 。但是直流濺射一般只能用于金屬靶材，因?yàn)槿绻墙^緣體靶材，則由于陽粒子在靶表面積累，造成所謂的 “ 靶中毒 ” ，濺射率越來越低。 不過目前國內(nèi)企業(yè)很少擁有這項(xiàng)技術(shù)。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（ＭＯＣＶＤ）是以低溫下易揮發(fā)的金屬有機(jī)化合物為前驅(qū)體， 在預(yù)加熱的襯底表面發(fā)生分解、氧化或還原反應(yīng)而制成制品或薄膜的技術(shù)。 MOCVD系統(tǒng)的組件可大致分為：反應(yīng)腔、氣體控制及混合系統(tǒng)、反應(yīng)源及廢氣處理系統(tǒng)。MOCVD的原理金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)源物質(zhì)（金屬有機(jī)化合物前驅(qū)體）在一定溫度下轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)并隨載氣（Ｈ２、Ａｒ）進(jìn)入化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，進(jìn)入反應(yīng)器的一種或多種源物質(zhì)通過氣相邊界層擴(kuò)散到基體表面，在基體表面吸附并發(fā)生一步或多步的化學(xué)反應(yīng)，外延生長成制品或薄膜，生成的氣態(tài)反應(yīng)物隨載氣排出反應(yīng)系統(tǒng) 。在沉積錳氧化物薄膜時(shí)，為保證膜中氧含量的化學(xué)配比，可用氧氣，二氧化氮，臭氧作為反應(yīng)氣體。在氧氣，二氧化氮?dú)夥障拢?PLD沉積錳氧化物薄膜時(shí)，為獲得最優(yōu)化特性的薄膜，氣相中的氧化和表面氧化過程都是非常重要的。使用磁控濺射方法鍍膜時(shí)，濺射室的總氣壓一般為 10Pa，而且具有較高的氧分壓，基片一般選用具有鈣鈦結(jié)構(gòu)的氧化物。錳氧化物薄膜的表征 方法167。 電阻（采用標(biāo)準(zhǔn)四點(diǎn)法）167。X射線 (XRD)當(dāng)掠入射時(shí)， X射線被平整表面反射和透過，反射級(jí)數(shù)稍稍不同于 1： n=1δ,δ≈104 （例如對(duì)于 Ag， δ=31106 ）。λυ′υ對(duì)于表面和界面反射的光程差為 2Dsinθ′+λ/2 ，在反射曲線中極大值出現(xiàn)在角度為
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