錳氧化物薄膜制備工藝及表征手段-文庫吧在線文庫
【正文】 RuddlesdenPopper(RP)相。由于其磁電阻值特別巨大，為了區(qū)別于金屬多層膜中的 GMR效應(yīng)，人們將這種鈣欽礦結(jié)構(gòu)中的磁電阻效應(yīng)冠之以超大磁電阻效應(yīng) (eolossalMagoresistanee)，簡(jiǎn)稱 CMR效應(yīng)。這一系列新穎物理現(xiàn)象同時(shí)出現(xiàn)在一個(gè)物理系統(tǒng)中，并且相互禍合，確非其他磁性材料和磁阻材料可比，磁性質(zhì)、輸運(yùn)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)密切相關(guān)是這類 CMR錳氧化物的顯著特征。三、制備 錳氧化物薄膜的方法167。靶材的制備167。 3. 襯底表面薄膜的沉積，作絕熱膨脹發(fā)射的等離子羽輝與襯底相互作用，最終在襯底淀積成膜PLD法制備薄膜實(shí)驗(yàn)流程圖調(diào)整激光器參數(shù)安裝靶材與襯底抽真空（機(jī)械泵與分子泵至 105Pa）開加熱裝置，通氣體導(dǎo)入激光進(jìn)行鍍膜關(guān)閉儀器激光器為 YAG固體激光器，波長(zhǎng) ?。?532nm(綠光） ,激光脈寬為 10ns,頻率為 1Hz,3Hz, 0300mJ可調(diào)．PLD技術(shù) 的優(yōu)點(diǎn)可以生長(zhǎng)和靶材成分一致的多元化合物薄膜靈活的換靶裝置便于實(shí)現(xiàn)多層膜及超晶格膜的生長(zhǎng)易于在較低溫度下原位生長(zhǎng)取向一致的織構(gòu)膜和外延單晶膜由于激光的能量高，可以沉積難熔薄膜生長(zhǎng)過程中可以原位引入多種氣體，提高薄膜的質(zhì)量污染小薄膜存在表面顆粒問題很難進(jìn)行大面積薄膜的均勻沉積基片靶材旋轉(zhuǎn)法激光束運(yùn)動(dòng)缺點(diǎn)新方法：激光分子束外延（二） 磁控濺射（ DC和 RF）但是直流濺射一般只能用于金屬靶材，因?yàn)槿绻墙^緣體靶材，則由于陽粒子在靶表面積累，造成所謂的 “ 靶中毒 ” ，濺射率越來越低。MOCVD的原理使用磁控濺射方法鍍膜時(shí)，濺射室的總氣壓一般為 10Pa，而且具有較高的氧分壓，基片一般選用具有鈣鈦結(jié)構(gòu)的氧化物。λυ′CMR材料活性分析紅外活性與拉曼活性167。CMR材料活性分析167。 通過實(shí)例來簡(jiǎn)單說明拉曼光譜在 CMR研究中應(yīng)用 采用溶膠凝膠方法在單晶 Si上制備了不同厚度的龐磁電阻材料 （ LSMO）薄膜，并利用共焦顯微拉曼散射研究了薄膜的結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)厚度引起了薄膜的結(jié)構(gòu)相變。 SQUID 作為探測(cè)器，可以測(cè)量出 1011 高斯的微弱磁場(chǎng)，僅相當(dāng)于地磁場(chǎng)的一百億分之一，比常規(guī)的磁強(qiáng)計(jì)靈敏度提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)，是進(jìn)行超導(dǎo)、納米、磁性和半導(dǎo)體等材料磁學(xué)性質(zhì)研究的基本儀器設(shè)備，特別是對(duì)薄膜和納米等微量樣品是必需的。一個(gè)約瑟夫森結(jié)由兩塊超導(dǎo)體中間夾一層薄的絕緣層，絕緣層在 1nm量級(jí)以保證量子效應(yīng)顯著。SQUID的應(yīng)用和發(fā)展167。 和 f0(a)和 f4(a)分別是對(duì)應(yīng)兩種原理時(shí)的厚度修正函數(shù)，a=w/s四探針測(cè)試原理四根等距探針豎直的排成一排，同時(shí)施加適當(dāng)?shù)膲毫κ蛊渑c被測(cè)樣品表面形成歐姆連接，用恒流源給兩個(gè)外探針通以小電流 I，精準(zhǔn)電壓表測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)兩探針間電壓 V，根據(jù)相應(yīng)理論公式計(jì)算出樣品的薄膜電阻率 圖 四探針計(jì)算模型 （厚塊原理（ 3D模型）模型）假設(shè)被測(cè)樣品為半無限大，探針與樣品表面為點(diǎn)接觸假設(shè)被測(cè)樣品為半無限大，探針與樣品表面為點(diǎn)接觸，形成以此點(diǎn)為球心的等位面。但量子力學(xué)原理指出，即使對(duì)于相當(dāng)高的勢(shì)壘，能量較小的電子也能有一定的概率透射，當(dāng) “ 勢(shì)壘 ” 寬度逐步減小時(shí)，這種透射的概率將隨之增大，在 1nm量級(jí)，這種透射的概率已經(jīng)很可觀了。最常見四探針測(cè)試儀為 RTS和 RDY系列。但是v1 振動(dòng)價(jià)電子易變形，有極化度的
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