【材料課件】五x射線光電子能譜-在線瀏覽
2025-03-17 18:52本頁面
【正文】 re extracted only from a narrow solid angle.1 mm210 nmConduction BandValence BandL2,L3L1KFermiLevelFree Electron Level光：光： Incident Xray 發(fā)射出的光電子發(fā)射出的光電子 Ejected Photoelectron1s2s2p三 光電效應 （ Photoelectric Process）1電磁波使內層電子激發(fā)，并逸出表面成為光電子，測量被激發(fā)的電子能量就得到 XPS， 不同元素種類、不同元素價態(tài)、不同電子層 (1s, 2s, 2p等 )所產(chǎn)生的 XPS不同。測量電子動能 KE ，就得到對應每種元素的一系列 BE光電子能譜，就得到電子鍵能數(shù)據(jù)。1激發(fā)光源 ——X射線（軟 X射線； Mg Kα : hv = eV； Al Kα : hv = eV）或 UV；2電子能量分析器 對應上述能量的分析器，只可能是表面分析；3高真空系統(tǒng)：超高真空腔室 superhigh vacuum chamber（ UHV避免光電子與氣體分子碰撞的干擾。spectrumfromPdsampleMgradiation)主峰在 330,720,andeV。得到下頁圖 注意坐標左右顛倒。2 4p 、 4s 能級出現(xiàn)在 54 、 88 eV 。4 3p 和 3s 能級出現(xiàn)在 534/561
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