中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)-在線瀏覽
2025-03-17 01:54本頁(yè)面
【正文】 er復(fù)合 (將多余的能量給予第三者 ) 無(wú)輻射復(fù)合 (三粒子過(guò)程 ) 3/5/2023 22 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ★ 直接 復(fù)合 (直接輻射復(fù)合 ) ① 復(fù)合率 (單位時(shí)間 ,單位體積內(nèi)復(fù)合掉的電子 空穴對(duì)數(shù) ): R=γ np, γ 直接復(fù)合系數(shù) R 1/(cm3 (n0+p0 ) n型半導(dǎo)體 : △ n,△ p171。 4 載流子的擴(kuò)散和漂移 167。 2 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) 167。 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 167。 1 非平衡載流子的注入與復(fù)合 167。 3 復(fù)合理論概要 167。 5 連續(xù)性方程 3/5/2023 1 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) (1) 非平衡載流子 (2) 非平衡載流子的注入與復(fù)合 (3) 非平衡載流子的壽命 3/5/2023 2 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ★ 非平衡載流子 ? 熱平衡狀態(tài) : n0,p0 (載流子濃度的乘積僅是溫度的函數(shù) ) ? 非平衡載流子 (過(guò)剩載流子 ) – 比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子 : △ n,△ p n= n0+ △ n, p= p0 +△ p 2gEkTi c vnp n N N e???3/5/2023 3 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 圖 51 3/5/2023 4 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ★ 非平衡載流子的注入與復(fù)合 ? ① 引入非平衡載流子 (過(guò)剩載流子 )的過(guò)程非平衡載流子的 注入 (injection) ? 最常用的注入方式 :光注入 ,電注入 . 光注入 : △ n=△ p ? 通常討論 小注入 : △ n,△ p171。n0 p型半導(dǎo)體 : △ n,△ p171。 S), γ (cm3/S) ?對(duì)非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 , γ =γ (T) ?這里的”復(fù)合” ,不是凈復(fù)合 . 3/5/2023 23 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) 3/5/2023 24 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ② 產(chǎn)生率 (單位時(shí)間 ,單位體積內(nèi)產(chǎn)生的電子 空穴對(duì)數(shù) ): G’ = γ ni2 ?這里的”產(chǎn)生” ,與外界因素?zé)o關(guān) . ③ 凈復(fù)合率 : Ud= d△ p(t)/dt = △ p/τ Ud=RG’ = γ (npni2) 3/5/2023 25 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ④ 壽命 : ?小注入條件下 : 001()dpU n p p?????? ? ?001()np????3/5/2023 26 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ★ 間接 復(fù)合 間接復(fù)合 — 非平衡子通過(guò)復(fù)合中心的復(fù)合 ① 四個(gè)基本躍遷過(guò)程： A. 電子俘獲 B. 電子產(chǎn)生 C. 空穴俘獲 D. 空穴產(chǎn)生 3/5/2023 27 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) Nt 3/5/2023 28 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ： Ra= γ n(Ntnt) ① ： Rb= Snt= γ n1nt ② ： Rc= γ +pnt ③ ： Rd= S+(Ntnt) = γ +p1(Ntnt) ④ γ 電子俘獲系數(shù)， S 電子激發(fā)幾率 γ + 空穴俘獲系數(shù)， S+ 空穴激發(fā)幾率 ? 單位 : 產(chǎn)生率，俘獲率 R (1/cm3?s) 俘獲系數(shù) γ (cm3/s), 激發(fā)幾率 S (1/s) 3/5/2023 29 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè) ? n1,p1—與復(fù)合中心能級(jí)位置有關(guān)的一個(gè)參量 當(dāng) EF=Et時(shí) , 導(dǎo)帶的平衡電子濃度 當(dāng) EF=Et時(shí) , 價(jià)帶的平衡空穴濃度 1ctEEkT N e???1 tvEEkTvp N e???3/5/2023 30 Semiconductor Physics 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1