igbt在電焊機(jī)中的應(yīng)用和rt4的推廣-在線瀏覽
2025-02-02 00:32本頁(yè)面
【正文】 Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導(dǎo)通損耗小Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off 22Ω 15Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 差 別 不是很大，驅(qū)動(dòng)電 路更改不大。Eoff 4mjRjc(IGBT) ，但其 175度的結(jié)溫可以保證熱余量 .Rjc(Diode) 并聯(lián)二極管 Vf(V) RT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論：用 RT4代替 DN2只需更改驅(qū)動(dòng)電路，替代容易！RT4模 塊 與 INFINEON DN2系列模 塊 的比較75A的 RT4和 DN2模塊的性能比較 （如無(wú)特殊說(shuō)明 Tj=125℃ ）型號(hào) BSM75GB120DN2 FF75R12RT4 結(jié)論封裝 34mm 34mm 散熱器安裝尺寸完全兼容。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,) RT4性能更好，導(dǎo)通損耗小。Rgon/off 15Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 差 別較 大， 驅(qū)動(dòng)電 路要做更改。Eoff 8mJ Rjc(IGBT) ，但其 175度的結(jié)溫可以保證熱余量。結(jié)論：用 RT4代替 DN2只需對(duì)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行修改，代替起來(lái)比較容易。RT4模 塊 與 INFINEON DN2系列模 塊 的比較150A的 RT4和 DN2模塊的性能比較 （如無(wú)特殊說(shuō)明 Tj=125℃ ）型號(hào) BSM150GB120DN2 FF150R12RT4 結(jié)論封裝 62mm 34mm DN2與 RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic 150A(Tc=80℃ ) 150A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導(dǎo)通損耗小Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon RT4的關(guān)斷 損 耗略高于 ND2Eoff 11mJ Rjc(IGBT) ！Rjc(Diode) 并聯(lián)二極管 Vf(V) RT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論： 150A的 RT4代替 150A的 DN2比較困難！RT4模 塊 與 INFINEON DN2系列模 塊 的比 較150A的 RT4和 100A的 KS4 的模 塊 的性能比 較 （如無(wú)特殊 說(shuō) 明 Tj=125℃ ）型號(hào) FF100R12KS4 FF150R12RT4 結(jié)論封裝 62mm 34mm KS4與 RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic 100A(Tc=80℃ ) 150A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導(dǎo) 通 損 耗小Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好， 熱 余量更大Rgon/off 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon RT4的關(guān)斷 損 耗略高于 KS4Eoff 11 mJRjc(IGBT) ！Rjc(Diode) 并 聯(lián) 二極管 Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好結(jié)論：用 150A的 RT4代替 100A的 KS4,要根據(jù)實(shí)際電路來(lái)確定能否替代。但是 RT4系列產(chǎn)品的熱阻相當(dāng)于 DN2系列來(lái)說(shuō)都要大一些。RT4模 塊 與 INFINEON 模 塊 的比較RT4模塊 與 SEMIKRON 模塊的比較SEMIKRON 在焊機(jī)應(yīng)用上主要有以下幾款：123系列： SKM75GB123D SKM100GB123D SKM150GB123D SKM200GB123D128系列： SKM75GB128D SKM100GB128D SKM150GB128D SKM200GB128DT4系列： SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4G SKM150GB12T4 SKM150GB12T4G SKM200GB12T4 SKM300GB12T4 （正在推廣）RT4模塊 與 SEMIKRON的比較50的 RT4和西 門 康的模 塊 的性能比 較 （如無(wú)特殊 說(shuō) 明 Tj=125℃ ）型號(hào) FF50R12RT4 SKM75GB123D SKM50GB12T4 SKM75GB128D 結(jié)論封裝 34mm 34mm 34mm 34mm 散 熱 器安裝尺寸完全兼容。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,) 2． 5V 128D的 導(dǎo) 通 損 耗最小。Rgon/off 15Ω 22Ω 6Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改。Eoff 4mJ 5mJ 8mJRjc(IGBT) 。結(jié)論： RT4與 123D相比，在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗上都在有優(yōu)勢(shì)，只是熱阻較大。與西門康最新的 T4系列性能相差不大。Ic(Tc=100℃ ) 75A 81A 75A 85A 128D的 電 流能力最大。Tj(度） 175℃ 150℃ 175℃ 150℃ T4芯片 結(jié) 溫高。Eoff 8mJ Rjc(IGBT) ！Rjc(Diode) Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好。與 128D和西門康最新的 T4系列性能相差不大。Ic(Tc=100℃ ) 100A 100A 100A 108A 電 流能力相差不大。Tj(度） 175℃ 150℃ 175℃ 150℃ T4芯片 結(jié) 溫高Rgon/off 8Ω驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電路需要更改！Eon 13mJ 10mJ 123D的開關(guān) 損 耗 較 大！Eoff 9mJ 11mJ 9mJRjc(IGBT) ！Rjc(Diode) Vf(V)
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