【正文】 線，通過電流發(fā)熱后，會熱脹冷縮發(fā)生變形。Ic 100A(Tc=80℃ ) 100A(Tc=80℃ ) 100A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,) 斯達模塊的性能略好。RT4模塊 與斯達模塊的比較75A的 RT4和斯達模塊的性能比較 （如無特殊說明 Tj=125℃ ）型號 GD75HFL120C1S FF75R12RT4 結論封裝 34mm 34mm 散熱器安裝尺寸完全兼容。和西門康最新的 T4系列相比，開關損耗較小。與 128D相比，熱阻較大。Eoff 8mJ Rjc(IGBT) ！Rjc(Diode) Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好。結論： RT4與 123D相比，在開關損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻較大。RT4模 塊 與 INFINEON 模 塊 的比較RT4模塊 與 SEMIKRON 模塊的比較SEMIKRON 在焊機應用上主要有以下幾款：123系列： SKM75GB123D SKM100GB123D SKM150GB123D SKM200GB123D128系列： SKM75GB128D SKM100GB128D SKM150GB128D SKM200GB128DT4系列： SKM75GB12T4 SKM100GB12T4 SKM100GB12T4G SKM150GB12T4 SKM150GB12T4G SKM200GB12T4 SKM300GB12T4 （正在推廣）RT4模塊 與 SEMIKRON的比較50的 RT4和西 門 康的模 塊 的性能比 較 （如無特殊 說 明 Tj=125℃ ）型號 FF50R12RT4 SKM75GB123D SKM50GB12T4 SKM75GB128D 結論封裝 34mm 34mm 34mm 34mm 散 熱 器安裝尺寸完全兼容。Eoff 8mJ Rjc(IGBT) ，但其 175度的結溫可以保證熱余量。n 結果 ： 1） IGBT4模塊的可靠性（ PC次數(shù)）大幅增加 2） IGBT4模塊的電流輸出能力增大（應用功率 ?） 3）以較小的封裝尺寸實現(xiàn)相同的電流規(guī)格（功率密度 ?）RT4模 塊 優(yōu) 點50A的 RT4和 DN2模塊的性能比較 （如無特殊說明 Tj=125℃ ）型號 BSM50GB120DN2 FF50R12RT4 結論封裝 34mm 34mm 散熱器安裝尺寸完全兼容，Ic 50A(Tc=80℃ ) 50A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導通損耗小Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off 22Ω 15Ω 驅(qū)動電 阻推薦 值 差 別 不是很大，驅(qū)動電 路更改不大。 u 開 關 損 耗：低開關損耗，高頻或硬開關。u滯后臂 實現(xiàn) ZCS， IGBT導 通 時間長 ，通 態(tài)損 耗大。建 議 ： 選 用關斷 損 耗小的 IGBT。推薦： 采用 INFINEON 開關 損 耗小的 KS4 芯片封裝的 100– 300A/1200V 的IGBT模 塊 。u建 議 ： 選擇 IGBT通 態(tài)損 耗小的 IGBT，即低通 態(tài) 型 IGBT模 塊 。u 溫 度 系 數(shù)：正溫度系數(shù)適合于多管芯并聯(lián)。Eon 7mJ RT4的性能稍好，開關 損 耗有所降低。Rjc(Diode) 并聯(lián)二極管 Vf(V) RT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好。Ic(Tc=100℃ ) 50A 49A 52A 59A 電 流能力相差不大。與 128D相比開關損耗較低。RT4模塊 與 SEMIKRON的比較結論： RT4與 123D相比，在開關損耗和導通損耗上都在有優(yōu)勢，只是熱阻交大。和西門康最新的 T4系列相比，開關損耗較小。RT4模塊 與斯達模塊的比較斯達在焊機應用上主要有以下幾款：HFL系列 (低損耗快速）： GD50HFL120C1S GD75HFL120C1S GD100HFL120C1S GD100HFL120C2S GD150HFL120C2S50A的 RT4和斯達模塊的性能比較 （如無特殊說明 Tj=125℃ ）型號 GD50HFL120C1S FF50R12RT4 結論封裝 34mm 34mm 散熱器安裝尺寸完全兼容。Ic 75A(Tc=80℃ ) 75A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大。Tj(度） 150℃ 150℃ 175℃ RT4性能更好，熱余量更大。在一定次數(shù)后就會出現(xiàn)裂紋，導致 IGBT失效。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,) RT4的 導 通 損 耗略高于宏微模 塊 。Rjc(Diode) 并聯(lián)二極管 Vf(V) RT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結論： RT4代替 100S只需對驅(qū)動電路進行修改，但代替 100D還需對散熱器進行修改。Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好， 熱 余量更大Rgon/off 驅(qū)動電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動電 路需要更改！Eon RT4的性能更好，開關 損 耗小Eoff Rjc(IGBT) ，但其 175度的結溫可以保證熱余量。Rgon/off 15Ω 驅(qū)動電 阻推薦 值 差 別較 大， 驅(qū)動電 路要做更改。Ic 50A(Tc=80℃ ) 50A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大。Eoff 9mjRjc(IGBT) ，但其 175度的結溫可以保證熱余量 .Rjc(Di