【正文】 流的測(cè)量?jī)?yōu)點(diǎn)：216。216。216。高電壓工程基礎(chǔ)缺點(diǎn) ： 試驗(yàn)設(shè)備復(fù)雜，需要高壓電源、電壓和電流測(cè)量系統(tǒng)、屏蔽系統(tǒng)等。當(dāng)介質(zhì)上所加電壓去掉后，介質(zhì)放電會(huì)出現(xiàn)與吸收過程類似的過程，但沒有泄漏電流現(xiàn)象。 對(duì)于旋轉(zhuǎn)電機(jī)，如果極化指數(shù)小于 ，泄漏指數(shù)大于 30，就可以判定為受潮。(1) 微安表接于高壓側(cè)試驗(yàn)接線高電壓工程基礎(chǔ)適合于接地端可與地分開的電氣設(shè)備。微安表的保護(hù)高電壓工程基礎(chǔ)保護(hù)電阻 R用來產(chǎn)生電壓，使流過微安表的電流達(dá)到一定數(shù)值時(shí)放電管 P動(dòng)作。并聯(lián)電容器：濾波電容，減少微安表的擺動(dòng)；還可使放電管兩端電壓上升陡度降低，使放電管來得及動(dòng)作。電容器可以提供高頻電流支路（ C1μF）。 將泄漏電流值與規(guī)程規(guī)定值比較；216。 對(duì)發(fā)電機(jī)、變壓器等重要設(shè)備，由電壓 — 電流關(guān)系曲線結(jié)合泄漏電流值全面分析。高電壓工程基礎(chǔ)216。216。216。216。小結(jié) 介質(zhì)損耗角正切值的測(cè)量高電壓工程基礎(chǔ)介質(zhì)損失角正切 tg? ： 交流電壓作用下電介質(zhì)中電流的有功分量和無功分量的比值，是一個(gè)無量綱的數(shù)，反映的是電介質(zhì)內(nèi)單位體積中能量損耗的大小。（ 2）測(cè)量 tg?可以有效的發(fā)現(xiàn)絕緣受潮、穿透性導(dǎo)電通道、絕緣內(nèi)含氣泡的游離、絕緣分層和脫殼以及絕緣有臟污或劣化等缺陷。QS1型 西林電橋智能型介質(zhì)損失測(cè)量?jī)x高電壓工程基礎(chǔ)QS1型西林電橋是一種平衡電橋，由四個(gè)橋臂 R R4和 C CN及 CX和一個(gè)檢流計(jì)構(gòu)成。由于 R3的最大允許工作電流為 ，故在 10千伏實(shí)驗(yàn)電壓下，當(dāng)被試品容量大于 3184pF時(shí)，應(yīng)接入分流電阻。測(cè)量接線高電壓工程基礎(chǔ)被試品處于高壓側(cè)，兩端均對(duì)地絕緣，此時(shí)橋體處于低壓側(cè)，操作安全方便，測(cè)量結(jié)果也比較準(zhǔn)確。(1) 正接線測(cè)量接線高電壓工程基礎(chǔ)此時(shí)各個(gè)調(diào)節(jié)元件、檢流計(jì)和屏蔽網(wǎng)均處于高電位，故必須保證足夠的絕緣水平和采取可靠的保護(hù)措施。(2) 反接線高電壓工程基礎(chǔ)外界電場(chǎng)干擾主要是干擾電源（包括試驗(yàn)用高壓電源和現(xiàn)場(chǎng)高壓帶電體）通過帶電設(shè)備與被試設(shè)備之間的電容耦合造成的。 流過 R3的電流還有試驗(yàn)電壓作用下流過被試品的電流 ，所以流過 R3的電流 為 和 的矢量和。有干擾時(shí)，電橋平衡后流過 R3的電流為 ，測(cè)量出的夾角為 ，它不等于試品真實(shí)的介質(zhì)損失角。 的相角與流過 R4的電流的相角相同，流過 R4的電流 和流過 C4的電流 之和為 。無電場(chǎng)干擾時(shí)的相量圖高電壓工程基礎(chǔ)有干擾時(shí)，電橋平衡后相量圖如圖所示，流過 R3的電流為 ，測(cè)出的 與 間的夾角為 ，故有干擾時(shí)測(cè)得的 與無干擾時(shí)測(cè)得的 不同。干擾電流 的相位是任意的，干擾源固定時(shí)，干擾電流的矢端軌跡為一圓。216。 采用移相電源使干擾電流 與 同相或反相，則流過 R3的電流 與 的夾角為 0，有無干擾測(cè)得的 是相同的。用移相電源消除干擾的接線圖高電壓工程基礎(chǔ)當(dāng)電橋靠近漏磁通較大的設(shè)備時(shí)，會(huì)受到磁場(chǎng)的干擾。磁場(chǎng)干擾將電橋移至磁場(chǎng)干擾范圍以外，或?qū)蝮w就地轉(zhuǎn)動(dòng)改變角度找到干擾的最小的方位。若無磁場(chǎng)干擾時(shí)，電橋調(diào)平衡后測(cè)量臂的數(shù)值為R3 、 C4 ，檢流計(jì)兩端無電位差。因需要克服磁場(chǎng)干擾電勢(shì)才使檢流計(jì)指零。當(dāng)檢流計(jì)正接時(shí)測(cè)得當(dāng)檢流計(jì)反接時(shí)測(cè)得高電壓工程基礎(chǔ)實(shí)際試品的 tg δ及 CX 為：高電壓工程基礎(chǔ)智能型介質(zhì)損耗測(cè)試儀可以在工頻高電壓下，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切 (tg δ)和電容值 (CX )。與西林電橋相比，具有操作簡(jiǎn)單、自動(dòng)測(cè)量、讀數(shù)直觀、無需換算、精度高、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。高電壓工程基礎(chǔ)測(cè)試 tg δ能有效發(fā)現(xiàn)絕緣的下列缺陷： 測(cè)試功效（ 1）受潮；（ 2）貫穿性導(dǎo)電通道；（ 3）絕緣老化劣化，繞組上積附油泥；（ 4）絕緣內(nèi)含氣泡的電離，絕緣分層；（ 5）絕緣油臟污、劣化等。即測(cè)量 tg δ對(duì)較大面積的分布性的絕緣缺陷較靈敏，對(duì)個(gè)別局部的非貫穿性的絕緣缺陷不靈敏。高電壓工程基礎(chǔ)用測(cè)量 tg δ的方法分析絕緣時(shí)，要求 tg δ不應(yīng)有明顯的增加或下降。如某變壓器進(jìn)水受潮，但測(cè) tg δ卻下降。高電壓工程基礎(chǔ)盡可能分部測(cè)量 測(cè)量時(shí)主要注意事項(xiàng)一般測(cè)得的 tg δ值是被測(cè)絕緣各個(gè)部分 tg δ的平均值，全部被測(cè)絕緣體可以看成是各個(gè)部分絕緣體的并聯(lián)。則整體測(cè)量時(shí)測(cè)得的電容和介損角正切為 CX和 tg δ ，測(cè)量時(shí)所加電壓為 U，根據(jù)功率相等的條件得：高電壓工程基礎(chǔ)假定電容為 C2的部分存在缺陷，當(dāng)缺陷部分的體積與整個(gè)絕緣的體積之比越小，即 C2 / CX越小， C2中的缺陷在測(cè)量整體的 tg δ時(shí)越難發(fā)現(xiàn)。因?yàn)樵谝欢ǖ墓ぷ鲌?chǎng)強(qiáng)下，絕緣厚度 d與電壓成正比。所以絕緣體積與 UICX成正比。但對(duì)電容量較大的設(shè)備，如大中型變壓器、電力電纜、電容器、發(fā)電機(jī)等，測(cè) tg δ只能發(fā)現(xiàn)整體分布性缺陷。對(duì)于可以分解為幾個(gè)絕緣部分的被試品，分解后來進(jìn)行 tg δ的測(cè)試，可以更有效地發(fā)現(xiàn)缺陷。通常以 20℃ 時(shí)的 tg δ值作為參考標(biāo)準(zhǔn)。如果絕緣中存在氣泡、分層、脫殼等，當(dāng)所加試驗(yàn)電壓足以使絕緣中的氣泡或氣隙放電，或者電暈、局部放電發(fā)生時(shí)， tg δ的值將隨試驗(yàn)電壓的升高而迅速增大。所加電壓過低，則不易發(fā)現(xiàn)絕緣中的缺陷，過高則容易對(duì)絕緣造成不必要的損失。高電壓工程基礎(chǔ)測(cè)量時(shí)注意消除被試品表面泄漏電流的影響表面泄漏電流對(duì) tgδ測(cè)量結(jié)果的影響程度與被試品電容量有關(guān)，對(duì)小容量的被試品如套管、互感器等表面泄漏電流影響較大。高電壓工程基礎(chǔ)測(cè)量繞組的 tgδ時(shí)必須將每個(gè)繞組的首尾短接測(cè)量時(shí)必須將被測(cè)繞組和非被測(cè)繞組的首尾短接，否則會(huì)產(chǎn)生很大的誤差。小 結(jié)高電壓工程基礎(chǔ)216。216。216。 局部放電的測(cè)試高電壓工程基礎(chǔ)局部放電 是指由于電氣設(shè)備內(nèi)部絕緣存在弱點(diǎn)，在一定外施電壓下發(fā)生的局部重復(fù)擊穿和熄滅現(xiàn)象。由于這些異物的電導(dǎo)和介電常數(shù)不同于絕緣物，在外施電壓作用下，異物附近的電場(chǎng)較強(qiáng)，該出可能產(chǎn)生電離放電。高電壓工程基礎(chǔ)氣泡的介電常數(shù)小，其擊穿場(chǎng)強(qiáng)低，所以分散在絕緣物中的氣泡是局部放電的發(fā)源地。但長(zhǎng)期作用時(shí)，會(huì)加速絕緣老化，絕緣強(qiáng)度降低。 局部電場(chǎng)畸變，使局部介質(zhì)承受過高的電壓；216。 化學(xué)腐蝕。 在局部放電區(qū)，產(chǎn)生高能輻射線，引起材料分解；216。高電壓工程基礎(chǔ)若一個(gè)電氣設(shè)備在運(yùn)行電壓下長(zhǎng)期存在一定程度的局部放電，這些微弱的放電能量和由此產(chǎn)生的一些不良影響可慢慢損壞絕緣，加速絕緣物的老化和破壞，發(fā)展到一定程度時(shí)，就可能導(dǎo)致整個(gè)絕緣被擊穿。高電壓工程基礎(chǔ)通常將視在放電量 △ q作為局部放電強(qiáng)度的參數(shù)。高電壓工程基礎(chǔ)電氣設(shè)備絕緣內(nèi)部發(fā)生局部放電時(shí)將伴隨著出現(xiàn)許多外部現(xiàn)象，有些外部現(xiàn)象屬于電現(xiàn)象，如產(chǎn)生電流脈沖、引起介質(zhì)損耗增大、產(chǎn)生電磁波輻射等；有些屬于非電現(xiàn)象，如產(chǎn)生光、熱、噪聲、氣壓變化和分解物等。目前應(yīng)用的比較廣泛和成功的是電氣檢測(cè)法，特別是測(cè)量絕緣內(nèi)部氣隙發(fā)生局部放電時(shí)的電脈沖，它不僅可以靈敏地檢出是否存在局部放電，還可判斷放電強(qiáng)弱程度。高電壓工程基礎(chǔ)上圖是目前國(guó)際上推薦的三種測(cè)量局部放電的基本回路，它們都是要將一定電壓作用下的被試品 CX中產(chǎn)生的局部放電電流脈沖傳遞到測(cè)量阻抗 Zm的兩端，然后把 Zm上的電壓加以放大后送至測(cè)量?jī)x器 M進(jìn)行測(cè)量。直接法（ 1）并聯(lián)法CX為被試品， Ck為耦合電容，它為被試品與測(cè)量阻抗之間提供一條低阻抗通道。 Z為低通濾波器，可以讓工頻電壓作用到試品上，阻止被測(cè)的高頻脈沖或電源的高頻噪聲通過。高電壓工程基礎(chǔ)（ 2）串聯(lián)法串聯(lián)法適合于被試品兩端都不接地的情況。允許被試品一端接地；216。被試品被擊穿時(shí)，不會(huì)危及人身和測(cè)試系統(tǒng)的安全。高電壓工程基礎(chǔ)二、局部放電的測(cè)量阻抗和測(cè)量?jī)x器 （ 1）測(cè)量阻抗 Zm的選擇216。 要使脈沖分量的持續(xù)時(shí)間足夠小，以保證快速連續(xù)脈沖的分辨率；216。（ 2）常用測(cè)量阻抗的形式常用的測(cè)量阻抗有電阻、電感、電阻與電感并聯(lián)以及電感與電容并聯(lián)四種形式。為了提高信噪比：采用數(shù)字示波器或其他數(shù)字記錄儀。高電壓工程基礎(chǔ)三、測(cè)量時(shí)注意的問題內(nèi)部干擾： 試驗(yàn)回路中某元件或高壓引線發(fā)生電暈放電時(shí)引起的干擾。高電壓工程基礎(chǔ)措施：(1) 選擇抗干擾能力強(qiáng)的測(cè)量電路。(3) 試驗(yàn)電源最好采用獨(dú)立電源。(5) 將高壓試驗(yàn)變壓器、檢測(cè)回路和測(cè)量?jī)x器三者的地線連成一體，并采用一根地線相連。(7) 測(cè)量回路與被試品的連線應(yīng)盡可能縮短。如規(guī)程中沒有給出規(guī)定值，則應(yīng)在實(shí)踐中積累數(shù)據(jù)，以獲取判斷標(biāo)準(zhǔn)。（ 2）工作原理當(dāng)電氣設(shè)備絕緣內(nèi)部發(fā)生局部放電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一種超聲波，并向四面?zhèn)鞑ィ钡诫姎庠O(shè)備容器的表面。這一表面束縛電荷的變化便引起了端部金屬電極上電荷的變化，或在外回路中引起交變電流，從而將 交變壓力波轉(zhuǎn)換成電氣量 ，由此可測(cè)量局部放電。小 結(jié)高電壓工程基礎(chǔ)216。216。216。216。 電壓分布的測(cè)量高電壓工程基礎(chǔ)（ 1）絕緣表面的電壓分布 216。 當(dāng)表面因污染而電阻下降時(shí)：電壓分布由表面電導(dǎo)決定。 （ 2）測(cè)量電壓分布可以發(fā)現(xiàn)的絕緣狀況電壓分布能反映絕緣子的一些特征，如污穢分布狀況、絕緣子絕緣狀況等。另一方面，通過測(cè)