pcb干膜詳細資料-在線瀏覽
2025-01-30 02:28本頁面
【正文】 COMPANY貼膜u加熱：使干膜溫度達到其 Tg ,， 因而熔 融流動填覆于銅面微觀縫隙處。5038干膜的工藝運用與控制PLUSCO COMPANY貼膜u干膜與銅面的附著力源自： 化學力：干膜中含有的羧酸基團和未飽和 的有機化合物 ( )會與銅 ( + )產生 化學作用，生成化學鍵。5038干膜的工藝運用與控制PLUSCO COMPANY貼膜 5038干膜的工藝運用與控制RC OOCu CuH2OOH2OO CROORCCOOOOOOOOOOO OOO OOOLClLClLClLCloClCuCuCuCuClCu++與羧酸基團作用 Cu++與未飽和的有機化合物作用(生成雙鍵 )PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u貼膜 需控制的要素：溫度壓力速度壓轆的狀態(tài)基板的狀態(tài)貼膜PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u溫度進板溫度 : 20 50 ℃ 壓轆溫度 : 100 125 ℃ 出板溫度 : O/L 43 60 ℃ I / L 63 71 ℃進、出板溫是指距壓轆 前、后 3“ 位置處板面的溫度。貼膜壓轆兩邊位置壓力偏小壓力在壓轆上分布均勻壓轆中間位置壓力偏小PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u基板的狀態(tài) 基板的熱傳質情況影響出板溫度u 板厚 u 銅厚u 進板溫度貼膜 基板的表面質量基板的表面質量 影響干膜的填覆性與附著力，影響干膜的填覆性與附著力， 且板邊粗糙會使板且板邊粗糙會使板 邊留下過多邊留下過多 的膜碎。u 氧化物、水跡、油漬、手印氧化物、水跡、油漬、手印 磨板后控制在磨板后控制在 1hr內完成，內完成， 并規(guī)范操作并規(guī)范操作u 雜物、碎片、纖維絲雜物、碎片、纖維絲 貼膜前板面過粘塵機貼膜前板面過粘塵機PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制膜下膜下的的 碎片碎片貼膜PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u 作用： 在于通過底片和 UV光的照射，使光照射部分產生聚合作用，從而作為后續(xù)工步中的抗蝕層或抗鍍層。曝光PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制 曝光 反應單體 (紅色 ) 抽真空度：良好，應輔以同厚度的導氣條及人工起氣， 必要時還需在底片上開氣窗，幫助抽氣。u 曝光后停留 15 min后才能進行顯影。曝光PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u底片的控制保護膜的運用u 檢查保護膜內雜質、折皺、汽泡等等。u 板內的通孔不應部分遮光，部分不遮光，避免產生膜碎。u 底片應每曝光 15次清潔一次。顯影PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u化學反應機理：顯影 P ?COOH + OH ? P?COO PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u 濃度、濃度、 PH、 溶膜量之間的關系：溶膜量之間的關系：[CO3]=Dry Film Loading Dry Film loadingpHNew Bath = Spent Bath = CARBONATEBICARBONATE顯影PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用與控制u 溶液的化學分析：溶液的化學分析： 酚酞作指示劑，分析活性酚酞作指示劑，分析活性 CO32 含量含量 CO32 + H+ ? HCO3 (反應終點時反應終點時 PH=) 甲基橙作指示劑，分析總甲基橙作指示劑，分析總 CO3 根含量根含量 反應反應 ( I ). CO32 + H+ ? HCO3 反應反應 ( II ). HCO3 + H+ ? CO2 ? + H2O (反應終點時反應終點時 PH=)顯影PLUSCO COMPANY5038干膜的工藝運用
外語相關推薦
鄂ICP備17016276號-1