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國(guó)外集成電路命名方法-在線瀏覽

2024-10-02 15:56本頁(yè)面
  

【正文】 125) ℃;A:10V類(lèi)。F:濾波器;2:金屬圓殼(TO5)。B:高速低功耗。I:接口電路;3:環(huán)氧樹(shù)脂雙列。D:商用的。M:存儲(chǔ)器;4:芯片載體。的為一般產(chǎn)品。V:高壓模擬電路;4P:塑料芯片載體;PL:可編程邏輯;5:LCC混合電路Y:多片組合電路。 8:MILSTD883B產(chǎn)品;7:小型陶瓷雙列;9:(4085)℃;9:扁平封裝。RP:有功率降額限9+:(4085)℃,制的鎖定輸出已老化產(chǎn)品;沒(méi)標(biāo)的為一般產(chǎn)品.RH:抗輻射產(chǎn)品。A:高速。B:甚高速。沒(méi)標(biāo)的為一般速度. 5:5MHz;+:已老化,M:軍用(55125)℃;X:芯片;R:芯片載體(陶瓷);S :塑料芯片載體??瞻祝?MHz;MILSTD883產(chǎn)品。2:8MHz。微波電路產(chǎn)品的通用符號(hào)系列:系列:封裝:A:放大器(GaAsFET);1:32線金屬密封扁平封裝;D:數(shù)字電路(GaAs);2:16線金屬密封扁平封裝;F:FET(GaAs);3:48線金屬密封扁平封裝M:單片微波集成電路;R:模擬電路(GaAs);同時(shí)生產(chǎn)其它廠家相同型號(hào)的產(chǎn)品。I:(20~85)℃;C:TO220;C:12;ICM:鐘表電路;6:CMOS工藝;D:陶瓷雙列;D:14;IH:混合/模擬門(mén);7:MOS工藝;范圍:F:陶瓷扁平封裝F:22;AD:模擬器件;1:處理單元;B:(20~85)℃;線()H:42;DGM:?jiǎn)纹M開(kāi)關(guān);4:接口單元;密封混合雙列;I:28;ICH:混合電路;5:RAM;J:陶瓷浸漬雙列J:32;LH:混合IC;6:PROM;(黑瓷);K;35;LM:線性IC;第三、四位數(shù)表K:TO3; L:40;MM:高壓開(kāi)關(guān);示:L:無(wú)引線陶瓷載體;M:48;NE:SIC產(chǎn)品;芯片型號(hào)。,4端與殼接);5端與殼接)??s寫(xiě)字符:MOTA 譯名:摩托羅拉公司(美)器件型號(hào)舉例說(shuō)明MC1458P首標(biāo)器件編號(hào)封裝MC:有封裝的IC;1500~1599;L:陶瓷雙列直插(14或16線);MCC:IC芯片;(55~125)℃軍用線性U:陶瓷封裝;MFC:低價(jià)塑封功能電路;電路;G:金屬殼TO5型;MCBC:梁式引線的IC芯片;1400~1493400~3499:R:金屬功率型封裝TO66型;MCB:扁平封裝的梁式引線IC;(0~70)℃線性電路;K:金屬功率型TO3封裝;MCCF:倒裝的線性電路;1300~1393300~3399:F:陶瓷扁平封裝;MLM:與NSC線性電路消費(fèi)工業(yè)線性電路。P:塑封雙列;MCH:密封的混合電路;P2:14線塑料封雙列直插;MCM:集成存儲(chǔ)器;與封裝標(biāo)志一起的尚有:C:表示溫度或性能的符號(hào);A:表示改進(jìn)型的符號(hào)。數(shù)字表示)溫度;Y:14線陶瓷雙列; L:LCC;Z:8線陶瓷雙列; G:PGA;J:TO99封裝; Q:QFP;T:TO52封裝; CHIP:芯片或小片??s寫(xiě)字符:NECJ 譯名:日本電氣公司(日)NECE 日本電氣公司美國(guó)電子公司(美) 器件型號(hào)舉例說(shuō)明μPD7220DNEC首標(biāo)系列器件編號(hào)封裝A:金屬殼類(lèi)似TO5型封裝;B:陶瓷扁平封裝;C:塑封雙列; D:陶瓷雙列;H:塑封單列直插;M:芯片載體;V:立式的雙列直插封裝;K:陶瓷芯片載體;縮寫(xiě)字符:NSC 譯名:國(guó)家半導(dǎo)體公司(美)器件型號(hào)舉例說(shuō)明LM101AF系列器件編號(hào)封裝AD:模擬對(duì)數(shù)字;(用4或5位數(shù)字符號(hào)表示)D:玻璃/金屬雙列直插;AH:模擬混合;A:表示改進(jìn)規(guī)范的;F:玻璃/金屬扁平;AM:模擬單片;C:表示商業(yè)用的溫度范圍。P:TO202(D40,耐熱的);LM:線性單片;T:TO220型;LMC:CMOS線性;Z:TO92型;MM:MOS單片;Q:塑料芯片載體;NMC:MOS存儲(chǔ)器。M:小引線封裝;L:陶瓷芯片載體。縮寫(xiě)字符:PHIN 譯名:菲利浦公司(荷蘭)器件型號(hào)舉例說(shuō)明MAB8400ADP系列 溫度范圍器件表示兩層意義封裝(用兩位符號(hào)表示)A:沒(méi)規(guī)定范圍 編號(hào)第一層表示改進(jìn)型;(用兩位符號(hào)表示)B:(0~70) C:(55~125)D:陶瓷雙列;D:雙列直插;符號(hào)表示。F:扁平封裝;E:功率雙列(帶散熱片);第一符號(hào):F:(40~85)Q:四列封裝;G:扁平(四邊引線);T:模擬電路;如果器件是在別K:菱形(TO3系列);U:模擬/數(shù)字混合電路。Q:四列直插;外,其它無(wú)規(guī)定;S:?jiǎn)瘟兄辈澹槐硎?。T:三列直插。第二位表示封裝材料:MB:位片式處理器;G:玻璃陶瓷(陶瓷浸漬);ME:其它有關(guān)電路(接P:塑料。縮寫(xiě)字符:PMI 譯名:精密單片公司(美)器件型號(hào)舉例說(shuō)明DAC08EX器件系列器件電特性等級(jí)封裝ADC:A/D轉(zhuǎn)換器;編號(hào)SMP:采樣/保持放大器;SW:模擬開(kāi)關(guān);縮寫(xiě)字符:PRSC 譯名:特性半導(dǎo)體有限公司器件型號(hào)舉例說(shuō)明P74FCTXXXXX首標(biāo)溫度產(chǎn)品系列器件封裝溫度范圍P:performance;74:(070)℃;℃。D:陶瓷雙列;L:芯片載體;列(SOIC);雙列??s寫(xiě)符號(hào):QSI 譯名:高級(jí)半導(dǎo)體公司器件型號(hào)舉例說(shuō)明QS8XXXXXXXXX首標(biāo)器件編號(hào)速度封裝加工7XXX:FIFO。D:陶瓷雙列;(070)℃;SO:小引線封裝雙列;(55~125)℃;Q:四面引線封裝(QSOP);(55~125)℃。V:(SOJ)J型小引線雙列。54:(55~FCT:快編號(hào)P:塑料雙列;沒(méi)標(biāo):標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)用D:陶瓷雙列;(0~70)℃;QST:快(55~125)℃。B:;Q:陶瓷四列;H:芯片;MWS:CMOS LSI;K:陶瓷扁平封裝;PA:門(mén)陣。L:?jiǎn)螌犹沾尚酒d體;M:TO220封裝(有散熱板);P:有散熱板的塑料雙列封裝;Q:四列塑料封裝;QM:變形的四列封裝S:TO5封裝(雙列型);T:TO5封裝(標(biāo)準(zhǔn)型);V1:TO5封裝(射線型引線);W:參差四列塑料封裝??s寫(xiě)符號(hào):SGL 譯名:硅通用公司(美)器件型號(hào)舉例說(shuō)明SG108ATSGL器件編號(hào)說(shuō)明封裝首標(biāo)J:陶瓷雙列(1118線);L:芯片載體;N:塑料雙列(116線);R:TO66(2線、9線金屬殼);W:16線帶散熱片的陶瓷雙列;S:大于15W的功率封裝。封裝:?jiǎn)巫帜副硎荆篊:圓殼;D:雙列直插;雙字母表示:兩字母表示:?jiǎn)巫帜副硎荆篠:?jiǎn)纹瑪?shù)字電路。D:雙列直插;E:功率雙列(帶散熱板);F:扁平封裝;G:四邊引線扁平封裝;K:菱形(TO3型);M:多列直插;Q:四列直插;第二位字母表示溫度范圍:A:沒(méi)規(guī)定范圍,或非下列溫度范圍;第二位(表示封裝材料);C:金屬陶瓷;G:玻璃陶瓷(雙列);M:金屬;P:塑料。G:(55~85)℃。該公司與法國(guó)THOMSON公司聯(lián)合組成SGSTHOMSON公司,產(chǎn)品型號(hào)有所變化。縮寫(xiě)符號(hào):SANYO(TSAJ) 譯名:三洋公司(日)器件型號(hào)舉例說(shuō)明LA1230首標(biāo)器件編號(hào)LA:雙極線性電路;LC:CMOS電路;LM:PMOS、NMOS電路;LD:薄膜電路。
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