薄膜干涉—等厚條紋-在線瀏覽
2024-09-15 20:24本頁(yè)面
【正文】 在半導(dǎo)體元件生產(chǎn)中，為了測(cè)定硅片上 SiO2薄膜的厚度，將該膜的一端腐蝕成劈尖狀，已知 SiO2 的折射率 n =，用波長(zhǎng) ? =5893埃的鈉光照射后，觀察到劈尖上出現(xiàn) 9條暗紋，且第 9條在劈尖斜坡上端點(diǎn)M處， Si的折射率為 。 Si SiO2 O M 解：由 暗紋 條件 e = (2k+1)? /4n ?= 2ne = (2k+1） ? /2 (k=0,1,2…) 知 ,第 9條暗紋對(duì)應(yīng)于 k=8,代入上式得 = (?m) 所以 SiO2薄膜的厚度為 ?m。測(cè)出干涉條紋的間距，就可以算出金屬絲的直徑。 牛頓環(huán)光程差的計(jì)算 牛頓環(huán) 干涉條紋的特征 牛頓環(huán) 的應(yīng)用 牛頓環(huán)實(shí)驗(yàn)裝置及光路 反射光光程差的計(jì)算 ? = 2e + ? /2 e A 牛頓環(huán) 1 2 牛頓環(huán)干涉條紋的特征 (1) 明暗條紋的判據(jù) r R e 0 由幾何關(guān)系可知 （ R – e)2+r2=R2 R2 2Re + e2 + r2=R2 e = r2/2R ?????????暗紋（明紋...)2,1,02/)12(...)3,2,1(2/2kkkke????牛頓環(huán) 牛頓環(huán)干涉條紋的特征 k=0， r =0 中心是暗斑 …… 牛頓環(huán) 干涉條紋是一系列明暗相間的同心圓環(huán)。 牛頓環(huán) 4. 劈尖干涉的應(yīng)用 依據(jù)： ? 測(cè)表面不平度 ? 測(cè)波長(zhǎng)：已知 θ、 n， 測(cè) L可得 λ ? 測(cè)折射率：已知 θ、 λ， 測(cè) L可得 n ? 測(cè)細(xì)小直徑 、 厚度 、 微小變化 Δh 待測(cè)塊規(guī) λ 標(biāo)準(zhǔn)塊規(guī) 平晶 等厚條紋 待測(cè)工件 平晶 劈尖應(yīng)用 應(yīng)用： ??nL 2?公式 依據(jù)： 公式 ?mRrr km
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