【正文】 以使用35年，鈾238還可以使 用43年。故此，面對全球氣溫持續(xù)上升引致的全球暖化問題，環(huán)保的關(guān)鍵之一是全球性減少 使用化石燃料作為發(fā)電的主要能源。于二零零五年，京都議定書生效，簽署國須推廣發(fā)展及使用可再生能源，并敦促減 少二氧化碳排放量至議定書所載各簽署國的目標水平。光伏技術(shù)光伏技術(shù)發(fā)電既不會排放任何污染物及溫室氣體，亦無需使用有限的化石燃料資 源。以下為以光伏技 術(shù)為基礎(chǔ)之太陽能發(fā)電技術(shù)的原理圖，其中剖示出所涉及的主要發(fā)電過程﹕ ?? ?? ?? ??7行業(yè)概況光伏技術(shù)是一種將光能轉(zhuǎn)化為電力的技術(shù)： 上圖剖示基本光伏或太陽能電池的運作。 每當光能照射電池，半導體物料內(nèi)的電子束解游動。 隨后，所產(chǎn)生的電力可為照明燈或工具等負載提供能源。太陽能光伏技術(shù)的類別全球光伏電池生產(chǎn)技術(shù)大致上可分為若干不同類別，即單晶硅、多晶硅及薄膜。而薄膜最為一種替代技術(shù)，將成為太陽能產(chǎn)業(yè) 的發(fā)展趨勢，終將替代傳統(tǒng)的晶體太陽能電池，并最終取代燃煤發(fā)電，成為全世界普及 的新能源。 根據(jù)Solarbuzz的資料，按全年太陽能光伏裝置產(chǎn)能計算，全球太陽能光伏巿 場規(guī)模由 二零零五年的1,460百萬瓦至二零零六年的1,744百萬瓦至二零零七年的2826MW。2007年中國的發(fā)電裝機容量為100萬MW，并按每年12%的速度增長。據(jù)此，至2016年，僅中國運 用可再生能源的發(fā)電裝機容量約為55萬MW，即550GW。2007年歐洲的發(fā)電裝機容量約為500萬MW， 美國約為300萬MW， 按年5% 的增速計算，至2016年，歐盟和美國的發(fā)電裝機容量約為1300萬MW，如 果20%用太陽 能發(fā)電替代，約為260萬MW（2600GW）。據(jù)Sharp總裁預測(權(quán)威人士)，薄膜太陽能電池作為一種替代技術(shù)，2012年以薄膜 為基礎(chǔ)之太陽能產(chǎn)品的市場占有率將達50%，市場前景樂觀。二零零七年，約80%太陽能光伏裝置位于德國、日本及美國，當?shù)卣恢狈e極以 有利法規(guī)及財政支持，推廣使用包括太陽能在內(nèi)之可再生能源。根據(jù)Solarbuzz的預測，于二零零八年至二零一 一年，美國、歐洲其它國家及世界其它國家將成為增長最迅速之國家或地區(qū)，而德國及 日本則預料以少于10%之年復合增長率穩(wěn)定增長。西班牙、法國、希臘、意大利及葡萄牙等其它歐洲市場亦設(shè)有不同的支持計劃，如 減稅及回饋規(guī)定。其它若干國家正引入有利太陽能產(chǎn)業(yè)的法律，配合產(chǎn)業(yè)預期的強勁顯著的增長。光伏價值鏈傳統(tǒng)的晶體太陽能產(chǎn)品傳統(tǒng)的光伏價值鏈指凈化及晶化硅材、將晶硅（或硅錠）切割成硅片、將硅片加工 成為電池、裝嵌電池成為模塊、為制造廠提供經(jīng)常性能源。下圖列示制造以結(jié)晶硅為基礎(chǔ)的太陽能產(chǎn)品之價值鏈。根據(jù) 獨立研究所水清木華研究中心發(fā)出的報告，太陽能多晶硅于過往年度一直出現(xiàn)供應短 缺，導致供不應求的情況，此情況 仍會持續(xù)，并日益嚴峻，其原因在于投資多晶硅原料 廠門檻高，耗資大，2萬噸產(chǎn)量需投資20億美元，且建廠周期為3年。以薄膜為基礎(chǔ)的太陽能產(chǎn)品以薄膜為基礎(chǔ)的太陽能產(chǎn)品之價值鏈則相對簡單， 其核心是設(shè)備， 屬于設(shè)備導向型。電池模組 反應氣體在 一定的保護 氣氛下反應 生成硅原子 沉積在加熱 的襯底上， 并 一次成形多 個電池發(fā)電機組 建成太陽 能發(fā)電機 組13行業(yè)概況太陽能產(chǎn)業(yè)之主要增長動力太陽能發(fā)電是近年增長最快之可再生能源發(fā)電來源之一，下列因素已經(jīng)并將會繼續(xù) 推動全球太陽能產(chǎn)業(yè)之增長﹕全球關(guān)注暖化及環(huán)境問題，同時電力需求持續(xù)增長；政府推出有利太陽能產(chǎn)業(yè)之優(yōu)惠措施以及頒布可再生能源法；客戶及最終用家轉(zhuǎn)而采用太陽能作為主要可再生能源；及光伏模塊之成本隨科技進展而下降及其生產(chǎn)規(guī)模擴充所帶來之規(guī)模經(jīng)濟效益， 均令采用太陽能之費用更為相宜。世界領(lǐng)先的轉(zhuǎn)換效率：（在專用設(shè)備商中） 世界領(lǐng)先的轉(zhuǎn)換效率：（在專用設(shè)備商中） ：（在專用設(shè)備商中－ 從2009年起主力機種線，9％轉(zhuǎn)換效率，至2010年主力機種線11％，2011 年主力線為12％，2012年主力線為13％，2013年主力線為15%。極具競爭力的交貨周期－ 交貨周期不高于912個月，而其他設(shè)備競爭廠家的交貨周期一般為一年半 至兩年。15核心競爭力－ COO 萬資仁先生有優(yōu)秀的技術(shù)管理能力與經(jīng)驗， 曾成功擔任十數(shù)億美元的 大陸上市公司的營運長； 擔任過臺灣資本額 6 億美元的千 人大公司營運長。2009 年交貨之薄膜設(shè)備美國 Applied Materials 歐洲 Orlekon 日本 ULVAC保證效率在 6% 保證效率在 7% 保證效率在 7%光電組件與工藝先進性我們的光電組件與工藝先進性具有下列特性：以微晶層為主、奈米硅鍺晶層為輔的雙層架構(gòu)（Tandem），可達成＞11%長 期使用的轉(zhuǎn)換效能，并逐步升級至15%的效能（1113%, 1214%, 1315%）使用同步熱處理及高頻等離子電漿，促使微晶層得沉積速度增加35倍完善微晶層結(jié)晶組成，使晶體缺陷成為現(xiàn)有微晶層的千分之一至十萬分之一落實硬設(shè)備的開發(fā)，使工藝技術(shù)與硬設(shè)備合而為一，一步到位，產(chǎn)生最佳的量 產(chǎn)績效開發(fā)兩段式脈沖式快速退火設(shè)備，可為將來升級轉(zhuǎn)換效率的設(shè)備手段與技術(shù)17核心競爭力增大微晶粒、降低缺陷在2011年后將推出化合物半導體光電膜與微晶硅在玻璃上的新型復合膜的超 高轉(zhuǎn)換效率結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)線。經(jīng)由無晶層 孔洞的產(chǎn)生不同種氫鍵與懸掛鍵的聚合，使得電阻增值大，電子通過不易外，逐步造成 大量連續(xù)的復合中心 (rebination center) 出現(xiàn)， 使得光電子、 電洞的生命期 （life time）縮短，因此能通過無晶層的電流下降，轉(zhuǎn)換效能只有原始的百分之70甚至更低。 因此到目前為止成就不大。工藝先進性說明首先，用PECVD磊上微晶薄膜，在工藝的過程中加裝基板加熱裝置 ，使原子的排 列較近晶體式的排列，同時膜的沈積效率亦是一般的3~5倍，再由下一道工序流程中的 工藝制作腔內(nèi)，再做一次快速退火，使得微晶在巨觀下有某些已是多晶的型態(tài)，這一層 微晶應該使晶體缺陷較目前市面所提供的微晶層的千分之一至十萬分之一。完成微晶層之后，再進入無18核心競爭力晶層的沈積，由一般的6%的轉(zhuǎn)換效能來看，再經(jīng)過數(shù)個月陽光照射后，實際轉(zhuǎn)換效能 將衰減至原有的百分之70，%。 也就是說， 一般的供貨商所提供的是以無晶層為主的雙層 （Tandem） 結(jié)構(gòu)，可能不具長程的要求與競爭力，本公司所主張的是以微晶層為主的雙層架構(gòu)。設(shè)備先進性采用同時制造20片等離子電漿鍍膜的大批量設(shè)備，可為同業(yè)產(chǎn)能的四~八倍以 上采用基板加熱鍍膜同步退火，快速退火設(shè)備，微晶成長速度是同業(yè)的五倍設(shè)備數(shù)量低于2套25MW之非晶薄膜設(shè)備較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省清洗機、傳送設(shè)備車匣傳送設(shè)備成熟穩(wěn)定較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省廠房面積4成較同瓦數(shù)之非晶薄膜設(shè)備，節(jié)省TCO玻璃、EVA膠膜及框架 4成以上19核心競爭力設(shè)備價格較同業(yè)低3成以上50MW單線USD60M，批量優(yōu)惠可致USD45MUptime 可達9成以上。五年內(nèi)快速提高每線產(chǎn)能8倍，從每條線50MW, 100MW, 200MW至400MW。本公司是由客制化服務開始，將客戶的需求除了作短期的應用方案外，并架構(gòu)長期 的規(guī)劃，使得今日的設(shè)備仍能在下一波的競爭中，加裝若干部件，仍充分發(fā)揮使用。因此，我們的設(shè)備較之一般設(shè)備供貨商不同之處在于：與客戶需求和市場要求作緊密結(jié)合。20