閃存芯片封裝技術(shù)和存儲原理技術(shù)介紹-在線瀏覽
2024-08-24 02:20本頁面
【正文】 ash可以經(jīng)受10萬次的讀寫,因此出現(xiàn)壞Block的幾率較小,因為存儲結(jié)構(gòu)非常簡單,一組電壓即可驅(qū)動,所以其速度表現(xiàn)更好,所以只能在工藝制程方面努力進步,才能滿足用戶在容量方面的要求. MLC（多層式儲存—Multi Leveled Cell）是那種充分利用Block的技術(shù),它采用較高的電壓驅(qū)動,通過不同級別的電壓在一個Block中記錄兩組位信息（00、0110）,這樣就可以將原本SLC的記錄密度理論提升一倍,這對于曾經(jīng)工藝制程遇到瓶頸的NAND Flash而言,、同晶圓面積時理論大一倍的記錄空間外,存在一些先天的弊端,比如說電壓區(qū)間更小,Flash就需要更多的CRC校驗空間,這會大概占據(jù)Block中10%的空間,因此實際使用中同制程同晶圓面積的MLC的容量不到SLC的一倍. 因為電壓變化更頻繁,所以MLC技術(shù)的Flash在壽命方面遠劣于SLC,官方給出的可擦寫次數(shù)僅為1萬次,也就是說一張512MB的USB閃存盤,你寫入512MB的數(shù)據(jù)1萬次（理想狀態(tài)）,它就完
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