【摘要】一、北京地區(qū)集成電路企業(yè)北京華虹NEC集成電路設(shè)計有限公司 北京華虹集成電路設(shè)計有限公司 北京博旭華達(dá)科技有限公司 北京宏思電子技術(shù)有限責(zé)任公司 北京清華同方微電子有限公司 廣州市理惟科技有限公司北京分公司 思略微電子(北京)、上海地區(qū)集成電路設(shè)計企業(yè) 160。1上海集成電路設(shè)計研究中心 2新濤科技(上海)有限公司 3上海華龍信息技
2024-08-10 21:08
【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計時盡可能少用無源元件,尤其是電容
2025-06-21 18:03
【摘要】....生產(chǎn)實(shí)習(xí)課程名稱模擬集成電路設(shè)計實(shí)習(xí)學(xué)生學(xué)院___材料與能源學(xué)院_專業(yè)班級____10微電子2班________學(xué)號3110007483學(xué)生姓名____何俊鑫_____
2024-08-10 05:59
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值(電感、電容耦合,電源
2024-08-25 18:10
【摘要】(市)發(fā)改局、園區(qū)產(chǎn)業(yè)主管部門:根據(jù)國家發(fā)展和改革委員會《關(guān)于印發(fā)國家規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)認(rèn)定管理試行辦法的通知》(發(fā)改高技[2012]2413號)文件和《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》(國發(fā)[2011]4號)文件精神,國家近期將認(rèn)定布局一批重點(diǎn)軟件企業(yè)和集成電路設(shè)計企業(yè)?,F(xiàn)將有關(guān)情況通知如下:一、160。160。160。160。1
2025-03-10 21:03
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-03-01 16:50
【摘要】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-02-24 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【摘要】大連理工大學(xué)電信學(xué)院1CMOS模擬集成電路設(shè)計巢明大連理工大學(xué)電信學(xué)院2課程背景?課程目的:?掌握構(gòu)成CMOS模擬集成電路的基本器件模型?理解運(yùn)算放大器的性能指標(biāo)?能夠正確使用仿真工具進(jìn)行分析,仿真和設(shè)計?了解CMOS集成電路的設(shè)計流程?完成一個兩級運(yùn)算放大器的設(shè)計和仿真
2025-03-07 02:36
【摘要】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗室第五章MOS場效應(yīng)管的特性MOS場效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場效應(yīng)管
2025-02-24 01:55
【摘要】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實(shí)驗地點(diǎn):信息科學(xué)實(shí)驗中心研究生實(shí)驗訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-04-06 06:15
【摘要】第六章集成電路設(shè)計的CAD系統(tǒng)ICCAD系統(tǒng)概述?ICCAD系統(tǒng)的發(fā)展?第一代:60年代末:版圖編輯和檢查?第二代:80年代初:原理圖輸入、邏輯模擬向下?第三代:從RTL級輸入向下,包括行為仿真、行為綜合、邏輯綜合等?流行的CAD系統(tǒng):Cadence,MentorGraphics,Vie
2024-09-11 15:31
【摘要】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計路線,即自工藝開始,先進(jìn)行單元設(shè)計,在精心設(shè)計
2025-06-16 03:20
【摘要】2022/2/4共88頁1Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹2022/2/4共88頁2模擬集成電路的設(shè)計流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(calibre)(spectre)(gdsii
2025-02-24 21:47
【摘要】華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗?室?IC設(shè)計基礎(chǔ)EDAC華僑大學(xué)電子工程電系2022年華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-02-25 15:42