【正文】 電裝置需要用直流電。 可控硅開關(guān)電路可控硅的導通條件：由阻斷到導通必須同時具備兩個條件：可控硅的陽極與陰極之間加正向電壓，控制極與陰極之間加正向觸發(fā)電壓，而可控硅從截至到導通后，觸發(fā)電壓失去了作用。 光控電路電路主要由光敏電阻等其它組成，光敏電阻是一種半導體光電器件。白天光敏電阻呈現(xiàn)低電阻，使電壓衰減很大，從而使三極管截至，電燈不會亮。3 電視機視力保護燈的設(shè)計 單元電路的設(shè)計電路主要由電視機通斷信號拾取器、信號放大器、信號整流器、可控硅開關(guān)、光控電路與電源電路等幾大部分組成。⑴ 變壓器 變壓器是利用電磁感應(yīng)的原理來改變交流電壓的裝置，主要構(gòu)件是初級線圈、次級線圈和鐵芯（磁芯）。本設(shè)計中變壓器的作用是降壓。見圖2： 圖2 變壓器電路圖⑵ 整流橋整流橋是四個二極管（1N4007）組成的全橋電路，主要作用就是通過二極管的單向?qū)ǖ奶匦詫㈦娖皆诹泓c上下浮動的交流電轉(zhuǎn)換為單向脈動的直流電。利用二極管的電流導向作用，在交流輸入電壓U2的正半周內(nèi)，二極管VDVD4導通，VDVD3截止，在負載R上得到上正下負的輸出電壓；在負半周內(nèi)，正好相反，VDVD4截止，VDVD3導通，流過負載R的電流方向與正半周一致。⑶ 三端穩(wěn)壓器LM7812LM7812是一種常見的線性穩(wěn)壓器，具有輸出穩(wěn)定性好、使用方便、輸出過流、過熱自動保護的特點。電路圖如下：圖4 LM7812電路圖CCC7和C8為濾波電容，C5和C7濾除高頻噪音，C6和C8濾除低頻。1 工作原理當電視機打開時，電視機電源線因通電會在周圍產(chǎn)生50Hz的電磁場，電磁線圈L1就拾取這50Hz的交變磁場，從而產(chǎn)生相應(yīng)的電信號由C1輸出。先將鐵芯的一邊剪去，使鐵芯成“U”型，利用線圈原有的骨架。由信號拾取電路拾取的信號，經(jīng)T1和T2組成的兩級三極管放大電路放大后，由C3輸出，電路圖如下圖6所示：圖6 信號放大電路⑵ 元器件的選擇T1和T2可用9013型等硅NPN三極管，β值宜在100～150間。如下圖7所示：圖7 信號整流電路1 元器件的選擇VD5和VD5為1N4148型等硅開關(guān)二極管。廣泛用于信號頻率較高的電路進行單向?qū)ǜ綦x，通訊電腦板，電視機電路及工業(yè)控制電路中常用它。圖8 二倍壓整流電路當Ui負半周時節(jié)，電壓極性如圖所示，VD2導通，VD1截止；C2充電，電流方向和C2上電壓極性如圖所示，C2電壓最大值可達2Ui。 可控硅開關(guān)電路可控硅開關(guān)電路由CRRTRRVT等組成。電路圖如下圖9：圖9 可控硅開關(guān)電路1 元器件的選擇T4可用9013型等硅NPN三極管，β≥200。MCR1008單向可控硅是一種先進的玻璃鈍化芯片、具有靈敏的控制極觸發(fā)電流，通態(tài)壓降低。 其主要參數(shù)如下：電壓Vdrm: 600V額定正向平均電流If: 控制觸發(fā)電流Ig：控制觸發(fā)電壓：工作溫度范圍: 40176。C 光控電路光控電路主要由RRTRRVDVT、R1光敏電阻器R10等組成，白天R10呈現(xiàn)低電阻，使C4兩端直流電壓衰減很大，所以T3將保持截止狀態(tài)，電燈VD7不會被點亮。光控電路如圖10：圖10 光控電路1 元器件選擇R10為MG45型光敏電阻器，其余電阻均用RTX1/8W型碳膜電阻器。電路圖11如下：圖11 電視機保護燈的電路圖⑴ 工作原理電視機通斷信號拾取器和信號放大器分別由電磁線圈L三極管TT1組成。在白天工作時，光敏電阻的阻值會變小，導致T3的左端電壓減小，不足以使三極管T3導通。達到了設(shè)計的目的。在半導體光敏材料兩端裝上電極引線，將其封裝在帶有透明窗的管殼里就構(gòu)成了光敏電阻。構(gòu)成光敏電阻的材料有金屬的硫化物、硒化物、碲化物等半導體。當光敏電阻受到光照時，價帶中的電子吸收光子能量后躍遷到導帶，成為自由電子，同時產(chǎn)生空穴，電子—空穴對的出現(xiàn)使電阻率變小。當光敏電阻兩端加上電壓后，流過光敏電阻的電流隨光照增大而增大。 主要參數(shù)①暗電阻和暗電流：暗電阻是指在不受光照時所測得的電阻值，暗電阻在1至100MΩ之間。②亮電阻和亮電流：亮電阻是指在有光照時所測得的電阻值，實際光敏電阻的亮電阻在幾KΩ以下，此時流過光敏電阻的電流就稱為亮電流。亮電阻與暗電阻之差越大，光敏電阻的靈敏度就越高，其性能越好。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。②去耦去耦，又稱解耦。如果負載電容比較大， 驅(qū)動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候， 電流比較大， 這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產(chǎn)生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就是所謂的“耦合”。將旁路電容和去藕電容結(jié)合起來將更容易理解。高頻旁路電容一般比較小，、 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會增大。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。具體用在濾波中，大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。④儲能儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。根據(jù)不同的電源要求，器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式， 對于功率級超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。③絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻。電容的時間常數(shù)為恰當?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，它等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。 二極管 二極管的工作原理晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。②反向工作峰值電壓URWM：是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。③反向峰值電流IRM：指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是由一個PN結(jié)組成，也具有單向?qū)щ娦?。不同的半導體材料中電子和空穴所處的