【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號(hào)的表達(dá)式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2024-09-15 09:23
【摘要】試卷一答案一、單項(xiàng)選擇題(每空2分,共20分)1、(C)2、(B)3、(D)4、(D)5、(A)6、(D)7、(D)8、(A)9、(C)10、(C)二、填空題(每空1分,共30分)1、互阻放大、互導(dǎo)放大2、摻雜、光照3、Au≤1(或放大倍數(shù)小于等于1,輸出電壓
2025-01-12 11:44
【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第五版第八章作業(yè)題解答湖呵呵
2025-01-01 07:01
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯(cuò)題三、分析與選擇題四、計(jì)算題五、設(shè)計(jì)題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-09-15 08:50
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題:1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場(chǎng)無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-12-29 10:24
【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第四版)華中理工大學(xué)康華光主編制作:安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通,VAO=-6VB:D截止,VAO=-12VC:D1導(dǎo)通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2導(dǎo)通,VAO=-6V習(xí)題習(xí)題解題的原則:先
2025-02-03 09:16
【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第四版)華中理工大學(xué)康華光主編制作:安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通,VAO=-6VB:D截止,VAO=-12VC:D1導(dǎo)通,D2截止,VAO=0VD:D1截止,D2導(dǎo)通,VAO=-6V
2024-11-03 21:57
【摘要】解:正弦波電壓表達(dá)式為,由于,于是得(1)(2)(3)(4)解:(1)方波信號(hào)在電阻上的耗散功率(2)可知直流分量、基波分量、三次諧波分量分別為、、,所以他們?cè)陔娮枭系暮纳⒐β蕿橹绷鞣至浚夯ǚ至浚喝沃C波分量:(3)三個(gè)分量占電阻上總耗散功率的百分比:前三者之和為:所占百分比:解:由圖可知,,所
2024-09-20 20:20
【摘要】試卷二系別學(xué)號(hào)姓名成績(jī)考試課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)考試日期2002年12月12日題號(hào)一二三四五六七八九總分分?jǐn)?shù)得分核分人閱卷人
2025-07-18 12:20
【摘要】1模擬電子技術(shù)習(xí)題答案電工電子教學(xué)部2第一章緒論一、填空題:1.自然界的各種物理量必須首先經(jīng)過傳感器將非電量轉(zhuǎn)換為電量,即電信號(hào)。2.信號(hào)在頻域中表示的圖形或曲線稱為信號(hào)的頻譜。3.通過傅立葉變換可
2025-01-10 06:22
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-09-15 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)自測(cè)題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2024-08-04 23:33
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用第六章負(fù)反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-06-18 06:11
【摘要】1《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》各章習(xí)題2第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)?/span>
2025-01-04 00:49
【摘要】....第1章檢測(cè)題(共100分,120分鐘)一、填空題:(,共25分)1、N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素組成的。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶正電。P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的三價(jià)元素組
2024-08-03 15:22