試談3d封裝通孔集成工藝整裝待發(fā)-在線瀏覽
2025-08-13 07:27本頁面
【正文】 作為引線鍵合的一種替代技術(shù)，形成穿透硅圓片的通孔結(jié)構(gòu)可以大大縮短互連的距離，從而消除了芯片疊層在數(shù)量上的限制。先通孔或后通孔硅片貫穿孔TSV對于3DIC的制造工藝而言至關(guān)重要。在后道工藝所有器件的工藝完成之后再制作通孔，就被稱為“后通孔”。無論采用何種TSV的制作方法都需要合適的通孔制造工藝，為后續(xù)的淀積和電鍍工藝（用以實現(xiàn)電互連）打下基礎(chǔ)。目前一般的硅片貫穿孔TSV的寬度為5100μm，深度為50300μm。圖1顯示了使用Aviza技術(shù)在硅片貫穿孔TSV刻蝕的實例。早期TSV的制造工藝使用的是剖面傾角約為60176。但是隨著進行3D封裝的器件變得愈來愈復(fù)雜，通孔的數(shù)量和密度在不斷增加，通孔剖面的傾角需要達到接近90176。的內(nèi)傾型通孔結(jié)構(gòu)由于在氧化鎘層，電鍍前沉積和后續(xù)淀積工藝中有可能產(chǎn)生由臺階覆蓋性問題，一般已不被人們所接受。數(shù)據(jù)表明，即使是對于內(nèi)傾型通孔結(jié)構(gòu)，也依然可尋找到進行淀積工藝的解決辦法。通孔刻蝕Bosch式DRIE工藝已經(jīng)在MEMS制造過程中使用了多年[2]，該工藝幾乎已經(jīng)成為了MEMS刻蝕的同義詞，也是MEMS制造深硅刻蝕結(jié)構(gòu)的一種成熟方法。對于深度超過20μm垂直剖面通孔的刻蝕，Bosch式DRIE是最佳工藝，它可以獲得良好的控制。在每個刻蝕周期中，通孔刻蝕底部的聚合物將被分解去除，從而暴露下部需要刻蝕的硅。然后再淀積一層聚合物來保護邊墻，使其在下一個刻蝕周期中免遭蝕刻。這些扇貝狀起伏會隨著刻蝕速率的增加而變大。 Aviza的DRIE模塊能夠提供高濃度的反應(yīng)氟原子和聚合物淀積時所需的反應(yīng)氣體。射頻RF透過陶瓷鐘罩耦合產(chǎn)生等離子體，我們對射頻RF耦合的效率進行了電磁場優(yōu)化。靜電夾持盤（ESC）接有獨立的射頻RF源，用來增強離子對圓片的轟擊效果，圖2為該設(shè)備的示意圖。 通孔形成工藝的集成在采用Bosch式的DRIE工藝形成了硅片貫穿孔TSV后，下一步需要在通孔上形成電互連。硅片貫穿孔TSV制造者中
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