【正文】 PPT制作能力子題目1：研制寬帶雙路放大器，要求帶寬30M，增益40dB，輸入阻抗和輸出阻抗為75歐（3人）。（2人+2人）。子題目4：設(shè)計(jì)調(diào)制、解調(diào)電路模塊（3人）。子題目2：設(shè)計(jì)一個(gè)AGC電路，要求增益控制范圍40dB，輸出最大增益60dB。（3人合作完成）子題目4：設(shè)計(jì)一個(gè)單通道信號(hào)采集存儲(chǔ)電路，采樣位數(shù)不低于12位，采樣率100KSPS,存儲(chǔ)深度512KB（4人合作完成）課 程 設(shè) 計(jì) 任 務(wù) 書3．設(shè)計(jì)工作任務(wù)及工作量的要求〔包括課程設(shè)計(jì)計(jì)算說明書(論文)、圖紙、實(shí)物樣品等〕：（1） 要求設(shè)計(jì)組的每個(gè)成員都要了解整個(gè)的大題設(shè)計(jì)要求和思路；（2） 子題目小組的同學(xué)各完成一份設(shè)計(jì)說明書，突出各自的工作內(nèi)容；（3） 要求有正確的仿真結(jié)果及結(jié)果分析；（4） 要有正確的測(cè)試結(jié)果（示波器、頻譜分析儀調(diào)試波形）。二極管環(huán)形混頻器原理及基本組成 15 16 17 17 18三、multisim設(shè)計(jì)及仿真 21 二極管環(huán)形混頻器設(shè)計(jì) 21： 23 25 RLC串聯(lián)濾波器 25 有源帶通濾波器 25 26 方案選擇 28 AD831芯片管腳 29 AD831芯片內(nèi)部原理圖 30 AD831雙電源低功耗供電模式 32四、 Altium Designer繪制PCB板 32 二極管環(huán)形混頻器的原理圖設(shè)計(jì) 32 二極管環(huán)形混頻器的PCB設(shè)計(jì) 33 AD831模擬乘法器芯片實(shí)現(xiàn)混頻電路 33 33 AD831混頻器原理圖繪制及說明 36 AD831混頻器PCB繪制及說明 374 腐蝕電路板 38 39六、電路焊接44一、引言 在當(dāng)今社會(huì)，安全防盜已成為社會(huì)問題，而鎖自古以來就是防盜的重要工具，目前國(guó)內(nèi)大部分人使用的還是傳統(tǒng)的機(jī)械鎖，然而，眼下假冒偽劣的機(jī)械鎖互開率非常之高，此外，即使是一把質(zhì)量過關(guān)的機(jī)械鎖，通過急開鎖，甚至可以在不損壞鎖的前提下將鎖打開。但是這些產(chǎn)品的特點(diǎn)是針對(duì)特定的指紋和有效卡，只能適用于保密要求的箱、柜、門等。鑒于目前的技術(shù)水平與市場(chǎng)的接受程度，鍵盤式電子密碼鎖是這類電子防盜產(chǎn)品的主流。電子密碼鎖是集計(jì)算機(jī)技術(shù)、電子技術(shù)、數(shù)字密碼技術(shù)為一體的機(jī)電一體化高科技產(chǎn)品，具有安全性高，使用方便等優(yōu)點(diǎn)。 電子密碼鎖是一種通過密碼輸入來控制電路或是芯片工作，從而控制機(jī)械開關(guān)的閉合，完成開鎖、閉鎖任務(wù)的電子產(chǎn)品?，F(xiàn)在應(yīng)用較廣的電子密碼鎖是以芯片為核心，通過編程來實(shí)現(xiàn)的。 研究目的與意義第一組：研制寬帶雙路放大器，帶寬30M，增益40dB，輸入阻抗和輸出阻抗為75歐。第三組：構(gòu)建一個(gè)混頻電路，工作帶寬分別30M。各個(gè)小組協(xié)同工作，共同完成射頻電子密碼鎖的設(shè)計(jì)。具有這種功能的電路稱為混頻器（或混頻器）。其中α為信號(hào)頻率量，β為本振頻率量，產(chǎn)生和差頻。檢波后的信號(hào)被視頻放大器進(jìn)行放大，然后顯示出來。當(dāng)本振振蕩器的頻率隨著時(shí)間進(jìn)行掃描時(shí)，屏幕上就顯示出了被測(cè)信號(hào)在不同頻率上的幅度，將不同頻率上信號(hào)的幅度記錄下來，就得到了被測(cè)信號(hào)的頻譜。 研究背景混頻器是微波集成器件中必不可少的部件，在微波通信、雷達(dá)、遙控、遙感、偵查與電子對(duì)抗系統(tǒng)、以及微波測(cè)量系統(tǒng)中，將微波信號(hào)用混頻器降到中低頻進(jìn)行處理。由于變頻獲得的中頻頻率較高，所以對(duì)接收機(jī)中中頻放大、濾波、解調(diào)都提出了更高要求，使整個(gè)接收機(jī)成本較高。綜合以上因素，使這種變頻方式通常只有軍用等特殊場(chǎng)合（如軍用電臺(tái)）得到廣泛應(yīng)用，但在民用級(jí)產(chǎn)品中極少見到。由于下變頻方式的電路簡(jiǎn)單，成本較低，所以被廣泛應(yīng)用于民用設(shè)備和對(duì)性能要求不高的軍用設(shè)備中。下變頻方式最大的缺點(diǎn)是對(duì)鏡像干擾的抑制能力較差。二戰(zhàn)期間，伴隨著雷達(dá)的發(fā)展，微波混頻器有了進(jìn)一步的發(fā)展，直到上世紀(jì)50年代末，系統(tǒng)噪聲系數(shù)才可以達(dá)到7dB。目前，國(guó)內(nèi)外許多科研工作者對(duì)混頻器的理論分析和工程應(yīng)用都做了大量的研究。 1994年，JcanM arc Mourant等人，設(shè)計(jì)了6I8GHz超寬帶鏡像抑制混頻器.. 1995年HwannKaco等人采用缺陷地非對(duì)稱共面波導(dǎo)到共面帶線過渡結(jié)構(gòu).設(shè)計(jì)了超寬帶巴倫，:采用硅肖特基二極管，于11dB。變頻損耗小于10dB. LOIF的隔離度大于30dB. LORF的隔離度大于，. 2009年YoungGun （CPS)過渡巴倫結(jié)構(gòu).設(shè)計(jì)了可以從DC到40GHz的超寬帶巴倫。 .。此平面結(jié)構(gòu)適合MMIC設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)的MMIC變頻損耗在通帶內(nèi)為610dB。. 2008年電子科技大學(xué)電子工程學(xué)院電磁場(chǎng)與微波技術(shù)專業(yè)宣揚(yáng)采用鰭線結(jié)構(gòu)，研究設(shè)計(jì)了“w波段寬帶混頻器”.小于9dB，本振LO到射頻RF端口的隔離度大于25dB。設(shè)計(jì)混頻電路，并測(cè)試其參數(shù)。Pno主要包括信號(hào)源熱噪聲，內(nèi)部損耗電阻熱噪聲，混頻器件電流散彈噪聲及本振相位噪聲。（2）變頻損耗：混頻器的變頻損耗定義為混頻器射頻輸入端口的微波信號(hào)功率與中頻輸出端信號(hào)功率之比。（3）1dB壓縮點(diǎn)：在正常工作情況下，射頻輸入電平遠(yuǎn)低于本振電平，此時(shí)中頻輸出將隨射頻輸入線性變化，當(dāng)射頻電平增加到一定程度時(shí)，中頻輸出隨射頻輸入增加的速度減慢，混頻器出現(xiàn)飽和。對(duì)于結(jié)構(gòu)相同的混頻器，1dB壓縮點(diǎn)取決于本振功率大小和二極管特性，一般比本振功率低6dB。其下限因混頻器的應(yīng)用環(huán)境不同而異，其上限受射頻輸入功率飽和所限，通常對(duì)應(yīng)混頻器的1dB壓縮點(diǎn)。因中頻功率隨輸入功率成正比，當(dāng)微波輸入信號(hào)減小1dB時(shí)，三階交調(diào)信號(hào)抑制比增加2dB。隔離度定義為本振或射頻信號(hào)泄漏到其它端口的功率與輸入功率之比，單位dB。原則上本振功率愈大，動(dòng)態(tài)范圍增大，線性度改善（1dB壓縮點(diǎn)上升，三階交調(diào)系數(shù)改善）。（9）中頻剩余直流偏差電壓：當(dāng)混頻器作鑒相器時(shí)，只有一個(gè)輸入時(shí)，輸出應(yīng)為零。這一剩余直流偏差電壓將影響鑒相精度。 Altium Designer繪制PCB板利用Altium Designer將原理圖繪制成PCB板，并檢測(cè)其電器特性，生成網(wǎng)格報(bào)表。 焊接電路電路板腐蝕好以后即開始焊接電路，焊接的的時(shí)候注意元器件的型號(hào)和