【正文】 數(shù)量多 連接干接點(diǎn)的導(dǎo)線即使長(zhǎng)期短路既不會(huì)損壞本地的控制設(shè)備，也不會(huì)損壞遠(yuǎn)方的設(shè)備 接入容易，接口容易統(tǒng)一 換種說(shuō)法： 干接點(diǎn)：無(wú)源開(kāi)關(guān)；具有閉合和斷開(kāi)的2種狀態(tài)；2個(gè)接點(diǎn)之間沒(méi)有極性，可以互換；濕接點(diǎn)：有源開(kāi)關(guān)；具有有電和無(wú)電的2種狀態(tài)；2個(gè)接點(diǎn)之間有極性，不能反接 干接點(diǎn)是對(duì)濕接點(diǎn)而言，所謂濕接點(diǎn)，是一個(gè)開(kāi)關(guān)加一個(gè)電源，閉合時(shí)有一定電壓，不用檢測(cè)電路提供電流。我們所說(shuō)的干接點(diǎn)通常是指無(wú)源接點(diǎn) 也就是接點(diǎn)不提供電源 對(duì)于此接點(diǎn)來(lái)說(shuō)電源是外供的干接點(diǎn)和濕接點(diǎn)干接點(diǎn)指的是純粹的開(kāi)關(guān)，就像一個(gè)繼電器接點(diǎn)或手動(dòng)的開(kāi)關(guān)。濕接點(diǎn)指的是串聯(lián)了電源的干接點(diǎn)。干接點(diǎn)和濕接點(diǎn)的定義、使用場(chǎng)合和調(diào)理方法 干接點(diǎn)好像是俗稱，但是，實(shí)際上，在工業(yè)控制領(lǐng)域中，已經(jīng)是一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的名詞了。 濕接點(diǎn)的定義是：有源開(kāi)關(guān)；具有有電和無(wú)電的2種狀態(tài)；2個(gè)接點(diǎn)之間有極性，不能反接； 常見(jiàn)的濕接點(diǎn)信號(hào)有： 如果把以上的干接點(diǎn)信號(hào)，接上電源，再跟電源的另外一極，作為輸出，就是濕接點(diǎn)信號(hào)；工業(yè)控制上，常用的濕接點(diǎn)的電壓范圍是DC0～30V，比較標(biāo)準(zhǔn)的是DC24V；AC110～220V的輸出也可以是濕接點(diǎn)，盡管這樣做比較少； 把TTL電平輸出作為濕接點(diǎn)，也未嘗不可；一般情況下，TTL電平需要帶緩沖輸出的，例如：74024244等，與VCC等構(gòu)成回路；24245也可以跟gnd構(gòu)成回路；才能驅(qū)動(dòng)遠(yuǎn)方的光耦。 干接點(diǎn)的接入光耦，順序如下： VCC －》限流電阻 －》光耦LED －》干接點(diǎn)1 －》 干接點(diǎn)2 －》GND 也可以： VCC －》干接點(diǎn)1 －》 干接點(diǎn)2 －》限流電阻 －》光耦LED －》GND 濕接點(diǎn)的接入光耦，順序如下：濕接點(diǎn)1 －》限流電阻 －》光耦LED －》 濕接點(diǎn)2 濕接點(diǎn)如果是DC電源，如果濕接點(diǎn)1和2反了，顯然打不開(kāi)光耦； 濕接點(diǎn)如果是AC電源，可以相反； 舉一個(gè)研華的8路繼電器輸出及8路隔離數(shù)字量輸入卡PCI1760的例子說(shuō)明干接點(diǎn)和濕接點(diǎn)已經(jīng)是標(biāo)準(zhǔn)的名詞了。它有8路光隔離數(shù)字量輸入，在噪聲環(huán)境下為采集數(shù)字量輸入提供2500VDC的隔離保護(hù)；它帶有8個(gè)繼電器，可以用作開(kāi)關(guān)控制式小型電源斷路開(kāi)關(guān)。為了便于監(jiān)控，每個(gè)繼電器都配有一個(gè)紅色的LED指示燈，用來(lái)顯示器開(kāi)/關(guān)狀態(tài)。 ” 參見(jiàn)下圖：注意： PCI1760上有一個(gè)DC/DC的模塊，模塊的輸出給干接點(diǎn)提供與PC隔離的電源； 采用跳線選擇干接點(diǎn)還是濕接點(diǎn)輸入； 二、 模擬信號(hào)視頻 非平衡信號(hào)與平衡信號(hào)模擬信號(hào)在傳輸過(guò)程中，如果被直接傳送就是非平衡信號(hào)，如果把信號(hào)反相，然后同時(shí)傳送反相的信號(hào)和原始信號(hào)，就叫做平衡信號(hào)，平衡信號(hào)送入差動(dòng)放大器，原信號(hào)和反相位信號(hào)相減，得到加強(qiáng)的原始信號(hào)，由于在傳送中，兩條線路受到的干擾差不多，在相減的過(guò)程中，減掉了一樣的干擾信號(hào)，因此更加抗干擾。所以平衡線路只需要在輸入輸出信號(hào)增加一個(gè)差動(dòng)放大器就可以實(shí)現(xiàn)。主頻從幾兆到今天的400MHz以上，接近GHz。半導(dǎo)體制造技術(shù)的規(guī)模由SSI、MSI、LSI、VLSI達(dá)到 ULSI。這一切真是一個(gè)翻天覆地的變化。但談到CPU和其他大規(guī)模集成電路的封裝，知道的人未必很多。因此，封裝對(duì)CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用。 芯片的封裝技術(shù)已經(jīng)歷了好幾代的變遷，從DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技術(shù)指標(biāo)一代比一代先進(jìn)，包括芯片面積與封裝面積之比越來(lái)越接近于1，適用頻率越來(lái)越高，耐溫性能越來(lái)越好，引腳數(shù)增多，引腳間距減小，重量減小，可靠性提高，使用更加方便等等。 一、DIP封裝 70年代流行的是雙列直插封裝，簡(jiǎn)稱DIP(Dual Inline Package)。 (圖1)易于對(duì)PCB布線。 DIP封裝結(jié)構(gòu)形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP，單層陶瓷雙列直插式DIP，引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封結(jié)構(gòu)式，陶瓷低熔玻璃封裝式)，如圖2所示。以采用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例，其芯片面積/封裝面積=33/50=1：86,離1相差很遠(yuǎn)。 Intel公司這期間的CPU如80880286都采用PDIP封裝。 ，208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例，外形尺寸2828mm，芯片尺寸1010mm，則芯片面積/封裝面積=1010/2828=1：，由此可見(jiàn)QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。 ，寄生參數(shù)減小，適合高頻應(yīng)用。 。 三、BGA封裝 90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用，LSI、VLSI、ULSI相繼出現(xiàn)，硅單芯片集成度不斷提高，對(duì)集成電路封裝要求更加嚴(yán)格，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大。如圖6所示。其特點(diǎn)有: ，但引腳間距遠(yuǎn)大于QFP，從而提高了組裝成品率。 ，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高。 、PGA一樣，占用基板面積過(guò)大。 四、面向未來(lái)的新的封裝技術(shù) BGA封裝比QFP先進(jìn)，更比PGA好，但它的芯片面積/封裝面積的比值仍很低。 1994年9月日本三菱電氣研究出一種芯片面積/封裝面積=1:，其封裝外形尺寸只比裸芯片大一點(diǎn)點(diǎn)。CSP封裝具有以下特點(diǎn): 。 ，延遲時(shí)間縮小到極短。由這種想法產(chǎn)生出多芯片組件MCM(Multi Chip Model)。MCM的特點(diǎn)有: ，易于實(shí)現(xiàn)組件高速化。 。進(jìn)一步又產(chǎn)生另一種想法:把多種芯片的電路集成在一個(gè)大圓片上，從而又導(dǎo)致了封裝由單個(gè)小芯片級(jí)轉(zhuǎn)向硅圓片級(jí)(wafer level)封裝的變革，由此引出系統(tǒng)級(jí)芯片SOC(System On Chip)和電腦級(jí)芯片PCOC(PC On Chip)。 芯片封裝形式 封裝形式是指安裝半導(dǎo)體集成電路芯片用的外殼。衡量一個(gè)芯片封裝技術(shù)先進(jìn)與否的重要指標(biāo)是芯片面積與封裝面積之比，這個(gè)比值越接近1越好。 DIPDouble Inline Package雙列直插式封裝。DIP是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。 SOPSmall Outline Package1968～1969年菲為浦公司就開(kāi)發(fā)出小外形封裝（SOP）。 7407TTL集電極開(kāi)路六正相驅(qū)動(dòng)器 7404TTL集電極開(kāi)路六反相驅(qū)動(dòng)器 7400雙路輸入四與非門 74LS573雙路輸入四與非門 ULN2003 74LS244 74LS240 74LS245 74LS138/2381 CPLD(EPM7128)1 11611 max6911 max485/751761 mc14891 mc14881 ICL232/max2321 89C51四、 分立器件相對(duì)于微機(jī)型的成套電子設(shè)備而言的。主要是以電阻、電容、線圈乃至更老的晶體管器件所組成的。是以集成芯片為主的，其精度和運(yùn)行的可靠性大大增強(qiáng)了 封裝 電阻：功耗和容值 電容1) 獨(dú)石電容 2) 瓷片電容 3) 電解電容【電容專題】什么是CBB電容，獨(dú)石電容，電解電容？聚酯（滌綸）電容（CL） 電容量：40p4u 額定電壓：63630V 主要特點(diǎn)：小體積，大容量，耐熱耐濕，穩(wěn)定性差 應(yīng)用：對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求不高的低頻電路聚苯乙烯電容（CB） 電容量：10p1u 額定電壓：100V30KV 主要特點(diǎn)：穩(wěn)定，低損耗，體積較大 應(yīng)用：對(duì)穩(wěn)定性和損耗要求較高的電路聚丙烯電容（CBB） 電容量：1000p10u 額定電壓：632000V 主要特點(diǎn)：性能與聚苯相似但體積小，穩(wěn)定性略差 應(yīng)用：代替大部分聚苯或云母電容，用于要求較高的電路云母電容（CY） 電容量：10p0。322p 主要特點(diǎn)：損耗較小，體積較小 應(yīng)用：精密調(diào)諧的高頻振蕩回路1獨(dú)石電容容量范圍： 耐壓：二倍額定電壓 主要特點(diǎn)：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定，耐高溫耐濕性好,溫度系數(shù)很高應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于電子精密儀器,各種小型電子設(shè)備作諧振、耦合、濾波、旁路。1鋁電解電容 電容量： 額定電壓： 主要特點(diǎn)：體積小，容量大，損耗大，漏電大 應(yīng)用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等1鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN） 電容量： 額定電壓： 主要特點(diǎn)：損耗、漏電小于鋁電解電容 應(yīng)用：在要求高的電路中代替鋁電解電容摘錄電解電容廠家的“鋁電解電容器適用指南”如下： （1）鋁電解電容分正負(fù)極，不得加反向電壓和交流電壓，對(duì)可能出現(xiàn)反向電壓的地方應(yīng)使用無(wú)極性電容。 （3）不應(yīng)使用過(guò)載電壓 （4）流電壓與紋波電壓疊加后的峰值電壓低于額定值。 （6）設(shè)計(jì)電路板時(shí)，應(yīng)注意電容防爆閥上端不得有任何線路，并應(yīng)留出2mm以上的空隙。當(dāng)電解液與pc板接觸時(shí)，可能腐蝕pc板上的線路。因此在電解電容下面不應(yīng)有任何線路。① 鋁電解電容與鉭電解電容 鋁電解電容的容體比較大，串聯(lián)電阻較大，感抗較大，對(duì)溫度敏感。鋁電解電容具有極性，安裝時(shí)必須保證正確的極性，否則有爆炸的危險(xiǎn)。但是，它的工作電壓較低。它適用于電容量不大、工作頻率不高（如1MHz以下）的場(chǎng)合，可用于低頻濾波和旁路。 ③ 云母和陶瓷電容 其容體比很小，串聯(lián)電阻小，電感值小，頻率/容量特性穩(wěn)定。但這類電容承受瞬態(tài)高壓脈沖能力較弱，因此不能將它隨便跨接在低阻電源線上，除非是特殊設(shè)計(jì)的。它適用于要求頻率穩(wěn)定性高的場(chǎng)合，可用于高頻濾波、旁路、去耦。就價(jià)格而言，鉭,鈮電容最貴,獨(dú)石,CBB較便宜,瓷片最低,，價(jià)格也稍貴。無(wú)2層聚丙乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。 體積小，耐壓高，價(jià)格低，頻率高（有一種是高頻電容）易碎！容量低CBB電容無(wú)2層聚乙烯塑料和2層金屬箔交替夾雜然后捆綁而成。有感，高頻特性好不適合做大容量，價(jià)格比較高，耐熱性能較差電解電容有兩片鋁帶和兩層絕緣膜相互層疊，轉(zhuǎn)捆后浸泡在電解液（含酸性的合成溶液）中。 穩(wěn)定性好，容量大，高頻特性好造價(jià)高（一般用于關(guān)鍵地方） 電感在電路中，當(dāng)電流流過(guò)導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)，電磁場(chǎng)的大小除以電流的大小就是電感， 電感的定義是L=phi/i, 單位是韋伯 電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應(yīng)能力的物理量。通入線圈的電源越大，磁場(chǎng)就越強(qiáng)，通過(guò)線圈的磁通量就越大。如果通過(guò)線圈的磁通量用φ表示，電流用I表示，電感用L表示，那么L＝ φ／I 電感的單位是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）做單位。 電感只能對(duì)非穩(wěn)恒電流起作用，它的特點(diǎn)兩端電壓正比于通過(guò)他的電流的瞬時(shí)變化率（導(dǎo)數(shù)），比例系數(shù)就是它的“自感” 電感起作用的原因是它在通過(guò)非穩(wěn)恒電流時(shí)產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)，而這個(gè)磁場(chǎng)又會(huì)反過(guò)來(lái)影響電流，所以，這么說(shuō)來(lái)，任何一個(gè)導(dǎo)體，只要它通過(guò)非穩(wěn)恒電流，就會(huì)產(chǎn)生變化的磁場(chǎng)，就會(huì)反過(guò)來(lái)影響電流，所以任何導(dǎo)體都會(huì)有自感現(xiàn)象產(chǎn)生 在主板上可以看到很多銅線纏繞的線圈，這個(gè)線圈就叫電感，電感主要分為磁心電感和空心電感兩種，磁心電感電感量大常用在濾波電路，空心電感電感量較小，常用于高頻電路。電感的特性是通直流、阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。另外，人們還利用電感的特性，制造了阻流圈、變壓器、繼電器等。按照工作性質(zhì)，電感器可分為高頻電感器(各種天線線圈、振蕩線圈)和低頻電感器(各種扼流圈、濾波線圈等)。按照電感量，電感器可分為固定電感器和可調(diào)電感器。關(guān)鍵詞：串行AD。SPI總線芯片介紹　　MAX1241是低功耗,12位串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器,共有8個(gè)管腳,工作電壓為+～+,片上自備時(shí)鐘及采樣保持電路。關(guān)閉模式也可以降低功耗,但這時(shí)傳輸速率也會(huì)降低。　　MAX1241具有一個(gè)3線連續(xù)接口,直接與微控制器的I/O口相連,并與SPI和MICROWIRE接口相兼容。SCLK的下降沿輸出數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)位為先高后低依次出現(xiàn)。　　當(dāng)把MAX1241的模式控制端SHDN置低時(shí),芯片處于關(guān)閉模式或稱休眠模式,此時(shí)工作電流低于15μA,置高后,它能在4μs內(nèi)從休眠狀態(tài)轉(zhuǎn)到工作狀態(tài)。轉(zhuǎn)化過(guò)程　　在開(kāi)始加電20ms內(nèi)不要有任何轉(zhuǎn)換工作。在CS的下降沿,采樣保持電路進(jìn)入保持狀態(tài),而且轉(zhuǎn)化正式開(kāi)始,經(jīng)過(guò)一段內(nèi)部轉(zhuǎn)化時(shí)間后,轉(zhuǎn)化結(jié)束的標(biāo)志是Dout信號(hào)置高。操作過(guò)程　　● 使用CPU上的一個(gè)通用I/O接口去拉低CS,保持SCLK低電平。　　● 轉(zhuǎn)換結(jié)束后,在SCLK的下降沿開(kāi)始DOUT數(shù)據(jù)輸出?！　　?在開(kāi)始一次新的轉(zhuǎn)換之前,等待最小規(guī)定時(shí)間tcs,這期間CS應(yīng)為高電平。CS必須在所有數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換結(jié)束前一直保持低電平?！　AX539是12位串行DA轉(zhuǎn)換芯片,其使用方法與MAX1241大致相同,接口標(biāo)準(zhǔn)也符合SPI總線標(biāo)準(zhǔn),MAX539的內(nèi)部增益為2,因此其輸入與輸出的關(guān)系如下表所示,應(yīng)用電路如圖3所示。它內(nèi)含硬件動(dòng)態(tài)掃描顯示控制,每枚芯片可驅(qū)動(dòng)８?jìng)€(gè)ＬＥＤ數(shù)碼管。當(dāng)多片ＭＡＸ７２１９級(jí)聯(lián)時(shí),可控制更多的ＬＥＤ。當(dāng)然,也完全可以將ＭＡＸ７２１９的一部分用于條形圖顯示,一部分用于其他顯示（如數(shù)字和字母等）。２）譯碼方式寄存器：它決定數(shù)位寄存器的譯碼方式,它的每一位對(duì)應(yīng)一個(gè)數(shù)位。０表示不譯方式。當(dāng)用于驅(qū)動(dòng)條形圖顯示器時(shí),應(yīng)設(shè)置為不譯碼方式。該寄存器的Ｄ２～Ｄ０（低三位）指定要掃描的位數(shù),支持０～７位,各數(shù)位均以１．３ｋＨｚ的掃描頻率被分路驅(qū)動(dòng)。Ｄ３～Ｄ０取值可從００００～１１１１,對(duì)應(yīng)電流占空比則從１／３２變化到３１／３２,共１６級(jí),Ｄ３～Ｄ０的值越大,ＬＥＤ顯示越亮。 ５）顯示測(cè)試寄存器：它用來(lái)檢測(cè)外掛ＬＥＤ數(shù)碼管各段的好壞。若Ｄ０為０,則處于正常工作狀態(tài)。６）關(guān)斷寄存器：用于關(guān)斷所有顯示器。當(dāng)Ｄ０設(shè)置為１時(shí)