【正文】 C”. 電容器的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。 直標(biāo)法是將電容的標(biāo)稱值用數(shù)字和單位在電容的本體上表示出來：如：220MF表示220UF；.；。 ,一般為PF,:3表示3PF。c。224表示22*104=d: 電容器的色標(biāo)法與電阻相同。 電容的分類:,是有正負(fù)極之分. 電容器的主要性能指標(biāo)是: 電容器的容量(即儲存電荷的容量),耐壓值(指在額定溫度范圍內(nèi)電容能長時(shí)間可靠工作的最大直流電壓或最大交流電壓的有效值)耐溫值(表示電容所能承受的最高工作溫度。電容器的計(jì)算： C1 c2 ~~～ c1 c2 串連： 并聯(lián)： 1/C=1/C1+1/C2 C=C1+C2 多個(gè)電容的串聯(lián)和并聯(lián)計(jì)算公式: C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CN C并C=C1+C2+C3+……+CN 電容器的好壞測量a。表針停下來所指示的阻值為該電容的漏電電阻，此阻值愈大愈好，最好應(yīng)接近無窮大處。表針向右擺動的角度越大（表針還應(yīng)該向左回?cái)[），說明這一電解電容的電容量也越大，反之說明容量越小。用萬用表Ｒ１擋，電路斷開后，先放掉殘存在電容器內(nèi)的電荷。如果表針向右偏轉(zhuǎn)后所指示的阻值很?。ń咏搪罚f明電容器嚴(yán)重漏電或已擊穿。c．線路上通電狀態(tài)時(shí)檢測,若懷疑電解電容只在通電狀態(tài)下才存在擊穿故障，可以給電路通電，然后用萬用表直流擋測量該電容器兩端的直流電壓，如果電壓很低或?yàn)椋埃?，則是該電容器已擊穿。對換萬用表筆測兩次，以漏電大（電阻值小）的一次為準(zhǔn)，黑表筆所接一腳為負(fù)極，另一腳為正極。 電感器的作用：濾波，陷波，振蕩，儲存磁能等。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。如：棕、黑、金、金表示1uH（誤差5%）的電感。 穩(wěn)壓二極管 發(fā)光二極管 光電二極管 變?nèi)荻O管 半導(dǎo)體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號為5的半導(dǎo)體二極管。硅二極管在兩極加上電壓,. B。 半導(dǎo)體二極管可分為整流、檢波、發(fā)光、光電、變?nèi)莸茸饔?。目視法判斷半?dǎo)體二極管的極性:,另外一端是正極. b。測試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。變?nèi)荻O管在無繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上，實(shí)現(xiàn)低頻信號調(diào)制到高頻信號上，并發(fā)射出去。 變?nèi)荻O管發(fā)生故障，主要表現(xiàn)為漏電或性能變差：（1）發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號的變?nèi)荻O管。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。）見圖三. 圖三 硅和鍺管的伏安特性曲線 半導(dǎo)體二極管的好壞判別:用萬用表(指針表)R﹡100或R﹡1K檔測量二極管的正,反向電阻要求在1K左右,正向電阻越小,說明二極管內(nèi)部斷路,若反向電阻為零,表明二極管以擊穿,內(nèi)部斷開或擊穿的二極管均不能使用。：半導(dǎo)體三極管（簡稱晶體管）是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。按材料來分 可分硅和鍺管，我國目前生產(chǎn)的硅管多為NPN型，鍺管多為PNP型。 半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù) a。即β=ΔIc/ΔIb。極間反向電流，集電極與基極的反向飽和電流。極限參數(shù)：反向擊穿電壓，集電極最大允許電流、集電極最大允許功率損耗。飽和和截止?fàn)顟B(tài)一般合用在數(shù)字電路中。半導(dǎo)體三極管的三種基本的放大電路。共射極放大電路共集電極放大電路共基極放大電路電路形式直流通道靜態(tài)工作點(diǎn)交流通道微變等效電路riRb//rberoRCRC用途多級放大電路的中間級輸入、輸出級或緩沖級高頻電路或恒流源電路b。注：交流信號從基極輸入，集電極輸出，那發(fā)射極就叫公共極。交流信號從發(fā)射極輸入，集電極輸出，那基極就叫公共極。先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b。c。d。 這里推薦三種方法：第一種方法：對于有測三極管hFE插孔的指針表，先測出b極后，將三極管隨意插到插孔中去（當(dāng)然b極是可以插準(zhǔn)確的），測一下hFE值，b。第二種方法：對無hFE測量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法：對NPN管，先測出b極（管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出，是吧？），將表置于R1kΩ檔，將紅表筆接假設(shè)的e極（注意拿紅表筆的手不要碰到表筆尖或管腳），黑表筆接假設(shè)的c極，同時(shí)用手指捏住表筆尖及這個(gè)管腳，將管子拿起來，用你的舌尖舔一下b極，看表頭指針應(yīng)有一定的偏轉(zhuǎn)，如果你各表筆接得正確，指針偏轉(zhuǎn)會大些，如果接得不對，指針偏轉(zhuǎn)會小些，差別是很明顯的。對PNP管，要將黑表筆接假設(shè)的e極（手不要碰到筆尖或管腳），紅表筆接假設(shè)的c極，同時(shí)用手指捏住表筆尖及這個(gè)管腳，然后用舌尖舔一下b極，如果各表筆接得正確，表頭指針會偏轉(zhuǎn)得比較大。這個(gè)方法適用于所有外形的三極管，方便實(shí)用。c。由此也可以判定三極管的c、e極。 對于常見的進(jìn)口型號的大功率塑封管，其c極基本都是在中間（我還沒見過b在中間的）。比如常用的9014三極管及其系列的其它型號三極管、2SC1812N5402N5551等三極管，其b極有的在就中間。所以在維修更換三極管時(shí)，尤其是這些小功率三極管，不可拿來就按原樣直接安上，一定要先測一下. 半導(dǎo)體三極管的分類：a。按功率分：小功率管，中功率管和的功率管 c。按材質(zhì)分：硅管和鍺管 e。 IC(mA) IB(mA) 80μA 4 飽UCE=0V 1V 和 放大區(qū) 60μA 3 區(qū) ΔIC ΔIB 40μA 2 20μA 1 0 UBE(V) IB=0μA 截止區(qū)輸入特性曲線 0 2 4 6 8 UCE(V)輸出特性曲線三極管各區(qū)的工作條件：1． 放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏：2． 飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；3． 截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位 b。測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反向電阻值:將黑表筆接基極,紅表筆分別接發(fā)射極與集電極,所測得阻值分別為發(fā)射極和集電極的反向電阻,反向電阻愈小愈好.d。：具有較高輸入電阻高、輸入電流低于零，幾乎不要向信號源吸取電流，在在基極注入電流的大小，直接影響集電極電流的大小，利用輸出電流控制輸出電源的半導(dǎo)體。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。被稱之為雙極型器件。 （4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管 場效應(yīng)管好壞與極性判別:將萬用表的量程選擇在RX1K檔,用黑表筆接D極,紅表筆接S極,用手同時(shí)觸及一下G,D極,場效應(yīng)管應(yīng)呈瞬時(shí)導(dǎo)通狀態(tài),即表針擺向阻值較小的位置,再用手觸及一下G,S極, 場效應(yīng)管應(yīng)無反應(yīng),. 將萬用表的量程選擇在RX1K檔,分別測量場效應(yīng)管三個(gè)管腳之間的電阻阻值,若某腳與其他兩腳之間的電阻值均為無窮大時(shí),并且再交換表筆后仍為無窮大時(shí),則此腳為G極,交換表筆后再測量一次,其中阻值較小的一次,黑表筆接的是S極,紅表筆接的是D極. 第七節(jié) 集成電路 集成電路的英文縮寫 IC(integrate circuit) 電路中的表示符號: U :集成電路是在一塊單晶硅上,用光刻法制作出很多三極管,二極管,電阻和電容,并按照特定的要求把他們連接起來,重量輕,可靠性高和性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn),所以特別是大規(guī)模和超大規(guī)模的集成電路的出現(xiàn),是電子設(shè)備在微型化,可靠性和靈活性方面向前推進(jìn)了一大步. 集成電路常見的封裝形式 BGA(ball grid array)球柵陣列(封裝) 見圖二 QFP(quad flat package)四面有鷗翼型腳(封裝) 見圖一 SOIC(small outline integrated circuit) 兩面有鷗翼型腳(封裝) 見圖