【正文】 切線的斜率的倒數(shù)　　三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS　　由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化　　場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小第十三節(jié) 單元電路13．1 CMOS反相器　　由本書(shū)模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類(lèi)?！　∈紫瓤紤]兩種極限情況：當(dāng)vI處于邏輯0時(shí) ，相應(yīng)的電壓近似為0V；而當(dāng)vI處于邏輯1時(shí)，相應(yīng)的電壓近似為VDD。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，疊加一條負(fù)載線，它是負(fù)載管TP在 vSGP=0V時(shí)的輸出特性iD－vSD。這就是說(shuō)，電路的功耗很?。ㄎ⑼吡考?jí)）　　下圖分析了另一種極限情況，此時(shí)對(duì)應(yīng)于vI＝0V。 　　由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近于零或+VDD，而功耗幾乎為零。考慮到電路是互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)的，一器件可將另一器件視為它的漏極負(fù)載?！　MOS反相器在電容負(fù)載情況下，它的開(kāi)通時(shí)間與關(guān)閉時(shí)間是相等的，這是因?yàn)殡娐肪哂谢パa(bǔ)對(duì)稱(chēng)的性質(zhì)。CMOS反相器的平均傳輸延遲時(shí)間約為10ns?！　∫虼?，這種電路具有與非的邏輯功能，即　　n個(gè)輸入端的與非門(mén)必須有n個(gè)NMOS管串聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)?！　∫虼?，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達(dá)式為顯然，n個(gè)輸入端的或非門(mén)必須有n個(gè)NMOS管并聯(lián)和n個(gè)PMOS管并聯(lián)。它由一級(jí)或非門(mén)和一級(jí)與或非門(mén)組成。13．4 BiCMOS門(mén)電路　　雙極型CMOS或BiCMOS的特點(diǎn)在于，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優(yōu)勢(shì)，因而這種邏輯門(mén)電路受到用戶的重視 上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見(jiàn)，MOSFET用符號(hào)M表示BJT用T表示。當(dāng)vI為高電壓時(shí)MN導(dǎo)通而MP截止；而當(dāng)vI為低電壓時(shí),情況則相反，Mp導(dǎo)通，MN截止。當(dāng)vI為高電壓時(shí)M1導(dǎo)通，T1基區(qū)的存儲(chǔ)電荷迅速消散。根據(jù)前述的CMOS門(mén)電路的結(jié)構(gòu)和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)或非門(mén)和與非門(mén)。與此同時(shí)，M1通過(guò)MPA和MpB被VDD所激勵(lì)，從而為T(mén)2的基區(qū)存儲(chǔ)電荷提供一條釋放通路。13．CMOS傳輸門(mén)MOSFET的輸出特性在原點(diǎn)附近呈線性對(duì)稱(chēng)關(guān)系，因而它們常用作模擬開(kāi)關(guān)。CMOS傳輸門(mén)由一個(gè)P溝道和一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET并聯(lián)而成，如上圖所示。兩管的柵極由互補(bǔ)的信號(hào)電壓（+5V和5V）來(lái)控制，分別用Ｃ和表示?！　槭归_(kāi)關(guān)接通，可將C端接高電壓+5V。進(jìn)一步分析還可看到，一管導(dǎo)通的程度愈深，另一管的導(dǎo)通程度則相應(yīng)地減小?！　≡谡９ぷ鲿r(shí)，模擬開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻值約為數(shù)百歐，當(dāng)它與輸入阻抗為兆歐級(jí)的運(yùn)放串接時(shí)，可以忽略不計(jì)。我們?cè)诜糯笃鬏斎攵说幕鶚O施加一個(gè)信號(hào)電壓VI，設(shè)某一瞬時(shí)該信號(hào)的極性為正信號(hào)，用(+)表示，經(jīng)三極管V的集電極倒相后變?yōu)樨?fù)信號(hào)，用(一)來(lái)表示。注意：若反饋信號(hào)取自輸出電壓信號(hào)，則稱(chēng)為電壓反饋；若反饋信號(hào)取自輸出電流信號(hào)，則稱(chēng)為電流反饋。13．10．振蕩電路電感三點(diǎn)式振蕩器考慮LL2間的互感，電路的振蕩頻率可近似表示為　　　　電容三點(diǎn)式振蕩器振蕩頻率：41 / 41。具體方法是：若將負(fù)載電阻 R L 短路，如果反饋?zhàn)饔孟В瑒t為電壓反饋；如果反饋?zhàn)饔么嬖?，則為電流反饋。4． 負(fù)反饋放大電路的四種類(lèi)型：A電壓串聯(lián)負(fù)反饋 B 電壓并聯(lián)負(fù)反饋C電流串聯(lián)負(fù)反饋 D電流并聯(lián)負(fù)反饋13．9 放大電路三種基本組態(tài)的放大電路圖： 　共發(fā)射極放大電路 共基極放大電路 共集電極放大電路注意：放大電路共發(fā)射極時(shí)，Ai和Au都比較大，但是輸出電壓和輸入電壓的相位相反；共基極時(shí)，Ai比較大，但是Au較小，輸出電壓與輸入電壓同相，并且具有跟隨關(guān)系，它可作為輸入級(jí)，輸出級(jí)或起隔離作用的中間級(jí)；共集電極時(shí)，Ai較小，Au較大，輸出電壓與輸入電壓同相，多用于寬頻帶放大等。13．6 整流電路橋式整流電路13．7濾波電路(a) C型濾波電路 (b) 倒L型濾波電路 (c) Ⅱ型濾波電路 圖1 （3）幾種常見(jiàn)的橋式整流濾波電路： A 電容濾波電路： B電感濾波電路 13．8．反饋電路1．正反饋：是指反饋回來(lái)的信號(hào)增強(qiáng)輸入信號(hào)（常用與振蕩電路）； 負(fù)反饋：是指反饋回來(lái)的信號(hào)削弱原輸入信號(hào)（用與放大電路）。由于兩管系并聯(lián)運(yùn)行，可近似地認(rèn)為開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻近似為一常數(shù)。同時(shí)TP的棚壓為5V ，vI在3V到+5V的范圍內(nèi)TP將導(dǎo)通。同時(shí),TP的柵壓為+5V，TP亦不導(dǎo)通。設(shè)它們的開(kāi)啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號(hào)的變化范圍為5V到+5V 。下面著重介紹CMOS傳輸門(mén)。同時(shí)，M1A或M1B為T(mén)1的基極存儲(chǔ)電荷提供一條釋放道路。正如下圖所示的2輸入端或非門(mén)。同理 ，當(dāng)vI為低電壓時(shí)，電源電壓VDD通過(guò)MP以激勵(lì)M2使M2導(dǎo)通，顯然T2基區(qū)的存儲(chǔ)電荷通過(guò)M2而消散。同理，已充電的電容負(fù)載也能迅速地通過(guò)T2放電。而Mp、MN、MM2所組成的輸入級(jí)與基本的CMOS反相器很相似。而與或非門(mén)的輸出L即為輸入A、B的異或 如在異或門(mén)的后面增加一級(jí)反相器就構(gòu)成異或非門(mén)，由于具有的功能，因而稱(chēng)為同或門(mén)。因而或非門(mén)用得較多。其中包括兩個(gè)并聯(lián)的N溝道增強(qiáng)型MOS管和兩個(gè)串聯(lián)的P溝道增強(qiáng)型MOS管。每個(gè)輸入端連到一個(gè)N溝道和一個(gè)P溝道MOS管的柵極。由于CMOS反相器中，兩管的gm值均設(shè)計(jì)得較大，其導(dǎo)通電阻較小，充電回路的時(shí)間常數(shù)較小。因此，在過(guò)渡區(qū)域，傳輸特性變化比較急劇。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=2V。由圖可知，工作點(diǎn)決定了VO＝VOH≈VDD；通過(guò)兩器件的電流接近零值 。兩條曲線的交點(diǎn)即工作點(diǎn)。但是，由于電路是互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)的，這種假設(shè)可以是任意的，相反的情況亦將導(dǎo)致相同的結(jié)果?！　∠聢D表示CMOS反相器電路，由兩只增強(qiáng)型MOSFET組成，其中一個(gè)為N溝道結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為P溝道結(jié)構(gòu)。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小　　～1pF之間8. 低頻噪聲系數(shù)NF　　由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似　　是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)　　在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。3. 漏源擊穿電壓BVDS　　2. 直流輸入電阻RGS　　MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：　　此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。最早的TTL門(mén)電路是74系列，后來(lái)出現(xiàn)了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。 ，輸出即刻就會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，即抗干擾性能較差。從另外一個(gè)角度來(lái)說(shuō)，正因?yàn)镽端和S端完成置0、置1都是低電平有效，所以二者不能同時(shí)為0。由于置0或置1都是觸發(fā)信號(hào)低電平有效，因此，S端和R端都畫(huà)有小圓圈。這里所加的輸入信號(hào)（低電平）稱(chēng)為觸發(fā)信號(hào)，由它們導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱(chēng)為翻轉(zhuǎn)。因置位的決定條件是S=0,故稱(chēng)S 端為置1端。一般規(guī)定觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。它有兩個(gè)輸入端R、S和兩個(gè)輸出端Q、Q。 Slot是一種插槽封裝形式,是一種長(zhǎng)方形的插槽(圖七). 圖六 圖七第九節(jié) PCB的簡(jiǎn)介 PCB的英文縮寫(xiě)PCB(Printed Circuit Board) PCB的作用:PCB作為一塊基板,他是裝載其它電子元器件的載體,所以一塊PCB設(shè)計(jì)的好壞將直接影響到產(chǎn)品質(zhì)量的好壞. PCB的分類(lèi)和常見(jiàn)的規(guī)格:根據(jù)層數(shù)可分為單面板,而顯示卡用的是8層板. 而主機(jī)板的尺寸為:AT規(guī)格的主機(jī)板尺寸一般為13X12(單位為英寸)。 1．非在線測(cè)量 非在線測(cè)量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過(guò)測(cè)量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號(hào)集成電路各引腳之間的直流電阻值進(jìn)行對(duì)比，以確定其是否正常。 （3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。 （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c。按功能分：開(kāi)關(guān)管和放大 半導(dǎo)體三極管特性：三極管具有放大功能（三極管是電流控制型器件－通過(guò)基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流；又由于其多子和少子都可導(dǎo)電稱(chēng)為雙極型元件） NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線。按頻率分：高頻管和低頻管 b。中、小功率管有的b極可能在中間。第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類(lèi)型及其b極后，將表置于R10kΩ檔，對(duì)NPN管，黑表筆接e極，紅表筆接c極時(shí)，表針可能會(huì)有一定偏轉(zhuǎn)，對(duì)PNP管，黑表筆接c極，紅表筆接e極時(shí)，表針可能會(huì)有一定的偏轉(zhuǎn)，反過(guò)來(lái)都不會(huì)有偏轉(zhuǎn)。當(dāng)然測(cè)量時(shí)表筆要交換一下測(cè)兩次，比較讀數(shù)后才能最后判定。然后再將管子倒過(guò)來(lái)再測(cè)一遍，測(cè)得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是正確的。.判別半導(dǎo)體三極管的c極和e極：確定基極后，對(duì)于NPN管，用萬(wàn)用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測(cè)量?jī)纱?，若兩次測(cè)量的結(jié)果不相等，則其中測(cè)得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反）。 用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類(lèi)型(用指針式萬(wàn)用表). a。三極管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過(guò)交流信號(hào)的傳輸路徑來(lái)判斷，沒(méi)有交流信號(hào)通過(guò)的極，就叫此極為公共極。 a。c。 電流放大系數(shù)：對(duì)于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。它分NPN型和PNP型兩種類(lèi)型，這兩種類(lèi)型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對(duì)管就是由PNP型和NPN型配對(duì)使用。 c、 常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下表：型 號(hào) 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4