【正文】 太陽能電池、單晶硅太陽能電池、非晶硅太陽能電池、微晶硅太陽能電池、碲化鎘薄膜太陽能電池，聚光太陽能電池。而目前硅材料生產(chǎn)面臨著降低能耗，減少污染，提高質(zhì)量，擴大產(chǎn)量，降低成本五大難題。非晶硅太陽能電池經(jīng)過二十多年的研究和規(guī)模生產(chǎn)，人們已認識到它的缺點，效率低、早期光致衰減，但其在一些技術(shù)指標上和生產(chǎn)方面的優(yōu)點是所有其它太陽電池不能相比的，而微晶硅太陽能電池在具備非晶硅太陽能電池優(yōu)點的同時，從技術(shù)上由于能更好的吸收太陽能光譜中的近紅外波長，使得轉(zhuǎn)換效率在非晶硅太陽能電池的基礎上增加了50%，成本低、無污染、高溫性能好、弱光響應好、使得充電效率高，具有平價上網(wǎng)優(yōu)勢。近兩年吸引了投資者更多的關注，處于急速發(fā)展期。因為超白玻璃具有高透光率，對太陽光具有很好的吸收作用。等離子體增強化學反應氣相沉積（PECVD）法沉積薄膜的過程可以概括為三個階段： SiH4分解產(chǎn)生活性粒子Si、H、SiH2和SiH3等； 活性粒子在襯底表面的吸附和擴散； 在襯底上被吸附的活性分子在布發(fā)生反應生成PolySi層，并放出H2；研究表明，在等離子體輔助沉積過程中，離子、荷電集團對沉積表面的轟擊作用是影響結(jié)晶質(zhì)量的重要因素之一。對于采用PECVD技術(shù)制備多晶體硅薄膜的晶化過程，目前有兩種主要的觀點：一種認為是活性粒子先吸附到襯底表面，再發(fā)生各種遷移、反應、解離等表面過程，從而形成晶相結(jié)構(gòu)，因此，襯底的表面狀態(tài)對薄膜的晶化起到非常重要的作用；另一種認為是空間氣相反應對薄膜的低溫晶化起到更為重要的作用，即具有晶相結(jié)構(gòu)的顆粒首先在空間等離子體區(qū)形成，而后再擴散到襯底表面長大成多晶膜。我們所采用的就是Oerlikon（歐瑞康）公司成熟的技術(shù)和生產(chǎn)線。非晶硅還可以制瓦上，安裝在屋頂上，既能擋風雨，又能發(fā)電；美國、歐洲和日本的太陽能電池廠家已生產(chǎn)這種非晶硅瓦。 與節(jié)能玻璃和發(fā)電玻璃結(jié)合是未來價值鏈的延伸，具有十分重要意義！ 大規(guī)模低成本發(fā)電站在土地并不昂貴且足夠大的區(qū)域安裝低成本組件，比如微晶硅或非晶硅電池是最好的選擇，雖然它們比晶體硅電池效率低一些。1996年美國APS公司在美國加州建了一個400千瓦的非晶硅電站，引起全世界光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)和學術(shù)界的振動，從此非晶硅太陽能電站在全球范圍內(nèi)獲得迅速推廣，在歐洲兆瓦級的非晶硅太陽能電站已不算是大的，Mass公司去年從中國進口約5MWp的非晶硅太陽能電池。德國RWESCHOOT公司也具有30MWp年產(chǎn)量，全部用于建大規(guī)模太陽能電站。預計和同樣標稱功率的晶體硅太陽能電池相比，其投資成本回收期要短20—25%。 消費商品因為薄膜組件重量輕，價格便宜，薄膜組件將會在未來獲得不斷增長的市場份額。而其成本每瓦低約10人民幣。 弱光下使用由于非微晶硅太陽能電池在室內(nèi)弱光下也能發(fā)電，已被廣泛用于太陽能鐘，太陽能手表，太陽能顯示牌等不直接受光照等場合下。. 解決傳統(tǒng)能源資源枯竭，利用太陽能再生能源替帶傳統(tǒng)的發(fā)電機制，為解決能源危機開發(fā)出新的途徑。. 成長速率/市場份額：薄膜技術(shù)比晶體硅技術(shù)有更高的成長速率。二 建設規(guī)模微晶硅太陽能電池生產(chǎn)線計劃經(jīng)過三年兩個階段建設，最終達到年產(chǎn)能150MWp的生產(chǎn)規(guī)模，占地200畝，總投資為32億，其中第一期年產(chǎn)能為75MWp的生產(chǎn)線，投資16億。主要建設包括科研與實驗區(qū)500㎡、行政辦公與培訓800㎡、生產(chǎn)車間20000㎡、倉庫3200㎡、專家宿舍樓1000㎡、員工宿舍1000㎡、1條75MWp生產(chǎn)線、國內(nèi)外各兩個銷售與示范辦事機構(gòu)。長期目標500MWp。主要生產(chǎn)品種為：1. 大面積以玻璃為基體的微晶硅太陽能電池組件2. 電池結(jié)構(gòu)如下：要生產(chǎn)的是世界上最領先的薄膜技術(shù)——雙結(jié)疊層微晶硅太陽能電池。4. 穩(wěn)定輸出功率接近120W，穩(wěn)定效率8~9%；2010年~10%。該項目占地100畝，達產(chǎn)時按三班工作制員工約為260人，年產(chǎn)能為75MWp。 本預算含二期征用土地。 資金投入期以項目實際建設進度所需而投入?？鄢ぷ魅藛T工資、各種福利支出、辦公費用、業(yè)務支出、設備與固定資產(chǎn)折舊、銀行貸款利息等提留資金。從財會分析上經(jīng)濟效益相當可觀，有足夠的抗風險能力，站到國民經(jīng)濟的角度上本項目可行。光伏產(chǎn)業(yè)將會在4~9年的時間里達到平價上網(wǎng)，而薄膜電池無疑是最快達到這個目標的技術(shù)。但以歐瑞康太陽能預測，到2010年微晶硅電池的的效率將達到10%，以1GW的生產(chǎn)規(guī)模，已經(jīng)在歐洲一些國家達到平價上網(wǎng)的水平。硅基薄膜技術(shù)被期望在2010年占到所有薄膜技術(shù)中最高的市場份額（~65%）。： 相比于其它薄膜技術(shù)和晶體硅技術(shù)，硅基薄膜技術(shù)非常具有成本的競爭力★ 每瓦資本支出：以每瓦的資本支出來看，非晶硅是當前相比于其它技術(shù)最具有競爭力技術(shù)。（晶體硅技術(shù)已經(jīng)非常成熟，降低的空間有限）☆ 薄膜：在薄膜技術(shù)中，非晶硅和疊層技術(shù)由于都是用便宜的硅烷作為原材料，因此相比于其它薄膜技術(shù)它們的成本優(yōu)勢明顯。到2010年，疊層技術(shù)有望成為除了碲化鎘外每瓦成本最低的技術(shù)。*（溫度系數(shù)，用以測量在高溫工作情況下所有光伏組件的衰減效應in%k）★ 能量加收期：薄膜當前的能量回收期是大約2年（2010年達到1年），而晶體硅組件是4年（2010年達到2年）。 ○ 碲化鎘技術(shù)：碲化鎘電池的優(yōu)點是成本低，但它的安全性和原材料供應是持續(xù)要解決的問題。碲化鎘組件生產(chǎn)的成長會受到碲原料（銅提煉的副產(chǎn)品，大部依靠銅的需求）和碲價格變動的約束。只有很少的廠家實際在商業(yè)化生產(chǎn)碲化鎘組件。（資料來源：USGS，美國礦業(yè)部）。因此，制造發(fā)電率1000兆瓦的碲化鎘電池需要大約94噸的鎘。 鎘的價格：。碲的年生產(chǎn)量目前穩(wěn)定在大約95噸。而每兆瓦碲化鎘電池所需碲的量是102公斤（%的碲化鎘層厚度為3微米計算），因此，每1000兆瓦的碲化鎘電池生產(chǎn)需要大約102噸的碲原料。 碲化鎘技術(shù)的發(fā)展：碲化鎘技術(shù)能在接下來的五年里將成本低于到每瓦1美金。技術(shù)的封鎖對碲化鎘技術(shù)的發(fā)展也是個問題。銅銦鎵硒利用銦作為原材料，銦是稀有原素，大量用于LCD生產(chǎn)制造上。總結(jié)它潛在的問題為：原料供應：銦是稀有原料，并且被大量用平板液晶產(chǎn)業(yè)（FPD industry）。（資料來源：USGS，美國礦業(yè)部）2002年的年產(chǎn)量為408噸，從80年代開始由于LCD產(chǎn)業(yè)的需求銦的產(chǎn)能也是穩(wěn)定在提高。目前因為銅銦鎵硒技術(shù)還未能達到大規(guī)模生產(chǎn)的要求，因此非常少的被用于太陽能電池行業(yè)。鎘的原料問題：鎘同樣在銅銦鎵硒電池中也會用到，雖然它的量沒有在碲化鎘中用的那么多，但是原料的問題在銅銦鎵硒電池生產(chǎn)中同樣會有。由于技術(shù)相對更成熟，晶體硅成本降低的潛力遠沒有薄膜技術(shù)那么大。多晶硅研究專家分析。%%，%。多晶硅的價格趨勢：※ 多晶硅價格：我們預期大體上多晶硅在2007年的價格將提高5%到10%?！?多晶硅成本參照；下圖表示了多晶硅的參考價格（美金/瓦），它是根據(jù)多晶硅價格（美金/瓦）和生產(chǎn)晶硅電池所需的多晶硅料（克/瓦）。我們相信它能對成本的預計提供一個很好的控制，并有助于各公司的每瓦成本估算。參照以目前業(yè)辦的平均轉(zhuǎn)換效率和硅成本。安裝成本稍低。應用少受限制：如氣候、BIPV、光照角度等。穩(wěn)定性高。應用限制少：如氣候、BIPV、光照角度。應用特殊要求處。應用受限如氣候、BIPV、光照角度。期待2008年規(guī)模量產(chǎn)化單位組件成本高，只有一家供應商UniSolar鎘毒性，潛在回收問題，碲有短缺問題，供應僅為First