電力電子課程設(shè)計-直流電機調(diào)速-在線瀏覽
2025-08-04 14:13本頁面
【正文】 %、80%時電機轉(zhuǎn)動速度改變情況。為實現(xiàn)系統(tǒng)的微機控制，在設(shè)計中，采用了 AT89C52 單片機作為整個控制系統(tǒng)的控制電路的核心部分，用 PROTEUS 仿真軟件以各種顯示、驅(qū)動模塊，實現(xiàn)對電動機轉(zhuǎn)速參數(shù)的顯示和測量；采用帶中斷的獨立式鍵盤作為命令的輸入，單片機在程序控制下，不斷給光電隔離電路發(fā)送 PWM ，采用 PWM 調(diào)速方式，通過改變 PWM 的占空比從而改變電動機的電樞電壓，進而實現(xiàn)對電動機的調(diào)速。其中勵磁控制法在低速時受磁飽和的限制，在高速時受換向火花和換向器件結(jié)構(gòu)強度的限制。直流電機轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)：某些場合往往要求直流電機的轉(zhuǎn)速在一定范圍內(nèi)可調(diào)節(jié)，例如，電車、機床等，調(diào)節(jié)范圍根據(jù)負載的要求而定。本次課程設(shè)計采用第一種方法：利用降壓斬波電路與單片機驅(qū)動系統(tǒng)改變電機兩端的電壓大小從而達到調(diào)節(jié)直流電機轉(zhuǎn)速的目的。 降壓斬波電路原理圖數(shù)量關(guān)系：電流連續(xù)時，負載電壓平均值 a——導(dǎo)通占空比，簡稱占空比或?qū)ū萓o最大為E，減小a，U o隨之減小——降壓斬波電路。負載電流平均值 電流斷續(xù)時，u o平均值會被抬高，一般不希望出現(xiàn)斬波電路三種控制方式（1）脈沖寬度調(diào)制（PWM）或脈沖調(diào)寬型——T不變，調(diào)節(jié)t on（2）頻率調(diào)制或調(diào)頻型——t on不變，改變T7 / 23（3）混合型——t on和T都可調(diào)，使占空比改變： 降壓斬波電路的仿真模型 驅(qū)動電路 單片機 本課程設(shè)計所用的芯片為 AT89C52。使用 Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造，兼容標準 MCS51 指令系統(tǒng)。在單芯片上，擁有靈巧的 8 位 CPU 和在系統(tǒng)可編程 Flash，使得 AT89C52 為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。另外，AT89C52 可降至 0Hz 靜態(tài)邏輯操作，支持 2 種軟件可選擇節(jié)電模式。掉電保護方式下，RAM 內(nèi)容被保存，振蕩器被凍結(jié)，單片機一切工作停止，直到下一個中斷或硬件復(fù)位為止。圖中 R1 取 200 歐，R2 取 1000 歐，電容為22181。3) 晶振電路在 AT89C52 芯片內(nèi)部有一個高增益的反相放大器，其輸入端為引腳 X1，輸出端為引腳 X2，而在 AT89C52 芯片 X1 和 X2 之間跨接晶體振蕩器和微調(diào)電容，從而構(gòu)成一個穩(wěn)定的自激震蕩器，這就是時鐘電路。外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器都可以 64K 尋址。對于 AT89C52，如果 EA 接 VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為0000H～1FFFH）開始，接著從外部尋址，尋址地址為：2022H~FFFFH。高 128 字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。當一條指令訪問高于 7FH 的地址時，尋址方式?jīng)Q定 CPU 訪問高 128 字節(jié) RAM 還是特殊功能寄存器空間。 MOSFETMOSFET,又稱金屬氧化層半導(dǎo)體場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。改變 VGS 的電壓可控制工作電流9 / 23ID。如果在柵極 G 與源極 S之間加一電壓 VGS。當加上 VGS 時，在絕緣層和柵極界面上感應(yīng)出正電荷，而在絕緣層和 P 型襯底界面上感應(yīng)出負 電 荷 。當 VGS 電壓太低時，感應(yīng)出來的負電荷較少，它將被 P 型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流 ID。當 VGS 繼續(xù)增大，負電荷增加，導(dǎo)電溝道
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