電力電子課程設計-直流電機調(diào)速(編輯修改稿)
2025-07-14 14:13 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 89C52基本結(jié)構(gòu)示意圖2) 復位電路復位電路利用電容充電來實現(xiàn)復位，此時電源 VCC 經(jīng)電阻 R2,R1 分壓，在RESET 端產(chǎn)生一個復位高電平。圖中 R1 取 200 歐，R2 取 1000 歐，電容為22181。F。3) 晶振電路在 AT89C52 芯片內(nèi)部有一個高增益的反相放大器，其輸入端為引腳 X1，輸出端為引腳 X2，而在 AT89C52 芯片 X1 和 X2 之間跨接晶體振蕩器和微調(diào)電容，從而構(gòu)成一個穩(wěn)定的自激震蕩器，這就是時鐘電路。4) 存儲器結(jié)構(gòu)MCS51 器件有單獨的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。外部程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器都可以 64K 尋址。程序存儲器：如果 EA 引腳接地，程序讀取只從外部存儲器開始。對于 AT89C52，如果 EA 接 VCC，程序讀寫先從內(nèi)部存儲器（地址為0000H～1FFFH）開始，接著從外部尋址，尋址地址為：2022H~FFFFH。數(shù)據(jù)存儲器：AT89S52 有 256 字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器。高 128 字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。也就是說高 128 字節(jié)與特殊功能寄存器有相同的地址，而物理上是分開的。當一條指令訪問高于 7FH 的地址時，尋址方式?jīng)Q定 CPU 訪問高 128 字節(jié) RAM 還是特殊功能寄存器空間。直接尋址方式訪問特殊功能寄存器（SFR） 。 MOSFETMOSFET,又稱金屬氧化層半導體場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。要使增強型 N 溝道 MOSFET 工作，要在 G、S 之間加正電 壓 VGS 及在 D、S之間加正電壓 VDS，則產(chǎn)生正向工作電流 ID。改變 VGS 的電壓可控制工作電流9 / 23ID。 若先不接 VGS(即 VGS＝0)，在 D 與 S 極之間加一正電壓 VDS，漏極 D與襯底之間的 PN 結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導電。如果在柵極 G 與源極 S之間加一電壓 VGS。此時可以將柵極與襯底看作電 容 器 的兩個極板，而氧 化 物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當加上 VGS 時，在絕緣層和柵極界面上感應出正電荷，而在絕緣層和 P 型襯底界面上感應出負 電 荷 。這層感應的負電荷和 P 型襯底中的多數(shù)載流子(空 穴 )的極性相反，所以稱為“反型層” ，這反型層有可能將漏與源的兩 N 型區(qū)連接起來形成導電溝道。當 VGS 電壓太低時，感應出來的負電荷較少，它將被 P 型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時，漏源之間仍然無電流 ID。當 VGS 增加到一定值時，其感應的負電荷把兩個分離的 N 區(qū)溝通形成 N 溝道，這個臨界電壓稱為開啟電壓(或稱閾 值 電 壓 、門限電壓)，用符號VT 表示(一般規(guī)定在 ID＝10uA 時的 VGS 作為 VT)。當 VGS 繼續(xù)增大，負電荷增加，導電溝道擴大，電阻降低，ID 也隨之增加，并且呈較好線性關(guān)系，如圖 4所示。此曲 線 稱為轉(zhuǎn)換特性。因此在一定范圍內(nèi)可以認為，改變 VGS 來控制漏源之間的電阻，達到控制 ID 的作用。 由于這種結(jié)構(gòu)在 VGS＝0 時，ID＝0，稱這種 MOSFET 為增強型。另一類MOSFET，在 VGS＝0 時也有一定的 ID(稱為 IDSS)，這種 MOSFET 稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖 5 所示，它的轉(zhuǎn)移特性如圖 6 所示。VP 為夾斷電壓(ID＝0)。耗盡型與增強型主要區(qū)別是在制造 SiO2絕緣層中有大量的正離子，使在 P 型襯底的界面上感應出較多的負電荷，即在兩個 N 型區(qū)中間的 P 型硅內(nèi)形成一 N 型硅
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