【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一本試卷共10題一、判斷下列說法是否正確,凡對者打“√”,錯者打“×”(本大題分2小題,每小題5分,共10分),正確的在括號中畫“√”,否則畫“×”。1)一個理想對稱的差分放大電路,只能放大差模輸入信號,不能放大共模輸入信號。()2)共模信號都是直
2025-02-24 21:37
【摘要】電力電子技術(shù)模擬試卷四(考試時間 150分鐘)一、填空題(每小題1分,共14分)1.1.???三相半波可控整流電路中的三個晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差__________。2.2.???功率集成電路PIC分為二大類,一類是高壓集成電路,另一類是________________。3.3.?
2025-05-12 06:07
【摘要】清華大學(xué)華成英模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)?本課程是入門性質(zhì)的技術(shù)基礎(chǔ)課清華大學(xué)華成英一、電子技術(shù)的發(fā)展?47年貝爾實(shí)驗(yàn)室制成第一只晶體管?58年集成電路?69年大規(guī)模集成電路?75年超大規(guī)模集成電路?第一片集成電路只有4個晶體管,而97年一片集成電路上有40億
2024-11-10 15:00
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》面向21世紀(jì)課程教材清華大學(xué)電子學(xué)教研組編第三版童詩白華成英主編嘉應(yīng)學(xué)院物理系教材:《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》(第三版,童詩白華成英,高等教育出版社)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)》(楊剛,電子工業(yè)出版社)
2025-03-01 03:07
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第二十講模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的應(yīng)用(簡介)乘法器是又一種廣泛使用的模擬集成電路,它可以實(shí)現(xiàn)乘、除、開方、乘方、調(diào)幅等功能,廣泛應(yīng)用于模擬運(yùn)算、通信、測控系統(tǒng)、電氣測量和醫(yī)療儀器等許多領(lǐng)域。模擬乘法器的基本原理模擬乘法器的基本原理變跨導(dǎo)型模擬乘法
2025-02-03 09:20
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)安徽理工大學(xué)電氣工程系主講:黃友銳第十二講負(fù)反饋對放大電路性能的影響負(fù)反饋是改善放大電路性能的重要技術(shù)措施,廣泛應(yīng)用于放大電路和反饋控制系統(tǒng)之中。負(fù)反饋對增益穩(wěn)定性的影響負(fù)反饋對輸入電阻的影響負(fù)反饋對輸出電阻的影響負(fù)反饋對通頻帶的影響負(fù)反饋對非線性失真的影響
2024-08-29 20:34
【摘要】《模擬電子技術(shù)與應(yīng)用》試題(1)一、填空(16分)1.半導(dǎo)體二極管的主要特性是___________。2.三極管工作在放大區(qū)時,發(fā)射結(jié)為____偏置,集電結(jié)為_____偏置;工作在飽和區(qū)時發(fā)射結(jié)為___偏置,集電結(jié)為____偏置。3.當(dāng)輸入信號頻率為fL和fH時,放大倍數(shù)的幅值約下降為中頻時的__倍,或者是下降了__dB,此時與中頻時相比,放大倍數(shù)的附加相移約為_____。
2025-05-12 04:55
【摘要】模擬電子技術(shù)試題1一、選擇填空(30分)1.本征半導(dǎo)體電子濃度()空穴濃度;N型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度;P型半導(dǎo)體的電子濃度()空穴濃度。a:大于;b:小于;c:等于。2.場效應(yīng)管屬于()控制型器件,晶體三極管則屬于()控制器件。a:電壓;b:電流
2025-02-24 21:39
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計(jì)算題五、設(shè)計(jì)題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-09-15 08:50
【摘要】云南民族大學(xué)教案課程名稱:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡(luò)工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王 霞職稱:助 教
2024-09-15 08:30
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運(yùn)算放大器理想運(yùn)算放大器的功能與特性理想運(yùn)算放大器的電路符號與端口理想運(yùn)算放大器的功能與特性運(yùn)算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運(yùn)算放大器的同
2024-08-05 22:30
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-09-15 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達(dá)式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2024-09-15 09:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2024-08-04 23:33
【摘要】填空題1.在常溫下,硅二極管的門檻電壓約為,導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約為;鍺二極管的門檻電壓約為,。2、二極管的正向電阻小;反向電阻大。3、二極管的最主要特性是單向?qū)щ娦?。PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。4、二極管最主要的電特性是單向?qū)щ娦?,穩(wěn)壓二極管在使用時,穩(wěn)壓二極管與負(fù)載并聯(lián),
2025-05-13 01:56