【正文】 壓約 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約 V；鍺二極管的門限電壓約 V，導(dǎo)通后在較大電流下的正向壓降約 V。 利用硅 PN結(jié)在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點而制成的二極管，稱為 普通 （穩(wěn)壓） 二極管。 二、判斷題 二極管加正向電壓時，其正向電流是由（ a ）。 a. 其反向電流增大 b. 其反向電流減小 c. 其反向電流基本不變 d. 其正向電流增大 穩(wěn)壓二極管是利用 PN 結(jié)的（ d ）。 a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA 變?nèi)荻O管在電路中使用時，其 PN 結(jié)是（ b ）。但是反向偏置時，反向電流是少子漂移電流，溫度升高少數(shù)載流子數(shù)量將明顯增加，反向電流急劇隨之增加，因此溫度對二極管 的反向特性影響大。 有 A、 B 兩個二極管。 利用硅二極管較陡峭的正向特性，能否實現(xiàn)穩(wěn)壓？若能，則二極管應(yīng)如何偏置？ 答：能實現(xiàn)穩(wěn)壓，二極管應(yīng)該正向偏置，硅二極管的正偏導(dǎo)通電壓為 ；因此硅二極管的正向特性，可以實現(xiàn)穩(wěn)壓，其穩(wěn)壓值為 。 發(fā)生齊納擊穿需要的電場強(qiáng)度很大，只有在雜質(zhì)濃度特別大的 PN 結(jié)才能達(dá)到。但是反向電流和反向電壓的乘積超過 PN結(jié)容許的耗散功率時，就可 能由電擊穿變?yōu)闊釗舸?，而造成永久性的破壞? 主觀檢測題 試用電流方程式計算室溫下正向電壓為 和反向電壓為 1V 時的二極管電流。 解： VO1≈2V（二極管正向?qū)ǎ?VO2＝ 0（二極管反向截止）， VO3≈－ 2V（二極管正向?qū)ǎ?VO4≈2V（二極管反向截止）， VO5≈2V（二極管正向?qū)ǎ?VO6≈－ 2V（二極管反向截止）。 解： UO1≈（ 二極管正向?qū)ǎ?UO2＝ 0（二極管反向截止）， UO3≈－ （二極管正向?qū)ǎ?UO4≈2V（二極管反向截止）， UO5≈（二極管正向?qū)ǎ? UO6≈－ 2V（二極管反向截止）。 解：題圖 所示的電路圖中 ，圖（ a）所示電路，二極管 D 導(dǎo)通， VAO=－ 6V， 圖（ b）所示電路，二極管 D1 導(dǎo)通， D2 截止， VAO=－ 0V， 圖（ c）所示電路，二極管 D1 導(dǎo)通， D2 截止， VAO=－ 0V。 解：萬用表測量電阻時，對應(yīng)的測量電路和伏安特性如圖 所示，實際上是將流過電表的電流換算為電阻值，用指針的偏轉(zhuǎn)表示在表盤上。測量時，流過電表的電流由萬用表的內(nèi)阻和二極管的等效直流電阻值和聯(lián)合決定。 用 R ??100 檔測量時，萬用表的直流負(fù)載線方程與二極管的特性 曲線的交點為 B，萬用表的讀數(shù)為 V2/I2。 由圖中可以得出 VVVI I I??3121 2 3 所以， ?85 為萬用表 ??10R 檔測出的； ?680 為萬用表 ??100R 檔測出的； ?k4 為萬用表 ??kR 1 檔測出的。分別使用二極管理想模型和恒壓降模型（ VD＝ ）。 電路如題圖 ，已知 vi＝ 6sinωt (V)，二極管導(dǎo)通電壓 VD＝ 。 解：由題意 vi＝ 6sinωt(V) 波形如圖 所示： 當(dāng) iv . V?37 時，二極管 D1 導(dǎo)通， vo＝ ， 當(dāng) iv . V??37 時，二極管 D2 導(dǎo)通， vo＝ ?， 當(dāng) i. V v . V? ? ?3 7 3 7時，二極管 D D2 截止， vo＝ vi 。試問： （ 1）若將它們串聯(lián)相接，則可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ （ 2）若將它們并聯(lián)相接，則又可得到幾種穩(wěn)壓值？各為多少？ 解：（ 1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時可得 、 、 13V等四種穩(wěn)壓值。 已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 VZ＝ 6V，穩(wěn)定電流的最小值 IZmin＝ 5mA。 題圖 題圖 圖 題圖 (a)理想模型 (b)恒壓降模型 圖 π 2π π 2π V/Vot?V60t?V/viV60π 2π t?V/Vo0 解： （ 1）當(dāng) VI＝ 10V時，若 VO1＝ VZ＝ 6V，則穩(wěn)壓管的電流為 ? ?IZZ1 Z m inVVI . A m A I m AR? ?? ? ? ? ? ?1 1 0 6 0 0 0 8 8 5500， 大于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管擊穿。 （ 2）當(dāng) VI＝ 10V時，若 VO2＝ VZ＝ 6V，則穩(wěn)壓管的電流為 ? ?IZZ2 Z m inVVI . A m A I m AR? ?? ? ? ? ? ?2 1 0 6 0 0 0 2 2 52020， 小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。 電路如題圖 （ a）（ b）所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 VZ＝ 3V， R 的取值合適， vi的波形如圖（ c）所示。 解： 波形如圖 所示。 對于圖 b所示的電路，當(dāng) ivV?3 時，穩(wěn)壓管 DZ反向擊穿， vo＝ VZ ，當(dāng) ivV?3 時，穩(wěn)壓管 DZ 未擊穿， vo＝ vi 。 （ 1）分別計算 vi為 10V、 15V、 35V三種情況下輸出電壓 vO 的值； （ 2）若 vi＝ 35V時負(fù)載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象 ?為什么？ 解：（ 1）當(dāng) vi＝ 10V 時，若 vO＝ VZ＝ 6V，則穩(wěn)壓管的電流為 4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。 （ 2） D Z i ZI ( v V ) R? ? ?29mA＞ IZM＝ 25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。 解：題圖 所示的電路圖中，對于圖（ a） ，當(dāng) iZv V V??8 時，穩(wěn)壓管 DZ 反向擊穿， vo＝ 8V ； 當(dāng) iDv V . V? ? ? ?07時，穩(wěn)壓管 DZ正向?qū)ǎ?vo＝ ? ； 當(dāng) D i Z. V V v V V? ? ? ? ? ? ?0 7 8時，穩(wěn)壓管 DZ1 和 DZ2未擊穿， vo＝ vi 。 對于圖（ b），當(dāng) i Z Dv V V . V? ? ? 87時，穩(wěn)壓管 DZ1正向?qū)ā?DZ2 反向擊穿， vo＝ 8V； 當(dāng) i Z Dv V V . V? ? ? ? ? 87時，穩(wěn)壓管 DZ1 反向擊穿、 DZ2 正向?qū)ǎ?vo＝ ?8V； 當(dāng) Z D i Z D. V V V v V V . V? ? ? ? ? ? ? ? ?8 7 8 7時，穩(wěn)壓管 DZ1 和 DZ2未擊穿， vo＝ vi 。 題圖 (b) (a) 在題圖 ，發(fā)光二極管導(dǎo)通電壓 VD＝ ，正向電流在 5～ 15mA時才能正常工作。 （ 2）為了讓二極管正常發(fā)光， ID＝ 5～ 15mA， R 的范圍為 D D m a xD D m i nm inm a xR (V V ) IR (V V ) I ??? ? ?? ? ? 233700 。 2. 三極管的發(fā)射區(qū) 雜質(zhì) 濃度很高，而基區(qū)很薄。 4. 三極管實現(xiàn)放大作用的內(nèi)部條件是： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，同時基區(qū)厚度要很小 ；外部條件是： 發(fā)射結(jié)要正向偏置、集電結(jié)要反向偏置 。 6. 工作在放大區(qū)的某三極管，如果當(dāng) IB從 12μA增大到 22μA時， IC 從 1mA變?yōu)?2mA，那題圖 圖 (b) (a) 么它的 β約為 100 。 8. 雙極型三極管是指它內(nèi)部的 參與導(dǎo)電載流子 有兩種。 10. 某放大電路在負(fù)載開路時的輸出電壓為 5V，接入 12k?的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為，這說明放大電路的輸出電阻為 12 k?。 12. 題圖 所示的圖解，畫出了某單管共射放大電路中晶體管的輸出特性和直流、交流負(fù)載線。 bbr取 200? ）； （ 5）放大電路最大不失真輸出正弦電壓有效值約為 ； （ 6）要使放大電路不失真，基極正弦電流的振幅度應(yīng)小于 20μA 。 14. 有兩個放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路 A和 B，對同一個具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大。 15. 三極管的交流等效輸入電阻隨 靜態(tài)工作點 變化。 17. 放大電路必須加上合適的直流 偏置 才能正常工作。 22. 射極輸出器的三個主要特點是 輸出電壓與輸入電壓近似相同 、 輸入電阻大 、 輸出電阻小 。 24. 放大器的靜態(tài)工作點由它的 直流通路 決定，而放大器的增益、輸入電阻、輸出電阻等由它的 交流通路 決定。 題圖 26. 放大器的放大倍數(shù)反映放大器 放大信號的 能力；輸入電阻反映放大器 索取信號源信號大小的能力 ；而輸出電阻則反映出放大器 帶負(fù)載 能力。 28. 在單級共射放大電路中，如果輸入為正弦波形，用示波器觀察 VO 和 VI 的波形，則 VO和 VI 的相位關(guān)系為 反相 ；當(dāng)為共集電極電路時，則 VO 和 VI 的相位關(guān)系為 同相 。 30. 單級共射放大電路產(chǎn)生截止失真的原因是 放大器的動態(tài)工作軌跡進(jìn)入截止區(qū) ，產(chǎn)生飽和失真的原因是 放大器的動態(tài)工作軌跡進(jìn)入飽和區(qū) 。 32. PNP 三極管輸出電壓的 頂部 部失真都是飽和失真。 34. BJT 三極管放大電路有 共發(fā)射極 、 共集電極 、 共基極 三種組態(tài)。因此，這種 BJT 接入電路時，總要使它的發(fā)射結(jié)保持 正向 偏置，它的集電結(jié)保持 反向 偏置。該三極管屬于 PNP 型，由 鍺 半導(dǎo)體材料制成。 38. 溫度對三極管的參數(shù)影響較大，當(dāng)溫度升高時， CBOI 增加 ， ? 增加 ，正向發(fā)射結(jié)電壓 BEU 減小 ， CMP 減小 。 40. 放大器產(chǎn)生非線性失真的原因是 三極管或場效應(yīng)管工作在非放大區(qū) 。 （ 1） bR 增加時， CEQV 將 增大 。 （ 3） CR 增加時， CEQV 將 減小 。 （ 5） ? 減小時（換管子）， CEQV 將 增大 。 42. 在題圖 電路中，當(dāng)放大器處于放大狀態(tài)下調(diào)整電路參數(shù)，試分析電路狀態(tài)和性能的變化。） （ 1）若 bR 阻值減小，則靜態(tài)電流 IB將 增大 ， CEV 將 減小 ，電壓放大倍數(shù) vA 將 增大 。 （ 3）若 CR 阻值增大，則靜態(tài)電流 BI 將 不變 ， CEV 將 減小 ，電壓放大倍數(shù) vA 將 增大 。表征頻率特性的主要指標(biāo)是 中頻電壓放大倍數(shù) ， 上限截止頻率 和 下限截止頻率 。 45. 頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號的情況下， 放大器對不同頻率的正弦信號的穩(wěn)態(tài)響應(yīng) 。 47. 幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻率被稱為 截止頻率 。 49. 單級阻容耦合放大電路加入頻率為 LH ff 和 的輸入信號時，電壓增益的幅值比中頻時下降了 3 dB，高、低頻輸出電壓與中頻時相比有附加相移，分別為 45186。 。/十倍頻 ，附加相移低頻區(qū)的斜率為 +45186。 51. 一個單級放大器的下限頻率為 100Hz?Lf ， 上限頻率為 30kHz?Hf ， 40dBVM ?A? ，如果輸入一個 )t00015sin(100, ?mV的正弦波信號，該輸入信號頻率為 50kHz ，該電路 不會 產(chǎn)生波形失真。 二、判斷題 1. 下列三極管均處于放大狀態(tài)，試識別其管腳、判斷其類型及材料，并簡要說明理由。 1 管： 。 2 管： 。 3 管： 。 3. 題圖 所列三極管中哪些一定處在放大區(qū)？ 答：題圖 所列三極管中，只有圖（ D）所示的三極管處在放大區(qū)。 5. 測得晶體管 3個電極的靜態(tài)電流分 別為 ， ，則該管的 ? 為 ① 。 ② 為 61。 ④ 無法確定。 ① e 極 ② b 極 ③ c 極 7. 共發(fā)射極接法的晶體管，工作在放大狀態(tài)下，對直流而言其 ① 。 ② 輸入和輸出均具近似的恒流特性。 ④ 輸入具有近似的恒流特性，而輸出具 有恒壓特性。 ① V（ BR） CEO＞ V（ BR） CES＞ V（ BR） CER。 ③ V（ BR） CER＞ V（ BR） CES＞ V（ BR） CEO。 9．題圖 所示電路中，用 直流電壓表測出 VCE≈0V，有 可能是因 為 C 或 D 。試判斷各三極管的工作狀態(tài)。 11. 用萬用表直流電壓檔測得電路中晶體管各電極的對地電位，如題圖 示，試判斷這些晶體管分別處于哪種工作狀態(tài)（飽和、放大、截止或已損壞）？ 題圖 題 圖 (b) (c) (d) (a)