奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕-在線瀏覽
2025-07-03 03:29本頁面
【正文】 到 ,這說明晶體內(nèi)和晶界存在濃度的差異 ,從而引起晶間腐蝕的發(fā)生. 但腐蝕剛開始時(shí)含磷、硅物質(zhì)的溶解起誘導(dǎo)作用 ,而后應(yīng)力和縫隙的產(chǎn)生加速了晶界的腐蝕 ,這些過程都缺乏有力的證據(jù).另外 ,晶間腐蝕的機(jī)理還有“晶界吸附理論”“、亞穩(wěn)沉淀相理論”等. 這些理論 ,彼此并不矛盾 ,互為補(bǔ)充. 晶間腐蝕的機(jī)理的研究十分重要 ,應(yīng)充分應(yīng)用現(xiàn)代檢測技術(shù) ,研究晶間原子結(jié)構(gòu)的改變、斷口形貌、化學(xué)成分的變化、腐蝕的過程、腐蝕產(chǎn)物的成分以及晶界合金元素的相互影響等 ,進(jìn)一步解釋晶間腐蝕現(xiàn)象.2 影響晶間腐蝕的因素211 成分的影響21111 碳含量 從計(jì)算公式[ 3 ] Creff = Cr % 0118C %和大量實(shí)驗(yàn)可以看出碳含量是影響奧氏體不銹鋼晶間腐蝕最主要的因素. 18 8 型試驗(yàn)鋼的抗晶間腐蝕的能力隨著碳含量的降低而提高 ,防止 18 8 鋼焊接接頭在稀鹽酸中的晶間腐蝕的最好方法是控制焊縫的碳含量 ,使 C %低于 0108 % ,最好采用 C %低于 0103 %的奧氏體不銹鋼[ 5 ,6 ] .阮於珍、張振燦等[ 7 ] 研究了 316 型不銹鋼的晶間腐蝕性能 ,試樣的熱處理制度為: 1100 ℃固溶處理 2 小時(shí) ,水冷。 650 ℃敏化處理 2 小時(shí) ,空冷 ,晶間腐蝕采用 GB433415 90 規(guī)范 ,實(shí)驗(yàn)時(shí)間為 20 小時(shí) ,得出的結(jié)論為 :316L (C % = 01006 %) 的抗晶間腐蝕性優(yōu)于 316 Ti ( C % = 01036 %) ,316 Ti 優(yōu)于 316 ( C % = 01042 %) ,可見 ,隨著碳含量的降低 ,奧氏體不銹鋼晶間腐蝕性得到提高.現(xiàn)在國內(nèi)外的設(shè)備中重要的零部件大多采用超低碳的奧氏體不銹鋼 ,取得了很好的抗晶間腐蝕效果. O1V1Kasparova[ 8 ]用高純度的不同碳含量的 X20H20 鋼(01002 % P ,0101 %Si) 在650 ℃分別敏化處理 1 h ,10 h ,100 h 后進(jìn)行晶間腐蝕實(shí)驗(yàn) ,得出結(jié)論:在同一敏化處理?xiàng)l件下 ,晶間腐蝕的深度隨著碳含量的增加而加深. E1R1HWAN G 和 S1G1KAN G[ 9 ] 研究了 304L 和 306L超低碳不銹鋼在熔化的Li CO K CO 鹽中分別比 304 和 3062 3 2 3具有更好的抗晶間腐蝕性能.1 12 1 2 Cr 含量 在奧氏體不銹鋼中 ,Cr 的含量的增加在低的敏化溫度區(qū)會加速晶間腐蝕 ,在高的敏化溫度區(qū)則會延長產(chǎn)生晶間腐蝕的時(shí)間. 18Cr 8Ni 鋼的晶間腐蝕認(rèn)為在低于550 ℃是受 Cr 的擴(kuò)散控制。Ni % 100余家康 ,曹楚南等[ 12 ] 用光電化學(xué)微區(qū)成像技術(shù)和共振拉曼光譜方法 ,評價(jià)敏化不銹鋼的晶間腐敏感性 ,指出 1Cr18Ni9 Ti 敏化時(shí)間較長時(shí)具有較大的晶間腐敏感性。黃、劉小光等[ 2 ] 用 EPR 法研究了奧氏體不銹鋼在 H2 SO4 + Na2 S4 O6 溶液中鈍化區(qū)回掃電位、掃描速度、溶液溫度、溶液濃度等因素對測試靈敏度的影響 , 確定了A ISI304 、316 系列不銹鋼在此溶液中的最佳實(shí)驗(yàn)條件 ,研究表明: 采用 Na2 S4 O6 作為活化劑的 EPR 法是一種快速、定量、非破壞性的評價(jià)奧氏體不銹鋼晶間腐蝕敏感性的方法.主要有現(xiàn)場掛片、模擬實(shí)驗(yàn)和加速實(shí)驗(yàn)三類方法 ,另外還有金相法、彎曲法、電阻法等測試評價(jià)方法[ 10 ] .目前 ,對于實(shí)際環(huán)境的晶間腐蝕的敏感性的定性、定量評價(jià)方面的研究還較少. 主要應(yīng)從研究晶界成分與晶粒的差別、晶界的性質(zhì)、晶界的原子結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)的分布等方面著手 ,研究這些因素對晶間腐蝕敏感性的影響.5 結(jié)語11 奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的機(jī)理主要有“貧 Cr 理論”和“晶界雜質(zhì)選擇性溶解理論”.21C 的含量是影響奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的最主要因素 ,不銹鋼中的 C 的含量小于 0103 % ,晶間腐蝕敏感性大大降低 ,其敏感性隨 C 含量的增加而增加.31 采用超低碳的不銹鋼時(shí) ,減少鋼中雜質(zhì)的含量和固溶處理是控制奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的主要的、最有效的措施.41 對晶間腐蝕的敏感性的評價(jià)主要的方法有光電化學(xué)微區(qū)成像技術(shù)和共振拉曼光譜方法、EPR 法等 ,這些方法具有較高的靈敏度.51 研究晶界成分、結(jié)構(gòu)、碳化物的分布等對晶間腐蝕敏感性的影響 ,采用電化學(xué)、能譜分析、物理化學(xué)相分析等方法研究其定量關(guān)系 ,對于防止晶間腐蝕具有重要意義.參考文獻(xiàn):[ 1 ]魏寶明. 金屬腐蝕理論及應(yīng)用[ M ] . 北京:化學(xué)工業(yè)出版社 ,1984 ,156 .[ 2 ]黃、劉小光等. 電化學(xué)動(dòng)電位再活化法評定不銹鋼晶間腐蝕敏感性的研究[J ] . 腐蝕科學(xué)與防護(hù)技術(shù) ,1992 , (4) :242 . [ 3 ] F J Torres ect . Corrosion behavior of sensitized duplex stain2 less steel [ J ] . Bio2Med
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