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2025-06-17 04:46本頁面
  

【正文】 接原因是相對原子質(zhì)量和化學鍵的力常數(shù)。 Eg. ?C–C?、 ?C?C?、 ?C?C?三種碳碳鍵的質(zhì)量相同,鍵力常數(shù)的順序是三鍵 雙鍵 單鍵。 影響基本振動頻率的因素 某些鍵的鍵力常數(shù)(毫達因 /埃) 鍵類型 — C?C — — C =C — — C — C — 力常數(shù) 15 ? 17 ? ? 峰位 ?m ?m ?m 波數(shù) 2500~2022 2022~1500 1500≥ 化學鍵鍵強越強(即鍵的力常數(shù) K越大)原子折合質(zhì)量越小,化學鍵的振動頻率越大,吸收峰將出現(xiàn)在高波數(shù)區(qū)。 分子內(nèi)部結(jié)構(gòu) 和 外部環(huán)境 的改變對它都有影響,因而同樣的基團在不同的分子和不同的外界環(huán)境中,基團頻率可能會有一個較大的范圍。 影響基團頻率位移的因素 外部因素 外部因素主要指測定時物質(zhì)的狀態(tài)以及溶劑效應 等因素。 一般氣態(tài)時伸縮振動頻率最高,非極性溶劑的稀溶液次之,而液態(tài)或固態(tài)的振動頻率最低。 通常在極性溶劑中,溶質(zhì)分子的極性基團的伸縮振動頻率隨溶劑極性的增加而向低波數(shù)方向移動,并且強度增大。 內(nèi)部因素 1)電子效應 包括誘導效應、共軛效應和中介效應,它們都是 由于化學鍵的電子分布不均勻引起的 。 由于取代基具有不同 的電負性 , 通過靜電誘導作用 , 引起分子中電子分布的變化 , 從而改變了 鍵力常數(shù) , 使基團的特征頻率發(fā)生位移 。隨著取代原子電負性的增大或取代數(shù)目的增加,誘導效應越強,吸收峰向高波數(shù)移動的程度越顯著。Oδ +δCROClCOCl COF 1715cm1 1800cm1 1828cm1 1928cm1 ( ii) 共軛效應 ( C效應 ) 。 例如酮的 C=O, 因與苯環(huán)共軛而使C=O的力常數(shù)減小 , 振動頻率降低 。 當含有孤對電子的原子 ( O、 N、 S等 ) 與具有多重鍵的原子相連時 , 也可起類似的共軛作用 , 成為中介效應 。 R N H 2CO 1650cm1 2)氫鍵的影響 R COOH (游離) R CO . . . . . .H OCO . . . . . .H OR ( 二聚體) 氫鍵的形成使電子云密度平均化, 從而使伸縮振動頻率降低。 分子內(nèi)氫鍵不受濃度影響,分子間氫鍵受濃度影響較大。 I=1/2的原子核在自旋過程中核外電子云呈均勻的球型分布 , 見圖 ( a) 核磁共振譜線較窄 , 最適宜核磁共振檢測 , 是 NMR主要的研究對象 。 最為常用的是 1H,結(jié)構(gòu)簡單 ,且所有有機化合物中都有 1H存在 . 自旋核在外加磁場中的取向數(shù)和能級 按照量子力學理論 , 自旋核在外加磁場中的自旋取向數(shù)不是任意的 , 可按下式計算: 自旋取向數(shù) M= 2I+ 1 以 1H 核為例 , 因 I =1/2, 故在外加磁場中 , 自旋取向數(shù) =2( 1/2) + 1=2, 即有兩個且自旋相反的兩個取向 , 其中一個取向磁矩與外加磁場 B0一致;另一取向 , 磁矩與外加磁場 B0相反 。( θ1) 及 12503639。見圖 圖 H核在磁場中的行為 m為磁量子數(shù) 圖 H核在磁場中的行為 m為磁量子數(shù) 圖 能級裂分與外加磁場強度的關系 核躍遷與電磁輻射 (核磁共振 ) 已知核從低能級自旋態(tài)向高能態(tài)躍遷時 , 需要一定能量 , 通常 , 這個能量可由照射體系用的電磁輻射來供給 。 此外 E射 =ΔE, 所以發(fā)生核磁共振的條件是 : () 或 () 可見射頻頻
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