嵌入式開發(fā)常用元器件基礎(chǔ)知識(shí)-在線瀏覽
2025-06-15 01:24本頁面
【正文】 以電容表量測(cè)。 (E/C) 規(guī)格有多種； 零件上亦標(biāo)有零件值和耐壓值，通常 SIZE愈大，電容值愈大； 有極性，黑色記號(hào)邊為負(fù)極。 磁珠與電感區(qū)別 磁珠 專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。 符號(hào)同電感，單位為歐姆 ， 因?yàn)榇胖榈膯挝皇前凑账谀骋活l率產(chǎn)生的阻抗來標(biāo)稱的，阻抗的單位也是歐姆。 ? 電感多用于電源濾波回路，磁珠多用于信號(hào)回路，磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾。磁珠是用來吸收超高頻信號(hào)，例如一些 RF電路、 PLL、振蕩電路、含超高頻存儲(chǔ)器電路 (DDR SDRAM， RAMBUS等 )都需要在電源輸入部分加磁珠，而電感是一種蓄能元件，用在 LC振蕩電路、中低頻的濾波電路等，其應(yīng)用頻率范圍很少超過 50MHZ。 ? 普通片式疊層電感和磁珠從 外觀 上看 沒有區(qū)別 ,如用儀器測(cè)量，磁珠沒有感量，只有電阻 ,而電感可以測(cè)出感量 ,電流 ,電阻 。 電感用字母（ D）表示，有極性，記號(hào)邊為負(fù)極。 （ LED） 外形繁多，規(guī)格不一，通常負(fù)極標(biāo)有記號(hào)。 此種二極管外形和電晶體一樣，但作用為二極管。 按三極管的材料及工藝特性分為 PNP三極管及 NPN三極管。 場(chǎng)效應(yīng)管： 一種晶體管，有三個(gè)或四個(gè)引腳，同樣具有放大的特性。 六、晶振（ X\Y ） 晶振全稱為 晶體振蕩器 （ Crystal Oscillators）， 用字母 (X或 Y)表示，單位赫茲（ Hz）。 無源晶振為 crystal（晶體），而有源晶振則叫做 oscillator（振蕩器）。 集成電路的引腳序號(hào)：將集成電路的方向標(biāo)記置左邊，標(biāo)記左下方的第 一腳為 1號(hào)腳，其它腳按逆時(shí)針方向順序?yàn)?2 、 3 、 4?? 腳 ,標(biāo)記一般為 缺口、缺角 (SIP時(shí) )、小圓點(diǎn)等。 Pitch: Pin的中心點(diǎn)到相鄰 Pin的中心點(diǎn)之距離。 : IC腳與 SOP相同 , 但本體厚度較 SOP薄。 七、 IC（ 集成電路 ） ： IC腳呈球狀 , 位于電路板 (PCB)正下方。 IC: : IC腳位于本體四邊 , 呈 L型向外延伸 。 常用 IC(一 ) 嵌入式開發(fā)板常用 IC有 :處理器（ CPU）、 NAND Flash、 Nor Flash、 SDRAM、 EEPROM、 DM9000、 H1102等 CPU 目前多采用三星 ARM (Advanced RISC Machines )處理器 .常用系列有 ARM9（ S3C2440，SS3C2416）、 ARM11(S3C6410)， ARM CortexA8 (S5PC100, S5PC110,S5PV210 )、 ARM CortexA9（ Exynos4210 ） 常用 IC（二） Flash（一） NOR和 NAND是兩種主要的非易失閃存技術(shù) . NOR Flash是隨機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)，用于數(shù)據(jù)量較小的場(chǎng)合 ,NOR的存儲(chǔ)密度低，所以存儲(chǔ)一個(gè)字節(jié)的成本也較高； NAND Flash是連續(xù)存儲(chǔ)介質(zhì)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ) ,廣泛應(yīng)用于嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、 MP3隨身聽記憶卡、 U盤等。 2G(2Gb=256M)。 AG(16Gb=2G) 6: 0(Normal x8)。 D(DDR) 常用 IC(四 ) SDRAM SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 . SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代 SDR SDRAM，第二代 DDR SDRAM，第三代 DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(顯卡上的 DDR已經(jīng)發(fā)展到 DDR5)
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