【正文】 域內(nèi)居民點、樂山市區(qū)、樂山大佛風(fēng)景名勝區(qū)，地表水環(huán)境保護(hù)目標(biāo)為岷江，地下水保護(hù)目標(biāo)為廠址所在區(qū)域地下水環(huán)境，主要保護(hù)目標(biāo)及功能要求見表 151，分布位置見圖 151。表 161 環(huán)境空氣評價等級計算污 染 物 排放量 (t/h)環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)(mg/m 3) 等標(biāo)排放量(m 3/h) 判斷值 評 價 級 別HCI 105 106硅粉塵 104 * 106HF 105 106NOX 105 106一級 Pi≥10 9二級109＞ Pi≥108三級 Pi＜10 8小于三級② 評價范圍環(huán)境空氣評價范圍考慮樂山市城區(qū)及樂山大佛風(fēng)景名勝區(qū)，在三級評價基礎(chǔ)上對評價范圍適當(dāng)擴(kuò)大，評價范圍確定以廠址為中心，以廠址所在地主導(dǎo)風(fēng)向為主軸，長 10km、寬 10km，面積 100 km2 的矩形區(qū)域，見圖 151。按《關(guān)于樂山市地面水水域環(huán)境功能類別的規(guī)定的通知》，評價河段屬Ⅲ類水體，確定本項目地面水環(huán)境影響評價為三級。② 評價范圍地表水評價范圍：岷江開發(fā)區(qū)段廢水總排口上游 1km，下游 5km。（3）聲環(huán)境評價工作等級和評價范圍① 評價等級根據(jù)《環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則－聲環(huán)境》（HJ/）劃分，項目廠址屬于樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，廠界聲環(huán)境執(zhí)行 3 類標(biāo)準(zhǔn)，項目建成后距離聲環(huán)境保護(hù)目標(biāo)較遠(yuǎn)，因此確定噪聲評價等級為三級。（4）生態(tài)評價等級① 評價等級項目占地 ，屬于開發(fā)區(qū)工業(yè)用地，目前土地已平整完畢，根據(jù) 《環(huán)境影響評價技術(shù)導(dǎo)則－非污染生態(tài)影響》（HJ/T191997）規(guī)定，對生態(tài)環(huán)境影響進(jìn)行簡要分析。從本項目生產(chǎn)過程分析，重大危險源主要為物料的貯存場所，生產(chǎn)場所包括罐區(qū)。罐區(qū)存在著發(fā)生重大火災(zāi)、爆炸或毒物泄漏，對環(huán)境造成嚴(yán)重污染事故的可能性。② 評價范圍環(huán)境風(fēng)險評價范圍是以廠址中心為原點，半徑為 5km 的圍成的區(qū)域，見圖151。表 162 環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) （mg/Nm 3）標(biāo)準(zhǔn)值質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)名稱 標(biāo)準(zhǔn)級別 污染物 SO2 NO2 TSP PM10 氟化物 HCl1 小時平均 ? ? ?日平均 ?一級標(biāo)準(zhǔn)年平均 ? ?1 小時平均 ? ? ?日平均 ?《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB30951996) 二級標(biāo)準(zhǔn) 年平均 ? ?? 一次 ? ? ? ? ? 《工業(yè)企業(yè)設(shè)計衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)》（TJ3679） ? 日均 ? ? ? ? ? （2）地表水地表水岷江廠址段上下游執(zhí)行《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（GB38382022 ）Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)值見表 163。表 164 地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn) （mg/L，pH 除外）序號 項目 Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)限值 序號 項目 Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)限值1 pH ～ 6 亞硝酸鹽氮 ≤2 總硬度 ≤450 7 氨氮 ≤3 溶解性總固體 ≤1000 8 氟化物 ≤4 高錳酸鹽指數(shù) ≤ 9 氰化物 ≤5 硝酸鹽氮 ≤20 10 硫酸鹽 ≤250（4）聲環(huán)境廠址區(qū)域聲環(huán)境現(xiàn)狀執(zhí)行《城市區(qū)域環(huán)境噪聲標(biāo)準(zhǔn)》（GB309693 ）3 類標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)值見表 165。表 167 大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn) （mg/Nm 3）污染物最高允許排放濃度mg/m3排氣筒高度 m排放速率kg/h無組織監(jiān)控濃度限值mg/m3備注15 30 15SO2 55040 25GB162971996 表 2 中二級樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 1215 30 NOX（以NO 2 計） 24040 15 20 顆粒物12030 2315 20 HCl10030 15 30 HF（參照氟化物標(biāo)準(zhǔn)） 40 表 168鍋爐大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)鍋爐類別 煙塵 煙氣黑度 SO2 NOX燃?xì)忮仩t 燃?xì)?10 Ⅰ 100 400169 工業(yè)爐窯大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)爐窯類別 煙塵加熱爐 非金屬加熱爐 200（2）水污染物本項目生產(chǎn)過程中排出的工藝污水先進(jìn)入廠區(qū)的污水處理站，處理達(dá)標(biāo)后通過白灘堰排入岷江。具體標(biāo)準(zhǔn)值見表 1610。表 1611 噪聲評價標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)名稱和類別 噪聲限值（dB）樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 13晝間 夜間《工業(yè)企業(yè)廠界噪聲標(biāo)準(zhǔn)》（GB1234890）Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn) 65 55《建筑施工廠界噪聲限值》（GB1252390） 6585 55 控制標(biāo)準(zhǔn)（1）固體廢物執(zhí)行《危險廢物鑒別標(biāo)準(zhǔn)》（ ～31996 ）、《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB185992022 ）及《危險廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB125252022）；（2）《環(huán)境保護(hù)圖形標(biāo)志排放口（源）》（ ）；（3）《環(huán)境保護(hù)圖形標(biāo)志 固體廢物貯存（處置）場》（1995）（4）重大危險源識別采用《重大危險源辯識》GB182182022 。樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 1地點和建設(shè)性質(zhì)項目名稱：樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目項目性質(zhì)：新建 建設(shè)地點：樂山高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建業(yè)大道以南，樂高大道和茶山路之間。、規(guī)格及用途 多晶硅(Si，產(chǎn)品) 性質(zhì)多晶硅 具灰色金屬光澤，熔點 1410℃、沸點 2355℃、密度 ～，溶于氫氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和鹽酸。冶金用硅是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成，一般純度為 97～%，最高可達(dá) %以上。太陽能級多晶硅純度介于冶金級硅與電子級硅之間，至今未有明確界定。樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 15 規(guī)格本項目多晶硅產(chǎn)品的規(guī)格和質(zhì)量指標(biāo)見表 231。是電子工業(yè)中廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。 四氯化硅(SiCl 4，副產(chǎn)物 ) 性質(zhì)四氯化硅 無色透明發(fā)煙液體，具有難聞的窒息性氣味。樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 16 規(guī)格四氯化硅(高沸物) 工業(yè)級 含 SiCl4 ≥95% 產(chǎn)品用途用于制硅酸酯類、有機(jī)硅單體、有機(jī)硅油、高溫絕緣材料、硅樹脂、硅橡膠等，也用作煙幕劑。熔點 ℃、沸點 33℃、相對密度 ，溶解性 能溶于二硫化碳、四氯化碳、氯仿、苯等。本項目多晶硅生產(chǎn)裝置以及配套的公用工程和輔助設(shè)施詳見表 241。3000t/a 太陽能級多晶硅裝置包括：三氯氫硅合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、三氯氫硅氫還原、還原尾氣干法分離、四氯化硅氫化、氫化氣干法分離、氯硅烷貯存、硅芯制備、產(chǎn)品整理、廢氣和殘液處理、工藝廢料處理廢氣、廢水、固廢、噪聲二 公用工程 儲運設(shè)施、維修、污水處理站、渣場揚塵、廢水、建渣、機(jī)械噪聲 廢水、無組織廢氣、固廢、噪聲樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 17四 辦公及生活設(shè)施 本項目定員約 人。簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 1工藝流程及產(chǎn)污分析 工藝技術(shù)方案目前國際上多晶硅生產(chǎn)工藝有 70%以上均采用改良西門子法，如：德國WACKER 公司、美國 HSC 公司、日本德山、三菱、住友公司、意大利 MEMC公司、國內(nèi)的洛陽中硅集團(tuán)、峨嵋半導(dǎo)體材料廠以及新光硅業(yè)科技公司的 1260噸/年多晶硅裝置等的生產(chǎn)工藝均屬此類，均經(jīng)由三氯氫硅的氫還原反應(yīng)獲得多晶硅產(chǎn)品。與經(jīng)由三氯氫硅反應(yīng)的改良西門子法相比，該方法對生產(chǎn)的安全性要求及總生產(chǎn)成本均更高，故此法采用不多，其技術(shù)的改進(jìn)和提高還在研究中。如：德山曹達(dá)的熔融析出法（VLD 工藝），采用筒狀反應(yīng)爐，析出液體狀硅；瓦克的沸騰床法，采用 FBR 型反應(yīng)器，生成粒狀硅等等，但這些工藝均尚處于研究或試驗階段。故本項目 1500 噸/年電路級多晶硅裝置采用改良西門子法生產(chǎn)多晶硅。國內(nèi)技術(shù)整體上還不很成熟，原料和公用工程（電等）消耗較高，但軟件費用低；俄羅斯技術(shù)，原料和公用工程消耗比國內(nèi)技術(shù)略低，在國內(nèi)已有在建裝置；美國公司的生產(chǎn)技術(shù)先進(jìn)，也較為成熟，消耗比國內(nèi)技術(shù)低，但軟件費用相當(dāng)昂貴，而且還有出口限制等問題。本可研，暫按引進(jìn)技術(shù)結(jié)合國內(nèi)技術(shù)考慮。樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 同時，生成硅的高氯化物的副反應(yīng)，生成 SinCl2n+2 系的聚氯硅烷及 SinHmCl(2n+2)m類型的衍生物。200。樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 該工藝可以保證制備高純的用于多晶硅生產(chǎn)的三氯氫硅和四氯化硅（用于氫化） 。 還原尾氣干法分離工序還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。 HClSilSiCl???324 氫化氣干法分離工序從四氯化硅氫化工序來的氫化氣經(jīng)此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。 硅芯制備工序硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對硅芯進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然后對硅芯進(jìn)行干燥。簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 21 產(chǎn)品整理工序用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對多晶硅塊進(jìn)行干燥。含有 NaCl、Na2SiO3 的出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。水解和中和反應(yīng) 2423 352 HCalSiOHCaOSiHl ???24426 liil 242 68aSaS???經(jīng)過規(guī)定時間的處理，用泵從槽底抽出含H4SiONaClH4SiONa2SiO3 的液體，送往工藝廢料處理工序。簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 22廢硅粉處理的廢液等在此工序進(jìn)行混合、中和后，經(jīng)過壓濾機(jī)過濾。濾液主要為 NaCl 溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。B．Ⅱ 類廢液處理來自硅芯制備工序和產(chǎn)品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用堿液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進(jìn)行蒸發(fā)、濃縮和結(jié)晶。在對廢棄的酸洗溶液和處理石灰乳液時產(chǎn)生的污水進(jìn)行混勻時發(fā)生的礦物酸中和伴隨著下列方應(yīng)： OHNaNaOH233???CFF2)(2233 )(aSS4242)(??? 工藝流程及產(chǎn)污分析 氫氣制備與凈化工序在電解槽內(nèi)經(jīng)電解脫鹽水制得氫氣。除氧后的氫氣通過一組吸附干燥器而被干燥。電解制得的氧氣經(jīng)冷卻、分離液體后，送入氧氣貯罐。 三氯氫硅合成工序原料硅粉經(jīng)吊運，通過硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。供應(yīng)料斗內(nèi)的硅粉用安裝于料斗底部的星型供料機(jī)送入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管。簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 23氫氣混合后，引入三氯氫硅合成爐進(jìn)料管，將從硅粉供應(yīng)料斗供入管內(nèi)的硅粉挾帶并輸送，從底部進(jìn)入三氯氫硅合成爐。反應(yīng)大量放熱。出合成爐頂部挾帶有硅粉的合成氣，經(jīng)三級旋風(fēng)除塵器組成的干法除塵系統(tǒng)除去部分硅粉后，送入濕法除塵系統(tǒng)，被四氯化硅液體洗滌，氣體中的部分細(xì)小硅塵被洗下；洗滌同時，通入濕氫氣與氣體接觸，氣體所含部分金屬氧化物發(fā)生水解而被除去。 合成氣干法分離工序從三氯氫硅氫合成工序來的合成氣在此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環(huán)回裝置使用。氣體中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗滌液中。出噴淋洗滌塔塔頂除去了大部分氯硅烷的氣體，用混合氣壓縮機(jī)壓縮并經(jīng)冷凍降溫后，送入氯化氫吸收塔，被從氯化氫解析塔底部送來的經(jīng)冷凍降溫的氯硅烷液體洗滌，氣體中絕大部分的氯化氫被氯硅烷吸收，氣體中殘留的大部分氯硅烷也被洗滌冷凝下來。氫氣流經(jīng)氫氣緩沖罐，然后返回氯化氫合成工序參與合成氯化氫的反應(yīng)。出氯化氫吸收塔底溶解有氯化氫氣體的氯硅烷經(jīng)加熱后，與從噴淋洗滌塔底來的多余的氯硅烷匯合，然后送入氯化氫解析塔中部，通過減壓蒸餾操作，在塔頂?shù)玫教峒兊穆然瘹錃怏w。簡本 國家環(huán)境保護(hù)總局環(huán)境發(fā)展中心 24的氯硅烷液體，大部分經(jīng)冷卻、冷凍降溫后，送回氯化氫吸收塔用作吸收劑，多余的氯硅烷液體（即從三氯氫硅合成氣中分離出的氯硅烷），經(jīng)冷卻后送往氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽。原料氯硅烷液體、還原氯硅烷液體和氫化氯硅烷液體分別用泵抽出，送入氯硅烷分離提純工序的不同精餾塔中。塔頂排出不凝氣體和部分二氯二氫硅，送往廢氣處理工序進(jìn)行處理；塔頂餾出液為含有低沸點和高沸點雜質(zhì)的三氯氫硅冷凝液，依靠壓差送入 2 級精餾塔；塔釜得到含雜質(zhì)的四氯化硅，用泵送四氯化硅回收塔進(jìn)行處理。2 級精餾為雙系列生產(chǎn)線。3 級精餾目的是脫除三氯氫硅中的低沸點雜質(zhì)。塔頂餾出含有二氯硅烷和三氯氫硅的冷凝液，靠位差流至二級三氯氫硅槽；塔底釜液為三氯氫硅，用泵送入 4 級精餾塔。3 級釜液送入4 級精餾塔中部。5 級塔頂餾出的三氯氫硅冷凝液送入五級冷凝液槽，一個貯槽注滿后分析三氯氫硅是否符合工業(yè)級三氯氫硅對雜質(zhì)含量的要求，在分析有效的情況下，工業(yè)級精制的三氯氫硅從貯槽靠位差流至 8 級精餾塔。樂山高新區(qū) 3000t/a 多晶硅項目環(huán)境影響報告書 6 級塔頂餾出物為去除了高、低沸點雜質(zhì)的精制三氯氫硅，分析符合多晶硅生產(chǎn)的質(zhì)量要求后，靠位差流至多晶硅制取工序。還原氯硅烷冷凝液經(jīng) 7 級進(jìn)料預(yù)熱器進(jìn)入 7 級精餾塔。8 級精餾塔用于還原氯硅烷中高沸點雜質(zhì)的脫除。塔底釜液是含有高沸點餾份的三氯氫硅，用泵送至二級三氯氫硅槽。塔頂?shù)酿s出物是三氯氫硅，連續(xù)送往 10 級