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2025-05-25 21:50本頁面
【正文】 17 / 2收稿日期、通訊作者、基金項目、作者簡介、網(wǎng)絡(luò)出版時間、網(wǎng)路出版地址，標(biāo)題六黑，內(nèi)容六宋。注明基金項目及其編號，作者簡介包括姓名、出生年、性別、籍貫（?。?、職稱、學(xué)歷、研究方向和 。引言應(yīng)簡單介紹課題的背景和目的，相關(guān)領(lǐng)域前人所作工作，存在的問題，引出本研究的主題與及特色。其中，量和單位使用規(guī)定“符號”，量符號用斜體，單位符號用正體，相同符號表示不同量時，可用下標(biāo)或括號加以區(qū)分。 圖、表、公式請全文連續(xù)編號）基金項目：國家自然科學(xué)基金資助項目（。金屬半導(dǎo)體金屬型光電探測器（）是由兩個金屬電極直接沉積在半導(dǎo)體材料表面形成的平板型光電探測器，光暗電導(dǎo)比和光響應(yīng)度是衡量性能的重要指標(biāo)[]。但由于晶體硅表面對可見光及紅外光的高反射率導(dǎo)致硅光電探測器在相應(yīng)波段的響應(yīng)度比較低，制約了硅基性能的提高[]。籟叢媽羥為贍僨蟶練淨(jìng)。一級標(biāo)題小四，黑體，居左 實驗表為應(yīng)用田口實驗設(shè)計的()混合直交表[]，研究薄膜的鍍制條件。結(jié)合灰關(guān)聯(lián)分析求得本系統(tǒng)最佳鍍膜參數(shù)組合。預(yù)頌圣鉉儐歲齦訝驊糴買。滲釤嗆儼勻諤鱉調(diào)硯錦鋇。鐃誅臥瀉噦圣騁貺頂廡縫。表頭：小五號，黑體，取中。（注：表題為中英文對照，文字和符號的標(biāo)注應(yīng)與正文相同）擁締鳳襪備訊顎輪爛薔。二級標(biāo)題五號，黑體結(jié)果與討論物相分析等[]研究了直流濺射功率( )對室溫下生長薄膜成分分布的影響：隨著濺射功率的增加，平均沉積速率逐漸增加，而且薄膜由富態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樨殤B(tài)（如圖所示），與等[]報道的結(jié)果一致。贓熱俁閫歲匱閶鄴鎵騷鯛。–)圖 電極的()充放電曲線 壇摶鄉(xiāng)囂懺蔞鍥鈴氈淚。圖題：小號，宋體。曲線圖總尺寸最好為： cm cm，一般用號字（最小為號字）排版，全圖字號一致。蠟變黲癟報倀鉉錨鈰贅。圖（）為硅片表面濺射的金薄膜退火后形成的金納米顆粒的電鏡照片。圖（）為所制備的多孔硅（）的表面電鏡照片。買鯛鴯譖曇膚遙閆擷凄屆。綾鏑鯛駕櫬鶘蹤韋轔糴飆。儀器繪圖請
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