[信息與通信]半導(dǎo)體器件原理與工藝-在線瀏覽
2025-05-09 02:49本頁(yè)面
【正文】 1um/min in etching rate 半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的聯(lián)氨腐蝕 ? 也是各向異性腐蝕 ? 典型配方 ? 100mL N2H4 ? 100mL H2O ? 2 um/min, 100176。 C 20um/hr ? 90176。 會(huì)腐蝕 Al ? 晶向選擇性： （ 111） ： （ 100） ~ 1： 35 ? （ 100）硅的典型腐蝕速率： ? 70176。腐蝕 Al, 有點(diǎn)腐蝕 SiO2，基本不腐蝕 Nitride EDP腐蝕液：和 KOH類似，但有毒。半導(dǎo)體器件原理與工藝 半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的各向異性腐蝕 ? 一般情況下，腐蝕速率 ： (100)(110)(111) ? (111)晶面族是各向異性腐蝕的停止面 ? 共有八個(gè)（ 111）晶面 ? (100)硅片上各向異性腐蝕會(huì)形成三種基本結(jié)構(gòu) ? V型槽 ? 四面體錐坑 ? 四面錐腔 半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的各向異性腐蝕 半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的各向同性和各向異性腐蝕 半導(dǎo)體器件原理與工藝 (100)硅的垂直腐蝕 半導(dǎo)體器件原理與工藝 硅的各向異性腐蝕 凸角和凹角 ? 各向異性濕法腐蝕 ? 凸角過(guò)腐蝕 ? 凹角腐蝕停止在 111交面 半導(dǎo)體器件原理與工藝 各向異性腐蝕例 典型腐蝕坑 微機(jī)械加速度計(jì) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 腐蝕過(guò)程模擬 半導(dǎo)體器件原理與工藝 腐蝕過(guò)程模擬 (續(xù) 1) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 腐蝕過(guò)程模擬 (續(xù) 2) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 腐蝕過(guò)程模擬 (續(xù) 3) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 凸角腐蝕補(bǔ)償 半導(dǎo)體器件原理與工藝 各向異性硅腐蝕液 堿性腐蝕液，例如 KOH, NaOH等，腐蝕 可以得到較平滑的表面。在腐蝕液中加如異丙醇可以增加 (100)和 (111)的腐蝕速率比。不腐 蝕金屬（在某些情況下包含 Al）和 SiO2 TMAH腐蝕液：和 EDP類似但無(wú)毒，在某些情況下不腐蝕 Al，不腐蝕 SiO2 ● ● ● 半導(dǎo)體器件原理與工藝 EDP腐蝕 1 ? 乙二氨，鄰苯二酚，水 Ethylene Diamine Pyrocatechol 或稱為： EPW （ Ethylene Diamine – Pyrocatechol – Water) ? EDP腐蝕采用的掩膜材料： SiO2, Si3N4, Au, Cr, Ag, Cu, Ta。 C 14um/hr ? 80176。 C 30um/hr ? 97176。 C ? 聯(lián)氨腐蝕很危險(xiǎn) ? 威力很強(qiáng)的還原劑（火箭燃料） ? 易燃液體 ? 易自燃 N2
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1