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一pecvd原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)-在線瀏覽

2025-05-09 01:16本頁面
  

【正文】 在硅片上的氮化硅。在沉積工藝中,伴有大量的氫原子和氫離子的產(chǎn)生,使得晶片的氫鈍化性十分良好。 PECVD的原理 3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2↑ ? Si3N4的認(rèn)識 : Si3N4膜的顏色隨著它的厚度的變化而變化,其理想的厚度是 75— 80nm之間,表面呈現(xiàn)的顏色是深藍(lán)色, Si3N4膜的折射率在 —,與酒精的折射率相乎,通常用酒精來測其折射率。 ? 防氧化 :結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。 ? 槳:由碳化硅材料制成,具有耐高溫、防變形等 性能。 ? LIFT:機(jī)械臂系統(tǒng),使舟在機(jī)械臂作用下在小 車、槳、儲存區(qū)之間互相移動。 ? 加熱系統(tǒng):位于石英管外,有五個溫區(qū)。 冷卻系統(tǒng)的優(yōu)點 : ? 沒有消耗凈室空氣 ? 不同管間無熱干涉 ? 爐環(huán)境的溫度沒有被熱空氣所提升 ? 空氣運動(通風(fēng)裝置)沒有使房間污染 ? 噪音水平低 冷卻系統(tǒng)示意圖 特氣柜: MFC 氣動閥 MFC:氣體流量計( NH3 CF4 SiH4 O2 N2) ? SiH
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