【正文】 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 四、太陽能電池的主要缺點 (1)地面應(yīng)用時有間歇性和隨機性。 (2)能量密度較低，標(biāo)準(zhǔn)條件下，地面上接收到的太陽輻射強度為 1000W/m2。而在冬季大致只有一半，陰天一般只有 1／ 5左右。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 五、太陽輻射 太陽的能量主要來源于氫聚變成氦的聚變反應(yīng)，每秒產(chǎn)生 3. 90 l023kW能量。 地球只接受到太陽總輻射的二十二億分之一，即有 1014 kW達(dá)到地球大氣層上邊緣(“上界” )，由于穿越大氣層時的衰減，最后約 1013 kW達(dá)地球表面，這個數(shù)量相當(dāng)于全世界發(fā)電量的數(shù)萬倍。 1981年 10月在墨西哥召開的世界氣象組織儀器和觀測方法委員會第八屆會議通過的太陽常數(shù)的大小是： ISC=1367177。 實際上，一年中的日地距離是變化的，因此 ISC的值也稍有變化。 太陽光線的實際路程與此最短路程之比稱為大氣質(zhì)量。 因此，大氣層上界的大氣質(zhì)量 m=0。大氣質(zhì)量的示意圖如圖所示。 地面上的大氣質(zhì)量計算公式為： m=secθZ=1/sin?s 式中 θZ太陽天頂角； ?s太陽高度角。 （ 2）高度角 ?s 高度角就是太陽光線 OP與其在地平面上投影線 Pg之間的夾角，它表示太陽高出水平面的角度。 （相當(dāng)于太陽光和垂線方向成 角）為光伏業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)。 利用已知高度的物體的投影估算大氣光學(xué)質(zhì)量 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 五、太陽輻射（參數(shù)） 太陽光譜 (1)太陽光譜的定義 太陽看上去是白色的，但是如果使一束太陽光通過一個玻璃三棱鏡，那么就在白色幕布上，出現(xiàn)條紅，橙、黃、綠、青、藍(lán)、紫等彩色光帶。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 五、太陽輻射（參數(shù)） (1)太陽光譜的定義 整個太陽光譜的波長是非常寬廣的，從幾個埃到幾十米。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 五、太陽輻射（參數(shù)） (2)光譜的分類 光譜按產(chǎn)生的方法可以分為發(fā)射光譜和吸收光譜兩大類。 發(fā)射光譜又分為連續(xù)光譜和明線光譜。 連續(xù)光譜是固體或液體在高溫下所發(fā)出的光生成的，包含由紅到紫各式各樣的色光在內(nèi)的連續(xù)彩色光帶。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 太陽光譜是一種吸收光譜，它是在連續(xù)光譜的背景上分布許多暗線。 五、太陽輻射（參數(shù)） (2)光譜的分類 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 地球大氣上界的太陽輻射光譜的 99%以上在波長 ～ 。 五、太陽輻射（參數(shù)） (2)光譜的分類 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 太陽能不能直接儲存，必須轉(zhuǎn)換成其他形式能量才能儲存。 （ 1） 電能儲存 在太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中，主要是用蓄電池將太陽能電池發(fā)出來的電能儲存。 六、太陽能儲存方式 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 太陽能不能直接儲存，必須轉(zhuǎn)換成其他形式能量才能儲存。 （ 2） 熱能儲存 利用材料的顯熱儲能是最簡單的儲能方法。 六、太陽能儲存方式 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 (3) 潛熱儲存 利用材料在相變時（ 從一種相轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N相時 ）吸入的潛熱儲能，其儲能量大。 如純鐵在無限緩慢的冷卻過程中，由一種相轉(zhuǎn)變成另一種相的過程中溫度是不變的，這就說明物質(zhì)在發(fā)生相變時，放出的潛藏?zé)崃康窒艘徊糠忠蚶鋮s散失的熱量，所以溫度不變。 (5)太陽池儲熟 太陽池是一種具有一定鹽濃度梯度的鹽水池，可用于采集和儲存太陽能。它能以氣相、液相、固相（氫化物）或化合物（如氨、甲醇等）形式儲存。 (7)機械能儲存 太陽能轉(zhuǎn)換為電能，帶動電動水泵將低位水抽至高位，便以位能的形式儲存太陽能； 太陽能轉(zhuǎn)換為熱能，推動熱機壓縮空氣，也能儲存太陽能。 光伏發(fā)電是指“光 電轉(zhuǎn)換”。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 . 提綱 一、半導(dǎo)體材料及特點 二、 PN結(jié) 原理 三、 太陽能電池的工作原理 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 一、 半導(dǎo)體材料及其特點 半導(dǎo)體的特性 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 半導(dǎo)體特性 ? 何謂半導(dǎo)體 物體分類 導(dǎo)體 —電導(dǎo)率為大于 ，量級 。 — 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間。 電導(dǎo)率 10221014 量級，如：橡膠、云母、 塑料等。 電阻率：銀 Ag （ 106Ω m） OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 電阻率與電導(dǎo)率 (1)電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。國際單位制中，電阻率的單位是歐姆 m??OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 電阻率與電導(dǎo)率 電阻率的計算公式為： 式中 ——電阻率， ； S——橫截面積， ； R——電阻值， ； L——導(dǎo)線的長度， m。電阻率是反映物質(zhì)對電流阻礙作用的屬性，電阻是反映物體對電流阻礙作用。 何為方塊電阻？ OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 電阻率與電導(dǎo)率 實驗室常用的陽極材料為 ITO玻璃，其方塊電阻為 1015Ω/□ 。 電阻大小為方塊電阻乘以金屬塊的長度和寬度之比。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 電阻率與電導(dǎo)率 電導(dǎo)率是用來表示物質(zhì)中電流動的難易程度，是物質(zhì)固有的物理量。 電導(dǎo)率的單位是 S/m或者 。 ne????3cm2 / ( )c m V S??OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 電阻率與電導(dǎo)率 對于半導(dǎo)體材料，由于電子和空穴同時導(dǎo)電，存在兩種載流子，因此其電導(dǎo)率應(yīng)用下式表示： 12n e e? ? ? ????1?2?式中 n， ——電子、空穴的濃度； ， ——電子、空穴的遷移率。 遷移率是用來說明載流子導(dǎo)電運動的一個物理量，就是當(dāng)電場強度為 lV/cm時，載流子的漂移速度。電子在硅晶體中以 1350cm/s的速度向正電極漂移。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 半導(dǎo)體材料的種類 按其結(jié)構(gòu)分，可分為三大類：單晶體、多晶體和非晶體。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 半導(dǎo)體材料的種類 (1)元素半導(dǎo)體 從周期表上看，元素半導(dǎo)體包括硅、鍺、硼、碳、灰錫、磷、灰砷、灰銻、硫、硒、碲和碘，共有 l2種，其中錫、銻和砷只有在特定的固相時才顯示半導(dǎo)體性質(zhì)。 OLED研發(fā)中心 電子科技大學(xué) OLED研發(fā)中心 半導(dǎo)體材料的種類 (2)化合物半導(dǎo)體 可分為 Ⅲ ～ V族半導(dǎo)體、 Ⅱ ～ V族半導(dǎo)體、 Ⅳ ～Ⅵ 族半導(dǎo)體、 V ～ Ⅵ 族半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、硫化物半導(dǎo)體和稀土化合物半導(dǎo)體等。常見的如：砷化鎵。 純度： %，“ 7N”， 它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。 導(dǎo)帶和價帶之間為禁帶。 2. 在