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隧穿場(chǎng)效應(yīng)管的特性分析及仿真開題報(bào)告-在線瀏覽

2025-03-08 00:36本頁面
  

【正文】 柵控 PIN 結(jié)構(gòu)的隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管( TFET) 的 應(yīng) 用 也 越 來 越 廣 泛, 其 閾 值 擺 幅 可以突 破 傳 統(tǒng) MOSFET60 mV / dec 的 下 限。業(yè)界認(rèn)為,半導(dǎo)體工業(yè)正在快速接近晶體管小型化的物理極限。最新研究表明,TFET性能可與目前的晶體管相媲美,而且能效也較以往有所提高,有望解決上述過熱問題。而隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TunnelingTransistor或者TFET)的工作原理是帶間隧穿(BandtobandBTBT最早由Zener在1934年提出來。下圖是一個(gè)型的雙柵結(jié)構(gòu)的SiTFET是一個(gè)p+in+結(jié)構(gòu),i區(qū)上方是柵介質(zhì)和柵電極。在理想狀態(tài)下,一個(gè)p+區(qū)和n+區(qū)摻雜對(duì)稱的TFET在不同極性的柵極電壓偏置下可以表現(xiàn)出雙極性。對(duì)于p型TFET來說,p+區(qū)是漏區(qū),i區(qū)是溝道區(qū),n+區(qū)是源區(qū)。下面以nTFET為例,描述它的基本工作原理:(1) Vg=Vs=0V,Vd(a)所示。(2) Vs=0V,Vg=
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