磁共振波譜法nmrppt課件-在線瀏覽
2025-03-04 06:05本頁面
【正文】 求：不含 1H，對樣品溶解性好 57 以 CH3Br為例： 1 6 2 H z6 0 M H zν6 0 M H z ,ν1 . 4 0 9 2 T ,H 1. T M S0 ???? m10Hz1060 162H zδ 66 ????2 7 0 H z1 0 0 M H zν，1 0 0 M H zν，2 . 0 3 8 7 TH 2. 3CHT M S0 ???? 270H zδ 66 ???? 磁場強度不同，所測共測頻率不等，但 δ值一致 ,便于比較 58 NMR譜圖中各物理量及參數(shù)關(guān)系圖 59 三、化學位移的影響因素 主要因素： 取代基電負性 化學鍵的磁各向異性 氫鍵的影響 60 (一 )取代基的電負性 取代基電負性大 氫核的電子云密度降低 屏蔽效應減弱（ σ?。? ?值增加 61 0123PP MCH3Cl 化學式 CH 3 F CH 3 OH CH 3 Cl CH 3 Br CH 3 I CH 4 T M S CH 2 Cl 2 CH Cl 3 取代元素 F O Cl Br I H Si 2 Cl 3 Cl 電負性 － － 氫核的 δ 0 62 磁各向異性 質(zhì)子在分子中所處的空間位置不同，屏蔽作用不同的現(xiàn)象 HHHHHHHHHHHHHHHHHH十八輪烯 C18H18 δ= δ= 63 （ 1）芳環(huán)的磁各向異性 64 H0 苯環(huán)的不同位置屏蔽效應程度不同 正屏蔽區(qū)：實受外磁場強度降低， 屏蔽效應增大 的區(qū)域。 δ值變大 65 （ 2）雙鍵 C = C C = O 電子云分布在雙鍵平面的上下方 66 H0 雙鍵上的氫處于去屏蔽區(qū) 共振峰出現(xiàn)在低場（ δ值大） 67 H0 （ 3）叁鍵 叁鍵上的氫處于正屏蔽區(qū) （高場， δ?。? π電子云圍繞鍵軸呈圓筒狀對稱分布 68 C H 2C H 3比較下列三種氫的 δ值 C H69 3. 氫鍵的影響 分子形成氫鍵后，質(zhì)子周圍電子云密度降低 共振峰移向低場（ δ值增大） 分子間氫鍵：化學位移易受溶液濃度，溫度和溶劑的影響 分子內(nèi)氫鍵受以上因素影響較小 70 乙醇濃度增加，分子間氫鍵增強，化學位移增大 71 低磁場 高磁場 去屏蔽區(qū) 屏蔽區(qū) 72 第 4節(jié) 自旋耦合與自旋系統(tǒng) 一、自旋耦合與峰的裂分 討論化學位移時，只考慮了核外電子云的影響，未考慮分子中其他原子核的核磁矩的影響 核磁矩的相互作用會影響峰數(shù) 73 C H 2 C H 374 自旋耦合與自旋裂分的產(chǎn)生 自旋耦合 ：分子中鄰近自旋核的核磁矩之間的 相互干擾 自旋裂分 ：由于 自旋耦合引起的共振吸收峰增 多的現(xiàn)象 75 H0 產(chǎn)生自旋分裂的原因： 氫核自旋時的核磁矩有兩種取向： 與外加磁場方向相反 ，或 與外加磁場方向相同 H0 76 （ 1） C2上沒有質(zhì)子 （ 2） C2上有 1個質(zhì)子 （ 3） C2上有 2個質(zhì)子 （ 4） C2上有 3個質(zhì)子 C CH A1 2 相鄰基團上的氫原子數(shù)目對吸收峰分裂的數(shù)目有影響 77 C CH A（ 1）相鄰碳上無質(zhì)子 0)1(2 H???? ??只出現(xiàn)一個共振峰 78 79 CH BCH A（ 2）相鄰碳上只有一個質(zhì)子 HB的核磁矩共有 2種取向（兩種核磁矩） 80 H0 與外加磁場方向相同 HA實際上受到的磁場： H0(1σ)+ΔH B A 81 與外加磁場方向相反 HA實際上受到的磁場： H0(1σ)ΔH H0 A B 82 H0(1σ)+ΔH H0(1σ)ΔH H0(1σ) )( ppm?83 T h u A p r 1 0 1 3 : 4 2 : 0 9 2 0 0 8W i n d o w 1 : 1 H A x i s = p p m S c a l e = 1 6 . 3 3 H z / c mH 3 C
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