光伏原理第二章ppt課件-在線瀏覽
2025-03-01 08:51本頁面
【正文】 ? 常見的密排堆積方式的種類有： 簡單立方堆積 體心立方堆積 面心立方堆積 密排六方堆積 金剛石型堆積 9 面心立方堆積 10 金剛石型堆積 109186。 11 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 結(jié)構(gòu)類型 半導(dǎo)體材料 金剛石型 Si，金剛石， Ge 閃鋅礦型 GaAs， ZnO， GaN， SiC 纖鋅礦型 InN， GaN， ZnO， SiC NaCl型 PbS， CdO 12 晶體類型 ? 金屬晶體 通過金屬鍵而形成的晶體 ? 離子晶體 通過離子鍵而形成的晶體 ? 分子晶體 通過分子間作用力而形成的晶體 ? 原子晶體 通過共價鍵形成的晶體 13 amp。 ? 要導(dǎo)電就要有自由電子存在。被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導(dǎo)帶，這個能量的最小值就是 禁帶寬度 。 ? 在熱平衡條件下，能量為 E的能級被電子占據(jù)的概率為 ? k是玻爾茲曼常數(shù)，即 1023J/K； T為絕對溫度； EF為費米能級。它不代表可為電子占據(jù)的真實能級，只是個參考能量。 ? 本征半導(dǎo)體也存在電子和空穴兩種載流子 ? 但電子數(shù)目 n和空穴數(shù)目 p一一對應(yīng)，數(shù)量相等， n＝ p。 25 N型半導(dǎo)體 ? P是第 V族元素，每一個 P原子具有 5個價電子 ? P替位式摻入 Si中，其中四個價電子和周圍的硅原子形成了共價鍵，還剩余一個價電子 ? 相當于形成了一個正電中心 P＋ 和一個多余的價電子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 額外的電子 26 N型半導(dǎo)體的概念 ? 在硅或鍺的晶體中摻入少量的 5 價雜質(zhì)元素，即構(gòu)成 N 型半導(dǎo)體 (或稱電子型半導(dǎo)體 )。 ? V族雜質(zhì)在硅中電離時，能夠釋放電子而產(chǎn)生導(dǎo)電電子并形成正電中心，稱為施主雜質(zhì)。 ? 使價電子擺脫束縛所需要的能量稱為雜質(zhì)電離能 D C DE E E? ? ?EC EV ED Eg DE?EV－－ 價帶能級 EC－－ 導(dǎo)帶能級 ED－－ 施主能級 Eg－－ 帶隙寬度 ? ?28 多子和少子 ? N型半導(dǎo)體中，自由電子濃度遠大于空穴的濃度，即 n p 。 29 P型半導(dǎo)體 ? B是第 III族元素，每一個B原子具有 3個價電子 ? B替位式摻入 Si中，當它和周圍的原子形成了共價鍵時，還缺少一個價電子，必須從別處硅原子中奪取一個價電子，于是在硅晶體的共價鍵中產(chǎn)生了一個空穴 ? 相當于形成了一個負電中心 B－ 和一個多余的空穴 額外的空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 30 P型半導(dǎo)體的概念 ? 在硅或鍺的晶體中摻入少量的 3 價雜質(zhì)元素，即構(gòu)成 P 型半導(dǎo)體 (或稱空穴型半導(dǎo)體 )。 31 受主電離能和受主能級 ? 多余的空穴束縛在負
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