【正文】 ≈ IB β β βIE≈IEN= IBN+ ICN =(1+ ) IB＋ (1+ ) ICBO≈(1+ ) IB β β β167。 一 . 共射極特性 1. 共射極輸入特性曲線 — 以 為參量， 與 的關(guān)系 CEuBi BEuCBEB CE)( ?? uufi特點(diǎn)：類(lèi)似二極管特性， 但并非是 e結(jié)特性， 因 e結(jié)與 c結(jié)是相關(guān)的 即受 控制的 CEuSi UBE: － Ge UBE: － 167。 變化對(duì) 影響很小 CEu Ci飽和區(qū) —— 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏 VCE的變化對(duì) Ic影響很大 而 Ic不隨 IB變化 僅受 VCE控制 把 VCE = VBE 稱 臨界飽和 飽和時(shí) 稱 飽和壓降 用 VCES表示 (Si管約為 )小功率 截止區(qū) —— 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反偏 此時(shí) iE=0 ,iC=ICBO 截止區(qū) 即為 iB=－ ICBO 的那條曲線以下的區(qū)域 但小功率管 ICBO很小 可忽略 ∴ 近似以 iB=0 為其截止條件 167。 二 . 晶體管的主要參數(shù) 1. 電流放大系數(shù) 共射直、交 流電流放大系數(shù) CBCC B OBC B OCBNCNCE, ???????? uIIII IIII ??直流 交流 共基直、交流電流放大系數(shù) CuECEC B OCENCNCBIIIIIII??????? ?? ,直流 交流 ∵ ICBO ICEO 都很小 ∴ 在數(shù)值上 ? ≈ ? ≈ β α167。使用時(shí)不能超過(guò)且注意散熱 167。VCE 在輸出 特性上畫(huà)出這一曲線 PCM ICM U（ BR） CEO 集電極最大允許電流 ICM —— 引起 ?明顯下降時(shí) 的最大集電極電流 ICICM時(shí) 管子不一定 會(huì)損壞 但 ?明顯下降 ∴ 在晶體管線性運(yùn)用 時(shí) ic不應(yīng)超過(guò) ICM 反向擊穿電壓 U(BR)CBO 射極開(kāi)路 集一基反向擊穿電壓 U(BR)CEO 基極開(kāi)路 集一射反向擊穿電壓 U(BR)EBO 集電極開(kāi)路 射一基反向擊穿電壓 167。 場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管不僅具有一般晶體管體積小， 重量輕，耗電省，壽命長(zhǎng)等特點(diǎn) 而且還有 輸入阻抗高（可達(dá) 1015?）、噪音低、熱穩(wěn)定 性好、抗輻射能力強(qiáng)和制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。 場(chǎng)效應(yīng)管 晶體管： 是由電子和空穴二種 載流子運(yùn)動(dòng)形成電流的 場(chǎng)效應(yīng)管： 是利用改變電場(chǎng)來(lái)控 制固體材料的導(dǎo)電能力 場(chǎng)效應(yīng)管 （按結(jié)構(gòu)不同）分： 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 (JFET) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 (IGFET) N溝道 P溝道 —— MOS管 P溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 167。 場(chǎng)效應(yīng)管 一 .JFET的結(jié)構(gòu)與工作原理 (以 N溝道為例 ) ID的控制作用 對(duì) N溝道 JFET，正常工作時(shí) UGS0 ，即柵源之間的 PN結(jié)處 于 反偏狀態(tài) . 當(dāng)反偏電壓增大時(shí) , 則耗盡區(qū)加寬 ,并向溝道中擴(kuò)展使溝道區(qū)變窄， 溝道電阻加大 . 當(dāng) |VGS|加大到 一定值 時(shí)兩側(cè)的耗盡區(qū)幾乎 碰上，導(dǎo)電溝道仿佛被夾斷， 167。 這時(shí)的 VGS稱為 夾斷電壓 VGS(OFF)(負(fù)電壓） , 既使加有電壓 VDS0 ，此時(shí) ID=0 夾斷狀態(tài)時(shí) ID=0 |VGS|??P+N結(jié)的耗盡層 ??溝道變窄 （即溝道電阻 ?） ?（ 1） 改變 VGS的大小就可達(dá)到控制溝道寬度的 目的，從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)溝道電阻的控制作用。 場(chǎng)效應(yīng)管 ∵ 場(chǎng)效應(yīng)管 GS上加反向偏壓 ，則反向電流很小， 若忽略反向電流 ， 則柵極電流基本為零， ∴ 控制信號(hào)的能量消耗很小 (輸入電阻大 )。 場(chǎng)效應(yīng)管 2. UDS對(duì) ID的影響 (VGS=0) 一般對(duì) N溝道 JFET， VDS0 (1)當(dāng) VGS=VDS=0時(shí)靠漏端與靠源端的 溝道寬度一樣，即具有均勻的溝道 (2)當(dāng) VGS=0而 VDS0時(shí)， 靠漏端的 P+N結(jié)的反偏程度 靠源端的 P+N結(jié)反偏程度 這使溝道兩側(cè)的耗盡區(qū)從源極到漏極逐 漸加寬，結(jié)果使溝道逐漸變窄。 場(chǎng)效應(yīng)管 當(dāng) VDS增大到 VDS= Vp 時(shí) 在漏極附近的耗盡區(qū)開(kāi)始靠攏 —— 稱 預(yù)夾斷 在預(yù)夾斷狀態(tài) ID較大為 IDSS (3)當(dāng) VDS再 ?時(shí) 耗盡區(qū)沿溝道加長(zhǎng)， 它們接觸部分 —— 稱 夾斷區(qū) 夾斷區(qū)加長(zhǎng)并不意味著 ID?為零，因?yàn)槿?ID為 零則夾斷區(qū)也不復(fù)存在。 此時(shí)的電流稱為 漏極飽和電流 IDSS 167。 3. VGS0、 VDS0 時(shí)的情況 VGS越負(fù)使耗盡區(qū)變寬、導(dǎo)電溝道變窄， VDS越正使耗盡區(qū)和導(dǎo)電溝道進(jìn)一步變得不等寬， (1)同一 VDS下，改變 VGS 使溝道寬度不同， ID也隨之改變 即 ID的大小受 VGS控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 ∵ VDS ? VP 即 VDS ? VP 預(yù)夾斷狀態(tài) 而又 ∵ VDS= VDG ∴ 器件達(dá)到預(yù)夾斷狀態(tài)的條件是 VGD?VP ∵ VGD=VGSVDS ∴ VDS ? VGSVP (2)VGS不同，產(chǎn)生預(yù)夾斷的 VDS值也不同。 場(chǎng)效應(yīng)管 二 . N溝道 JFET的特性曲線 CUGSD DSufi ?? )( — UDS一定時(shí)， UGS對(duì) iD的控制作用 為保證 JFET工作在 恒流區(qū) 要求 VDS?VGSVP 可用方程描述 定義 : 漏極飽和電流 IDSS —— VGS=0時(shí) iD的值 夾斷電壓 VP —— iD =0時(shí) VGS的值 21( ）PGSD SSD VVII ??167。 場(chǎng)效應(yīng)管 在該狀態(tài)時(shí) 導(dǎo)電溝道暢通，漏源之間呈 線性電阻特性 ∴ 又稱 線性電阻區(qū) 且該阻值大小與 VGS有關(guān)： VGS越大 (越向 0電壓逼近 )， 導(dǎo)電溝道越寬， 溝道電阻越小，在相同的 VDS值時(shí)， iD越大 ∴ 通過(guò)改變 VGS的大小可控制漏源之間 溝道電阻的大小，因而又稱 壓控電阻區(qū)。 場(chǎng)效應(yīng)管 (2)飽和區(qū)（恒流區(qū)，放大區(qū)） 條件是： VP VGS0 VDS VGSVP 這時(shí)器件工作于所謂預(yù)夾斷區(qū)， iD主要受 VGS控制，與 VDS基本無(wú)關(guān)， 呈恒流特性 ，作放大器時(shí)工作于該區(qū)域。 場(chǎng)效應(yīng)管 (3)截止區(qū) 條件是： VDS 0 VGS ? VP 這時(shí)漏源之間處于開(kāi)路狀態(tài) iD=0 應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電路 (4)擊穿區(qū) 為防器件損壞，工作時(shí)應(yīng)避免進(jìn)入該區(qū) 須保證 VDSV(BR)DS 漏源之間的擊穿電壓 167。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (MOS管 ) P 耗 P 增 PMOS 簡(jiǎn)化 一 . N溝道增強(qiáng)型 MOSFET的特性曲線 對(duì)于 N溝道增強(qiáng)型 MOS管 只有 VGSVT 才會(huì)形成導(dǎo)電溝道 開(kāi)啟電壓 iD=0 時(shí) VGS的值 167。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (MOS管 ) 對(duì) P 增 MOS管 VGS0 VDS0 iD 0 _ _ 對(duì) N 耗 MOS管 VGS可 + 0 VDS0 對(duì) P 耗 MOS管 VGS可 + 0 VDS0 二 .轉(zhuǎn)移特性曲線的比較 詳見(jiàn) P24 表 11 各類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)及特性曲線 167。 金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (MOS管 ) 三 . 場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù) 1. 直流參數(shù) —— VT、 VP、 IDSS 2. 交流參數(shù) CuGSDm DSdudig??低頻跨導(dǎo) gm定義 對(duì)耗盡型 對(duì)增強(qiáng)型 2)(2 G S t hGSoxnD UuLWCi ??? ?2/12)( ?????? ????DQoxnGSt hGSoxnm ILWCUuLWCg ??∴ 總結(jié)： 本征半導(dǎo)體 四價(jià)元素硅、鍺 化合物砷化鎵 共價(jià)鍵 載流子 （光、電、熱） P型半導(dǎo)體 空穴＞電子 多子 少子 N型半導(dǎo)體 電子＞空穴 多子 少子 摻入三價(jià)元素 硼鋁銦等 摻入五價(jià)元素 砷磷銻等 濃度差 先多子擴(kuò)散 電場(chǎng)力 后少子漂移 電子 空穴 動(dòng)態(tài)平衡后形成 PN結(jié) 本征激發(fā) 總結(jié)： 平衡后不存在載流子稱耗盡區(qū) 正負(fù)離子形成內(nèi)建電場(chǎng) UB阻擋了擴(kuò)散 稱阻擋區(qū)或勢(shì)壘區(qū) PN結(jié)反偏 內(nèi)電場(chǎng)增加為 PN結(jié)正偏 內(nèi)電場(chǎng)下降為 UUB ? UU B ?多子推離耗盡區(qū)使之變寬 利多子擴(kuò)散 耗盡區(qū)變窄 利少子漂移 形成小的 IR 小電壓 引起大的 IF 外加電壓對(duì)結(jié)的調(diào)寬效應(yīng) 勢(shì)壘電容 CT 擴(kuò)散電容 CD PN結(jié)結(jié)電容 DTj CCC ??總結(jié)： PN結(jié)的 VA特性 正向特性 反向特性 RBUuV ??SIi ??)1( / ?? kTquS eIi u:外加正向電壓 kTquS eI/? qkTU T /?nUunnS TI )(1!1???= Is:反向飽和電流 mVUKT T 26,300 ??常溫下： RBUU ? ， UBR反向擊穿電壓 反向擊穿 總結(jié)： 輕摻雜耗盡區(qū)寬 雪崩擊穿 反向電壓使少子加速 撞出區(qū)內(nèi)中性原子的電子 形成新的電子－空穴對(duì) 再加速撞出更多 連鎖反應(yīng) 雪崩現(xiàn)象 反向電流 IR激增 重?fù)诫s耗盡區(qū)窄 齊納擊穿 不大的反向電壓 區(qū)內(nèi)中性原子的 引起電子－空穴對(duì)激增 反向擊穿 電子－空穴對(duì) 形成大的耗盡區(qū)電場(chǎng) 價(jià)電子拉出鍵 反向電流 IR激增 總結(jié)： 硅材料 PN結(jié) 雪崩擊穿 雪崩加齊納擊穿 齊納擊穿 VU BR 7?VUV BR 75 ??VU BR 5?The end. return 第二章 基本電路 167。 晶體三極管放大電路 二極管電路例題 167。 晶體二極管電路 一、 二極管的基本應(yīng)用電路 a. 半波整流 若二極管視為理想，正半周 D導(dǎo)通 uo=ui 負(fù)半周時(shí) D截止 uo=0 電路 輸入 輸出 第二章 基本電路 利用四個(gè)二極管構(gòu)成的橋堆 可實(shí)現(xiàn)全波整流電路 電路 堆棧簡(jiǎn)化電路 輸入輸出波形 167。 晶體二極管電路 第二章 基本電路 雙向限幅器輸入、輸出波形 上圖是一簡(jiǎn)單 雙向限幅電路 選擇不同的 D， 可得不同的限幅電平 輸入輸出波形 雙向限幅器 167。 晶體二極管電路 第二章 基本電路 特點(diǎn) :反向工作 (具有穩(wěn)壓作用 ) 電路中需加限流電阻 (防止熱擊穿 ) 穩(wěn)定電壓 Uz 流過(guò)二極管電流為規(guī)定值時(shí) 穩(wěn)壓管二端的電壓 額定功耗 Pz 由管子溫升所限 穩(wěn)定電流 Iz正常工作時(shí)的參考電流 ,電流 小于其 ,穩(wěn)定效果差，反之好 ,但受限制 最大電流 ZZZ UPI ?m a x167。 溫度系數(shù) α 溫度變化 1℃ 時(shí) 穩(wěn)定電壓的變化量 硅穩(wěn)壓管 VUZ 5?時(shí) 為負(fù)溫系數(shù)（齊納） 時(shí) 為正溫系數(shù)（雪崩） VUZ 7?VUV Z 75 ?? 時(shí)溫度系數(shù)很小 而在 左右的穩(wěn)壓管有廣泛應(yīng)用 VU Z 6?∴ 167。 晶體二極管電路 第二章 基本電路 考慮 Ui在（ Uimin， Uimax）內(nèi) IL在（ Ilmin， ILmax）內(nèi) 確定 限流電阻 R 的取值范圍 所謂電路設(shè)計(jì) m inii UU ? m inLLRR ? 時(shí)， Iz最小 ZUU ?0當(dāng) 要使 m i nm i nm i nzLZZi IRURUU ???