電力場效應晶體管mosfe-在線瀏覽
2025-07-13 15:46本頁面
【正文】 按垂直導電結構的差異 ， 分為利用 V型槽實現(xiàn)垂直導電的 VVMOSFET和具有垂直導電雙擴散 MOS結構的VDMOSFET（ Vertical Doublediffused MOSFET） 。 電力 MOSFET的結構 2 電力場效應晶體管 截止 ： 漏源極間加正電源 ， 柵源極間電壓為零 。 導電 ： 在柵源極間加正電壓 UGS – 當 UGS大于 UT時 ， P型半導體反型成 N型而成為 反型層 ， 該反型層形成 N溝道而使 PN結 J1消失 ， 漏極和源極導電 。 ID較大時， ID與 UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為 跨導 Gfs。 漏源極之間有寄生二極管 ， 漏源極間加反向電壓時器件導通 。 圖 120電力 MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性 MOSFET的漏極伏安特性 ： 0 10 20 30 50 40 2 4 6 8 a) 10 20 30 50 40 0 b) 10 20 30 50 40 飽和區(qū) 非 飽 和 區(qū) 截止區(qū) I D / A U T U GS / V U DS / V U GS = U T =3V U GS =4V U GS =5V U GS =6V U GS =7V U GS =8V I D / A 2 電力場效應晶體管 開通過程 開通延
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