畢業(yè)設(shè)計--dc-dc芯片測試-展示頁
2024-12-12 19:47本頁面
【正文】 其他信號引腳電源或地發(fā)生短路測試時間的長短直接影響測試成本的高低而減少平均測試時間的一個最好方法就是盡可能早地發(fā)現(xiàn)并剔除壞的芯片 OpenShort測試能快速檢測出 DUT是否存在電性物理缺陷如引腳短路 bond wire缺失引腳的靜電損壞以及制造缺陷等另外在測試開始階段 OpenShort測試能及時告知測試機(jī)一些與測試配件有關(guān)的問題如 ProbeCard 或器件的 Socket 沒有正確的連接輸出驅(qū)動電流 VOLVOHIOLIOH 輸出驅(qū)動電流測試保證器件能在一定的電流負(fù)載下保持預(yù)定的輸出電平 VOL和 VOH規(guī)格用來保證器件在器件允許的噪聲條件下所能驅(qū)動的多個器件輸入管腳的能力 VOH VOLIOHIOL TEST O6 w q O8 y ]分別在邏輯條件下測定輸出電壓 IDD STATIC TEST 2 3 ]5 B4 t7 k A測定靜止?fàn)顟B(tài)下的消耗電流 IDD ACTIVE TEST 用仿真 device 在工作時頻率測定工作中的消耗電流 5 K5 T I1 P0 w W TRIMMING 簡介 Trimming 是修調(diào)的意思對于測試來說由于 wafer 工藝的影響測試的參數(shù)不能夠完全達(dá)到客戶所需要的目標(biāo)值所以只能夠改變內(nèi)部的電路其可分為以下類型 1 電容反相端相接 2 電容同相端相接 3 直接用 VI 源燒熔絲 4 LASER TRIMMING 就是先用測試機(jī)測出芯片的輸出電壓將其與期望值比較得出 TRIMMING CODELASER TRIMMING 的機(jī)器再根據(jù) TRIMMING CODE 去修調(diào)芯片其工作原理是把一束聚焦的相干光在微機(jī)的控制下定位到芯片上使芯片的待調(diào)部分的膜層氣化切除以達(dá)到規(guī)定的參數(shù)或阻值 TRIMMING 注意事項 1 芯片的 PAD 點很容易受干擾燒熔絲時接到 PAD 點上的導(dǎo)線會有天線效應(yīng)引入干擾可在 PAD 點對地并 10pF的小電容消除干擾或在針卡上加繼電器直接將燒熔絲線切斷縮短導(dǎo)線 2 有些器件熔絲值有波動可選擇將前一顆的熔絲值作為后一顆的基準(zhǔn) 3 燒熔絲時最好選擇串行熔絲的方法提高準(zhǔn)確度 4 熔絲后芯片會有殘留電荷影響測試精度可適當(dāng)延時一段時間再測試 35 測試結(jié)果 除了對于測試結(jié)果記錄還需要對影響結(jié)果的因素作出分析在 cp 測試如果某個 die 不符合規(guī)格書那么它會被測試過程判為失效 fail 通常會用墨點將其標(biāo)示出來 第四章 DCDC 芯片測試分析 41 測試編程 一旦 DUT Device under test 放置在測試儀上需要做三件事來啟動測試它們是測試程序數(shù)字測試矢量和模擬測試波形器件規(guī)范產(chǎn)生幾種行為這些行為的結(jié)果都需要測試程序自動測試程序生成系統(tǒng) 通常稱為 ATPG 要求三種類型的輸入 1 測試規(guī)范和從測試計劃得到的測試類型信息 2 由版圖獲得的器件的物理數(shù)據(jù) 管腳位置圓片分布圖等 3 由模擬器獲得的信號的時序信息和測試矢量 輸入和期望的響應(yīng) 42 測試數(shù)據(jù)分析 從 ATE獲得的測試數(shù)據(jù)服務(wù)于三個目的第一它幫助判定接受或拒絕 DUT第二它提供制造過程的有用信息第三它提供設(shè)計不足的信息沒通過測試即表明器件失效但是通過測試的器件只有在測試覆蓋 10 的故障時才能認(rèn)為是好的對測試數(shù)據(jù)的分析能夠提供器件質(zhì)量的有用信息失效器件的失效模式分析 FMA 為改善VLSI 藝過程提供了進(jìn)一步的信息失效器件經(jīng)常顯示重復(fù)失效的模型常用的方法是根據(jù)存的 DATALOG用 EXCEL來分析 fuse熔絲 每個芯片所需要燒斷的熔絲都不一樣根據(jù) CP1 的測量值就可以知道需要熔斷哪根 fuse Fuse 的阻值很小一般 1歐姆左右加大電流后一般都可以熔斷對于某個 sitebefore trim trim 和 after trim 整體結(jié)合去分析不要獨立去看待失效模式不是說看到頻率失效就要去換TMU trim 后失效的最可能的原因是因為 fuse 沒有被 trim 通常情況下和 TMU 無關(guān)的若有某個 site 測試連續(xù) fail 斷斷續(xù)續(xù) fail 等異常對于 trim 參數(shù)要整體考慮不能夠認(rèn)為頻率 after trim 后失效就是 TMU 的問題 [10]但最可能的原因是其中某個 fuse 沒有被燒斷 異常處理中可能的解決方法有以下情況 1 由于掃描步長過大導(dǎo)致電壓誤差也偏大所以需要減小掃描的步長需要把 scan step 由 20mv 改為 1mv 以便于減小CS pin 電壓值的誤差但這樣會大大增加測試時間使整片 wafer 的時間延長不利于生產(chǎn) 2 和客戶溝通制定 2 點法的測試方案不需掃描不存在 scan step 的誤差即根據(jù)計算公式求得 cs_peak 的電壓值進(jìn)而去測量 Gate pin 的頻率 3 有問題的 wafer 由于是 fail 的芯片里部分芯片應(yīng)該是 pass 的 所以將 fail 的芯片 retest 一次避免了損失 第五章 芯片 LM2576 測試案例 51 LM2576 簡介 LM2576 是從美國國家半導(dǎo)體的直流 直流 IC 產(chǎn)品范圍之一還有各種品牌的直流 直流穩(wěn)壓 IC 可用穩(wěn)壓器轉(zhuǎn)換器或另一個名稱稱為降壓穩(wěn)壓器或開關(guān)穩(wěn)壓器提供了穩(wěn)定的調(diào)整的輸出電壓供應(yīng)電子線路開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器 LM2576 如使用切換控制平均減少輸入的直流電壓這相當(dāng)于最低熱消散導(dǎo)致低輸入電壓控件將導(dǎo)致更好地調(diào)整輸出較少的能源浪費通過熱和高當(dāng)前應(yīng)用程序中的使用LM257675 以上較少的外圍元件內(nèi)置 52KHz 固定頻率發(fā)生器內(nèi)置過流過熱保護(hù)電路具有非常小的電壓電流調(diào)整率帶載能力為 3A 輸出電壓誤差范圍為177。畢業(yè)設(shè)計 DCDC 芯片測試 畢業(yè)設(shè)計論文 課題 DCDC 芯片測試 畢業(yè)設(shè)計論文開題報告 一畢業(yè)設(shè)計的內(nèi)容和意義 500 字左右 本論文總要是通過對于 DCDC 芯片的測試和學(xué)習(xí)了解芯片測試要領(lǐng)本文從內(nèi)容上主要分為六個章節(jié)第一章 DCDC芯片簡介概況性的介紹 DCDC芯片增強(qiáng)對于全文的初步認(rèn)識第二章 DCDC 芯片測試了解該章節(jié)主要從大體上對于芯片測試必要性和內(nèi)容予以說明第三章 DCDC 芯片測試方法它主要是講 ASL1000 測試機(jī)測試 DCDC 芯片的方法給全 文的主要觀點做出支持第四章 DCDC 芯片測試分析測試中和結(jié)果分析給出了見解有一個定性的分析第五章 芯片 LM2576 測試案例用一個 DCDC 芯片測試的例子簡化來加強(qiáng)學(xué)習(xí)和理解第 6 章 總結(jié)概要了論文 該文的主要意義是通過對于 DCDC 芯片的認(rèn)識一方面對于電源芯片有更加深刻的理解同時對于以后的應(yīng)用有莫大的幫助還有就是芯片的測試的學(xué)習(xí)對于整個測試有了直觀的了解明白了 DCDC 芯片測試的方法和一些理論技巧通過在ASL1000 測試機(jī)的測試操作認(rèn)識對于測試流程有了更準(zhǔn)確的認(rèn)知雖然沒有實踐的效果但是還是收益頗豐 二文獻(xiàn)綜 述 300 字左右 本論文查閱了和使用了來自期刊書籍指導(dǎo)手冊以及學(xué)術(shù)論文等多個方面資料確定了以認(rèn)識 DCDC 芯片測試以及對于一些測試技巧的修正電源芯片應(yīng)用廣泛芯片性能的穩(wěn)定性提出了相當(dāng)高的要求而對于芯
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