4可控硅工作原理-展示頁(yè)
2024-08-21 09:55本頁(yè)面
【正文】 止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，電容 c 通過(guò)b1e 結(jié)及 r。 bg 雙基極管構(gòu)成可控硅的同步觸發(fā)電路（是一個(gè)張弛振蕩器）。 可控硅的用途很廣泛，下面僅舉兩例來(lái)說(shuō)明可控硅電 路的工作過(guò)程。這是一種新型可控硅，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽(yáng)極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)。主要用于直流供電車輛（如無(wú)軌電車）的調(diào)速。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等。 ② 雙向可控硅。 第 4 頁(yè) 共 17 頁(yè) 三、多種用途的可控硅 根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，可控硅已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有； ① 快速可控硅。普通小功率可控硅參數(shù)見(jiàn)表 3lo。 （ ig） 陽(yáng)極與陰極之間加直流 6v 電壓時(shí)，使可控硅完全導(dǎo)通所必需的最小控制極直流電流。 （ uf） 在規(guī)定的條件下，器件通以額定正向平均電流時(shí)，在陽(yáng)極與陰極之間電壓降的平均值。此電壓規(guī)定為最高反向測(cè)試電壓值的 80％。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的 80％。利用這種特性可用于整流、開(kāi)關(guān)、變頻、交直流變換、電機(jī)調(diào)速、調(diào)溫、調(diào)光及其它自動(dòng)控制電路中。 可控硅的重要特點(diǎn)是。只有反向電壓達(dá)到擊穿電壓時(shí)，電流才突然增大，若不加限制器件就會(huì)燒毀。 曲線 Ⅲ 為反向阻斷特性?？煽毓鑼?dǎo)通后內(nèi)阻很小，管子本身壓降很低， 外加電壓幾乎全部降在外電路負(fù)載上，并流過(guò)比較大的負(fù)載電流，特性曲線與二極管正向?qū)ㄌ匦韵嗨啤．?dāng)控制極電流大到一定程度時(shí)，就不再出現(xiàn)正向阻斷狀態(tài)了。 圖中曲線 i為正向阻斷特性。就是說(shuō)，導(dǎo)通后撤去柵極電壓可控硅仍導(dǎo)通，只有使器件中的電流減到低于某個(gè)數(shù)值或陰極與陽(yáng)極之間電壓減小到零或負(fù)值時(shí)，器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。此時(shí)如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓（對(duì)陰極），則可控硅可迅速被激發(fā)而變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個(gè)電壓（稱為轉(zhuǎn)折電壓）時(shí)，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。當(dāng)器件的陽(yáng)極接負(fù)電位（相對(duì)陰極而言）時(shí)，從符號(hào)圖上可以看出 pn 結(jié)處于反向，具有類似二極管的反向特性。圖 329 是它的結(jié)構(gòu)、外形和圖形符號(hào)。 第 1 頁(yè) 共 17 頁(yè) 可控硅工作原理 篇一：可控硅的工作原理（帶圖） 可控硅的工作原理（帶圖） 一、可控硅是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱。它是由三個(gè) pn 結(jié)四層結(jié)構(gòu)硅芯片和三個(gè)電極組成的半導(dǎo)體器件。 可控硅的三個(gè)電極分別叫陽(yáng)極（ a）、陰極（ k）和控制極（ g）。當(dāng)器件的陽(yáng)極上加正電位時(shí)（若控制極不接任何電壓），在一定的電壓范圍內(nèi)，器件仍處于阻抗很高的關(guān)閉狀態(tài)。加在可控硅陽(yáng)極和陰極間的電壓低于轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，器件處于關(guān)閉狀態(tài)。可控硅一旦導(dǎo)通，控制極便失 去其控制作用。圖 330 是可控硅的伏安特性曲線。無(wú)控制極信號(hào)時(shí)，可控硅正向?qū)妷簽檎蜣D(zhuǎn)折電壓（ ub0）；當(dāng)有控制極信號(hào)時(shí)，正向轉(zhuǎn)折 第 2 頁(yè) 共 17 頁(yè) 電壓會(huì)下降（即可以在較低正向電壓下導(dǎo)通），轉(zhuǎn)折電壓隨控制極電流的增大而減小。 曲線 Ⅱ 為導(dǎo)通工作特性。若陽(yáng)極電壓減小（或負(fù)載電阻增加），致使陽(yáng)極電流小于維持電流 ih時(shí)，可控硅從導(dǎo)通狀態(tài)立即轉(zhuǎn)為正向阻斷狀態(tài)，回到曲線 i 狀態(tài)。當(dāng)器件的陽(yáng)極加以反向電壓時(shí)，盡管電壓較高，但可控硅不會(huì)導(dǎo)通（只有很小的漏電流）。正常工作時(shí)，外加電壓要小于反向擊穿電壓才能保證器件安全可靠地工作。只要控制極中通以幾毫 安至幾十毫安的電流就可以觸發(fā)器件導(dǎo)通，器件中就可以通過(guò)較大的電流。 二、可控硅的主要技術(shù)參數(shù) （ vpfu） 是指在控制極開(kāi)路及正向阻斷條件下，可以重復(fù)加在器件上的正向電壓的峰值。 第 3 頁(yè) 共 17 頁(yè) （ vpru） 它是指在控制極斷路和額定結(jié)溫度下，可以重復(fù)加在器件上的反向電壓的峰值。 （ if） 在環(huán)境溫度為 +40c 時(shí)，器件導(dǎo)通（標(biāo)準(zhǔn)散熱條件）可連續(xù)通過(guò)工頻（即指供電網(wǎng)供給的電源頻率 .一般為 50hz 或 60hz，我國(guó)規(guī)定為 50hz）正弦半波電流的平均值。 （ ih） 在控制極斷開(kāi)時(shí)，器件保持導(dǎo)通狀態(tài)所必需的最小正向電流。 （ ug） 是指從阻斷轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)控制極上所加的最小直流電壓。 表 310普通小功率可控硅參數(shù) *正向阻斷峰值電壓及反向阻斷峰值電壓在 30～ 3000 范圍內(nèi)分檔。這
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1