可控硅基礎(chǔ)知識講座-展示頁
2025-05-22 14:39本頁面
【正文】 陽極電位低于陰極電位 陽極電流小于維持電流 任一條件即可 單向可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件 單向可控硅電參數(shù) 序號 參數(shù) 符號 1 額定通態(tài)峰值電流 IT(RMS) 2 額定通態(tài)平均電流 IT(AV) 3 不重復(fù)通態(tài)浪涌電流 IT(TSM) 4 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VDRM 5 反向重復(fù)峰值電壓 VRRM 6 斷態(tài)重復(fù)平均電流 IDRM 7 反向重復(fù)平均電流 IRRM 8 通態(tài)平均電壓 VTM 9 控制極觸發(fā)電流 IGT 10 控制極觸發(fā)電壓 VGT 單向可控硅電參數(shù) 序號 參數(shù) 符號 11 門極（觸發(fā)極）峰值電流 I(GM) 12 門極（觸發(fā)極）峰值電壓 V(GM) 13 門極（觸發(fā)極）反向峰值電壓 V(RGM) 14 門極（觸發(fā)極）峰值功耗 P(GM) 15 門極（觸發(fā)極）平均功耗 PG (AV) 16 斷態(tài)電壓換向變化率 dVD/dt 17 通態(tài)電流換向變化率 dIT/dt 18 控制極觸發(fā)導(dǎo)通時間 tgt 19 維持電流 IH 20 關(guān)閉電流 IL 雙向可控硅等效結(jié)構(gòu) 雙向可控硅觸發(fā)模式 雙向可控硅觸發(fā)命名 雙向可控硅平面和縱向結(jié)構(gòu) KGT1 G 銅芯線電流估算 雙向可控硅 IV曲線 雙向可控硅優(yōu)缺點 優(yōu)點： 雙向可控硅可以用門極和 T1 間的正向或負(fù)向電流觸發(fā)。內(nèi)部形成正反饋，加上 IGT的作用，圖中的伏安特性 OA段左移， IGT越大，特性左移越快。 單向可控硅負(fù)阻特性及導(dǎo)通 ? 條件： J2結(jié)的雪崩擊穿 ? 分析： J2結(jié)的雪崩擊穿后 J2結(jié)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)， J2結(jié)變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降。 單向可控硅正向特性 ?條件： 控制極開路，陽極加正向電壓 ?分析： J J3結(jié)正偏，J2結(jié)反偏，這與普通 PN結(jié)的反向特性相似，也只能流過很小電流，如特性 OA段所示，彎曲處的是 UDRM叫：正向轉(zhuǎn)折電壓，也叫斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。當(dāng) J1， J3結(jié)
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