ic封裝工藝(ppt41頁)-展示頁
2025-02-27 18:26本頁面
【正文】 rd Optical 第三道光檢 EOL FOL– Back Grinding背面減薄 Taping 粘膠帶 Back Grinding 磨片 DeTaping 去膠帶 ?將從晶圓廠出來的 Wafer進行背面研磨，來減薄晶圓達到 封裝需要的厚度（ 8mils~10mils）； ?磨片時，需要在正面（ Active Area）貼膠帶保護電路區(qū)域 同時研磨背面。優(yōu)點是成本降低， 同時工藝難度加大，良率降低； ?線徑?jīng)Q定可傳導的電流； ， ， ， ； Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) 【 Mold Compound】 塑封料 /環(huán)氧樹脂 ?主要成分為：環(huán)氧樹脂及各種添加劑（固化劑，改性劑，脫 模劑，染色劑，阻燃劑等）； ?主要功能為：在熔融狀態(tài)下將 Die和 Lead Frame包裹起來， 提供物理和電氣保護，防止外界干擾； ?存放條件：零下 5176。引腳數(shù)越多，越高級，但是工藝難度也相應增加； 其中， CSP由于采用了 Flip Chip技術(shù)和裸片封裝，達到了 芯片面積 /封裝面積 =1:1，為目前最高級的技術(shù)； 封裝形式和工藝逐步高級和復雜 IC Package （ IC的封裝形式） ? QFN— Quad Flat Nolead Package 四方無引腳扁平封裝 ? SOIC— Small Outline IC 小外形 IC封裝 ? TSSOP— Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封裝 ? QFP— Quad Flat Package 四方引腳扁平式封裝 ? BGA— Ball Grid Array Package 球柵陣列式封裝 ? CSP— Chip Scale Package 芯片尺寸級封裝 IC Package Structure（ IC結(jié)構(gòu)圖） TOP VIEW SIDE VIEW Lead Frame 引線框架 Gold Wire 金 線 Die Pad 芯片焊盤 Epoxy 銀漿 Mold Compound 環(huán)氧樹脂 Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) 【 Wafer】 晶圓 …… Raw Material in Assembly(封裝原材料 ) 【 Lead Frame】 引線框架 ?提供電路連接和 Die的固定作用； ?主要材料為銅，會在上面進行鍍銀、 NiPdAu等材料； ?L/F的制程有 Etch和 Stamp兩種； ?易氧化，存放于氮氣柜中，濕度小 于 40%RH。 目前市面上大部分 IC均采為 SMT式的 SMT IC Package （ IC的封裝形式） ? 按封裝外型可分為： SOT 、 QFN 、 SOIC、 TSSOP、 QFP、 BGA、 CSP等； ? 決定封裝形式的兩個關(guān)鍵因素 : ? 封裝效率。Introduction of IC Assembly Process IC封裝工藝簡介 IC Process Flow Customer 客 戶 IC Design IC設(shè)計 Wafer Fab 晶圓制造 Wafer Probe 晶圓測試 Assembly Test IC 封裝測試 SMT IC組裝 IC Package （ IC的封裝形式） Package封裝體： ?指芯片（ Die）和不同類型的框架（ L/F）和塑封料（ EMC）形成的不同外形的封裝體。 ?IC Package種類很多，可以按以下標準分類： ? 按封裝材料劃分為： 金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝 ? 按照和 PCB板連接方式分為：
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