數(shù)字電子技術(shù)ch8-展示頁(yè)
2025-01-07 15:59本頁(yè)面
【正文】 W0W1W256譯碼器0 0 1 11 0 1 00 1 1 1A0A1A710...08線(xiàn)線(xiàn) — 256 線(xiàn)線(xiàn)缺點(diǎn) : n 位地址輸入的譯碼器 ,需要 2n 條輸出線(xiàn)。2023/3/9 星期二910河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)25 (32) 根行選擇線(xiàn)10 根地址線(xiàn)— 2n (1024)個(gè)地址25 (32)根列選擇線(xiàn)1024 個(gè)字排列成— 32 ? 32 矩陣當(dāng) X0 = 1， Y0 = 1時(shí)，對(duì) 00 單元 讀 (寫(xiě) )當(dāng) X31 = 1， Y31 = 1時(shí)，對(duì) 3131 單元 讀 (寫(xiě) )[例 ] 1024 ? 1 存儲(chǔ)器矩陣2023/3/9 星期二1011河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)（ 3）輸入輸出控制電路在 CS=0時(shí)： 當(dāng) R/W=0時(shí) G1和 G2打開(kāi)， G3處 于高阻狀 態(tài) ，寫(xiě)入數(shù)據(jù)；當(dāng) R/W=1時(shí) G3打開(kāi)， G1和 G2處 于高阻狀 態(tài) ， 讀 出數(shù)據(jù)。I/O D DR/WCS2023/3/9 星期二1112河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)CSADD(地址 )I/O 輸 出數(shù)據(jù)讀 出 單 元的地址tRCtACStAA3. RAM的操作與定 時(shí) 讀操作過(guò)程及時(shí)序圖① 欲 讀 取 單 元的地址加到存 儲(chǔ) 器的地址 輸 入端；② 加入有效的片 選 信號(hào) CS；④ 讓 片 選 信號(hào) CS無(wú)效， I/O端呈高阻狀 態(tài) ，本次 讀 出 結(jié) 束。③ 將待寫(xiě)入的數(shù)據(jù) 加到 I/O端；2023/3/9 星期二1314河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù) RAM 容量的擴(kuò)展(一 ) 位擴(kuò)展 地址線(xiàn)、讀 /寫(xiě)控制線(xiàn)、片選線(xiàn) 并聯(lián)輸入 / 輸出 線(xiàn)分開(kāi)使用如：用 8 片 1024 ? 1 位 RAM 擴(kuò)展為 1024 ? 8 位 RAMI / O10241(0)A0A1 …A 9R/W CSI / O10241(1)A0A1…A 9 R/W CS…I / O10241(7)A0A1…A 9 R/W CS…A0A1..A9CSR / W00I0 I1 I7 D0?D71O0 O1 O72023/3/9 星期二1415河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù) (二 ) 字?jǐn)U展2023/3/9 星期二1516河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù) 只讀存儲(chǔ)器 （ ROM）分類(lèi)掩模 ROM可編程 ROM（ PROM — Programmable ROM）可擦除可編程 ROM（ EPROM — Erasable PROM）說(shuō)明 :掩模 ROMPROM生產(chǎn)過(guò)程中在掩模板控制下寫(xiě)入，內(nèi)容固定，不能更改內(nèi)容可由用戶(hù)編好后寫(xiě)入，一經(jīng)寫(xiě)入不能更改紫外光擦除（約二十分鐘）EPROM 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)可以更改，但改寫(xiě)麻煩，工作時(shí)只讀EEPROM 或 E2PROM 電擦除（幾十毫秒）Flash Memory (快速存儲(chǔ)器 )2023/3/9 星期二1617河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)1. 基本結(jié)構(gòu)一、 ROM 的結(jié)構(gòu)示意圖地址輸入數(shù)據(jù)輸出— n 位地址— b 位數(shù)據(jù)A0 A1 An1D0 D1 Db1D0 D1 Db1A0 A1 An12nb ROM……………………最 高 位最 低 位2023/3/9 星期二1718河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)2. 內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)輸出字線(xiàn)位線(xiàn)地址譯碼器ROM 存儲(chǔ)容量 = 字線(xiàn)數(shù) ? 位線(xiàn)數(shù) = 2n ? b（位）地址輸入0單元1單元i 單元2n1單元D0D1 Db1A0A1An1W0W1WiW2n12023/3/9 星期二1819河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)3. 邏輯結(jié)構(gòu)示意圖(1) 中大規(guī)模集成電路中門(mén)電路的簡(jiǎn)化畫(huà)法連上且為硬連接，不能通過(guò)編程改變編程連接，可以通過(guò)編程將其斷開(kāi)斷開(kāi)A B DCABDYABCY≥1與門(mén)或門(mén)?2023/3/9 星期二1920河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)A Y=AY=AA Z=AY=AAYA1A1Y A1 YZ緩沖器同相輸出 反相輸出 互補(bǔ)輸出2023/3/9 星期二2021河北工程大學(xué) 信電學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)(2) 邏輯結(jié)構(gòu)示意圖m0A0A1An1m1mim2n1譯碼器Z0 (D0)… …或門(mén)Z1 (D1)… …或門(mén)Zb1(Db1)… …或門(mén)……2n個(gè)與門(mén)構(gòu)成 n 位二進(jìn)制譯碼器 , 輸出 2n 個(gè)最小項(xiàng)。存儲(chǔ)容量 = 字?jǐn)?shù) ? 位數(shù) 字 — word 位 — bit1k ? 1 : 1024 個(gè)字 每個(gè)字 1 位 存儲(chǔ)容量 1 k1k ? 4 : 1024 個(gè)字 每個(gè)字 4 位 存儲(chǔ)容量 4 k256 ? 8 : 256 個(gè)字 每個(gè)字 8 位 存儲(chǔ)容量
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