【正文】 含氟廢水中含有 NaF、 NaNO NaNO NaCl 等。 b. 死層的存在大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復合，會導致少子壽命的降低，進而降低了Voc 和 Isc。 ① 濕法刻蝕 利用 HNO3和 HF 的混合液體對擴散后硅片下表面和邊緣進行腐蝕 ,去除邊緣的 N 型硅 ,使得硅片的上下表面相互絕緣。 同時，由于在擴散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下 POCl3與 O2形成的 P2O5，部分 P原子進入 Si取代部分晶格上的 Si原子形成 n型半導體，部分則留在了 SiO2中形成 PSG。 PN 結的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴散有磷的區(qū)域流到 PN 結的背面，而造成短路。 所用溶液為 HCl+HF，作用： ； 可去除硅片表面氧化層（ SiO2），形成疏水表面，便于吹干； 中的 Cl有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。 所用溶液為 KOH，作用： 圖表 2 前清洗工藝流程 ； 。 所用溶液為 HF+HNO3 ，作用： ； 。 （ 1）前清洗的目的和原理 ① 前清洗工序的目的 ： 去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷） 清除表面油污（利用 HF）和金屬雜質（利用 HCl） 形成起伏不平的絨面，增加對太陽光的吸收，增加 PN結面積，提高短路電流（ Isc），最終提高電池光電轉換效率 ② 前清洗工藝步驟： 制絨→堿洗 →酸洗→吹干 RENA Intex 前清洗設備的主體分為以下八個槽，此外還有滾輪、排風系統(tǒng)、自動及手動補液系統(tǒng)、循環(huán)系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)等。其中 NP 含氟廢水包括 NP 含氟濃水和 NP 含氟清洗水兩種；氟系廢水包括氟系濃水及氟系清洗水 2種；氨氮廢水另成一類。項目建設規(guī)模確定為年產(chǎn) 1125MW 太陽能電池組件，其中單晶硅太陽能電池組件 ，多晶硅太陽能電池組件 ，分兩期實施， 其中：一期建設規(guī)模 500MW，二期建設規(guī)模 625MW。海潤光伏旗下江陰海潤太陽能電力有限公司、奧特斯維能源（太倉）有限公司和合肥海潤光伏科技有限公司及控股子公司江陰鑫輝太陽能有限公司，專業(yè)從事太陽能電池和太陽能組件的生產(chǎn)，至此海潤光伏具備了從硅棒（硅錠）、硅片、太陽能電池、太陽能組件生產(chǎn)的較完整的光伏產(chǎn)業(yè)鏈。全球石化能源的使用將不會再超過 100年，這就使人類不得不尋找可再生能源。 無論從世界還是從中國來看，常規(guī)能源都是很有限的，中國的一次能源儲量遠低于世界的平均水平，大約只有世界總儲量的 10%。1 概述 公司簡介 工業(yè)革命以來，世界能源消耗劇增，煤炭、石油、天然氣等化石能源資源消耗迅速，生態(tài)環(huán)境不斷惡化，特別是溫室氣體排放導致日益嚴峻的全球氣候 變化，人類社會的可持續(xù)發(fā)展受到嚴重威脅。能源資源的有限性和開發(fā)利用帶來的環(huán)境問題，嚴重制約的經(jīng)濟和社會的可持續(xù)發(fā)展。 2020 年 3月，世界石油期貨價格已經(jīng)達到每桶 110 美元，幾乎是 3 年前的 2倍。 海潤光伏科技股份有限公司 是中國最早的光伏 企業(yè) 之一，也是發(fā)展 最快 的光伏企業(yè)。 江陰鑫輝太陽能有限公司擬建地點位于江陰市新橋鎮(zhèn)工業(yè)園區(qū)陶新路東、新楊路西、博園路北、蘇市村村道。 太陽能電池生產(chǎn)的基本工藝流程如圖 1 所示： 工程概況 前清洗（制絨） 擴散 后清洗（刻蝕 /去PSG） PEVCDSiNx 絲網(wǎng)印刷 /燒結 /測試 圖表 1 太陽能電池基本工藝流程 江陰鑫輝太陽能有限 公司 主 要 生產(chǎn)晶體硅太陽能電池、組件等產(chǎn)品 ， 在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生三類廢水，主要為 NP（氮磷） 含氟廢水、氟系廢水以及含氨氮廢水。 NP含氟濃廢水主要由 前清洗 、 后清洗過程 產(chǎn)生 的揮發(fā)性的酸霧由排氣系統(tǒng) 離心風機 抽出經(jīng)酸霧洗滌塔凈化 （ NaOH 和 Na2S 一定比例混合堿洗處理 ） 后排出 的廢水和和后清洗過程中的液氨清洗廢水 。 其流程如圖 2所示 Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。 Alkaline Rinse：堿洗槽 。 Acidic Rinse：酸洗槽 。 ③ 酸制絨工藝涉及的反應方程式 : HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H 2O SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] Si+2KOH+H2O →K 2SiO3 +2H2 NO2 + H2O = HNO3 + HNO2 Si + HNO2 = SiO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2 （ 2）后清洗目的和原理 擴散過程中，雖然采用背靠背擴散，硅片的邊緣將不可避免地擴散上磷。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。 后清洗的目的就是進行濕法刻蝕和去除 PSG。 邊緣刻蝕原理反應方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 + 8H2O ② 去除 PSG a. 磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導致電流的降低和功率的衰減。 c. 磷硅玻璃的存在使得 PECVD 后產(chǎn)生色差。 氟系廢水主要是清洗過程中產(chǎn)生的殘留液。 它是借助等離子體使含有薄膜組成原子的 氣態(tài)物質發(fā)生化學反應，而在基片上沉積薄膜的一種方法。收集的廢水通過碳濾，砂濾， RO 等工藝去除廢水中的硝酸根，磷酸根離子，然后產(chǎn)品水回用，而濃水通過蒸發(fā)器進行蒸發(fā)結晶，固化后外載處理。 設計依據(jù)、范圍及原則 設計依據(jù) (1)《中華人民共和國環(huán)境保護法》； (2)《中華人民共和國水污染防治法》； (3)《建設項目環(huán)境保護管理條例》國務院令第 253 號； (4) 江蘇省環(huán)保局《江蘇省環(huán)境工程設計管理規(guī)定和技術要求》； (5)《污水排入城市下水道水質標準》（ CJ30821999）； (6)《污水綜合排放標準》 (GB89781996)； (7)《城鎮(zhèn)污水處理廠污染物 排放標準》 (GB189182020)； (8)《城市污水處理廠污水污泥排放標準》 (CJ302593)； (9)《地表水環(huán)境質量標準》 GB38382020； (10)《惡臭污染物排放標準》 GB145541993； (11)《給水排水工程構筑物設計規(guī)范》（ GB500692020）； (12)《建筑給水排水設計規(guī)范》（ GBJ500152020）； (13)《室外排水設計規(guī)范》 GB50014－ 2020； (14)《城市生活垃圾及衛(wèi)生填埋技術規(guī)范》 (CJJ172020)； (15)《給水排水制圖標準》 (GB/T 501062020)； (16)《給水排水設計基本術語標準》 (GBJ125— 89)； (17)《室外排水設計規(guī)范》 (GB500142020)； (18)《總圖制圖標準》 (GB/T 501032020)； (19)《 城市污水處理工程項目建設標準》 (2020060