電子產(chǎn)品失效分析技術(shù)-展示頁(yè)
2024-08-30 22:49本頁(yè)面
【正文】 —一旦導(dǎo)通電源端產(chǎn)生很大電流，破壞性和非破壞性。 。 失效機(jī)理 ?過(guò)電壓場(chǎng)致失效 ——放電回路阻抗較高，元器件因接受高電荷而產(chǎn)生高電壓導(dǎo)致電場(chǎng)損傷，多發(fā)生于電容器件。 失效機(jī)理 4. 金屬腐蝕失效 ? 當(dāng)金屬與周圍介質(zhì)接觸時(shí)，由于發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)作用而引起金屬腐蝕。 ? 腐蝕產(chǎn)物形貌觀察和成分測(cè)定對(duì)失效分析很有幫助。 失效機(jī)理 6. 金鋁化合物失效 ? 金和鋁鍵合，在長(zhǎng)期儲(chǔ)存和使用后，金鋁之間生成 AuAl2， AuAl， Au2Al，Au5Al2， Au4Al等金屬間化合物（ IMC） ? 這些 IMC的物理性質(zhì)不同，電導(dǎo)率較低。 ? 鍵合點(diǎn)生成金鋁化合物后，鍵合強(qiáng)度降低、變脆開裂、接觸電阻增大，器件出現(xiàn)性能退化或引線從鍵合界面處脫落導(dǎo)致開路。 ? 當(dāng)柯氏效應(yīng)（空洞）增大到一定程度后，將使鍵合界面強(qiáng)度急劇下降，接觸電阻增大，最終導(dǎo)致開路失效。 ? 對(duì)鋁，金等金屬膜，電場(chǎng)力很小，金屬離子主要受電子風(fēng)的影響，使金屬離子朝正極移動(dòng)，在正極端形成金屬離子的堆積，形成小丘，而在負(fù)極端生產(chǎn)空洞，使金屬條斷開。 失效分析基本程序 失效分析基本程序 3. 失效分析程序 樣品基本信息調(diào)查 失效現(xiàn)場(chǎng)信息調(diào)查 外觀檢查 失效模式確認(rèn) 方案設(shè)計(jì) 非破壞性分析 破壞性分析 綜合分析 報(bào)告編寫 失效分析基本程序 非破壞性分析的基本路徑 ? 外觀檢查 ? 模式確認(rèn)（測(cè)試和試驗(yàn)，對(duì)比分析） ? 檢漏 ? 可動(dòng)微粒檢測(cè) ? X光照相 ? 聲學(xué)掃描 ? 模擬試驗(yàn) 失效分析基本程序 半破壞性分析的基本路徑 ? 可動(dòng)微粒收集 ? 內(nèi)部氣氛檢測(cè) ? 開封檢查 ? 不加電的內(nèi)部檢查（光學(xué)， SEM， 微區(qū)分析） ? 加電的內(nèi)部檢查（微探針，熱像，光發(fā)射，電壓襯度像，束感生電流像，電子束探針） ? 多余物，污染物成分分析。 失效分析技術(shù)與設(shè)備 失效分析技術(shù)與設(shè)備 技術(shù) 探測(cè)源 探測(cè)物理量 用途 電參數(shù)測(cè)試分析 電信號(hào) 確定失效模式和失效管腳定位 掃描聲學(xué)顯微分析（ SAM） 超聲波 超聲波 測(cè)量超聲波傳播，分析材料彈性特征，晶體缺陷和多層結(jié)構(gòu)分析，結(jié)構(gòu)截面的非破壞性分析 X射線透視儀 X射線 X射線強(qiáng)度 檢測(cè)電子元器件及多層 PCB板的內(nèi)部結(jié)構(gòu) X射線光電子能譜（ XPS） 特征 X射線 光電子 通過(guò)測(cè)量光電子能量確定殼層能級(jí)，利用化學(xué)位移測(cè)量化學(xué)鍵和化合物，元素確定，化學(xué)位移 顯微紅外吸收光譜（ FTIR） 紅外線 紅外吸收光譜 識(shí)別分子官能團(tuán)，有機(jī)物結(jié)構(gòu)分析 二次離子質(zhì)譜（ SIMS） 離子 二次離子 元素確定，表面元素分布 失效分析技術(shù)與設(shè)備 技術(shù) 探測(cè)源 探測(cè)物理量 用途 光學(xué)顯微鏡 可見光 反射光 表面形貌，尺寸測(cè)量，缺陷觀察 掃描電子顯微分析（
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