河北科技大學(xué)基礎(chǔ)課教學(xué)部-展示頁(yè)
2025-07-28 21:47本頁(yè)面
【正文】 t t u o 0 u i 0 D u i ＋ － u o ＋ － R L 【 例 1】 畫(huà)出二極管電路的輸出波形（設(shè) UD=0）。 半導(dǎo)體的參數(shù)是對(duì)其特性和極限應(yīng)用的定量描述， 是設(shè)計(jì)電路時(shí)選擇器件的主要依據(jù)。 半導(dǎo)體二極管 二極管的基本結(jié)構(gòu) 內(nèi)部結(jié)構(gòu) P N 陽(yáng)極 陰極 核心部分 圖形符號(hào) 分類(lèi) 硅管 按材料 鍺管 按 PN結(jié)的結(jié)構(gòu) 點(diǎn)接觸型 面接觸型 VD VS 伏安特性 正向特性 特點(diǎn)：非線性 反向特性 反向擊穿電壓UBR I U A B C O 死區(qū)電壓，硅管 ， 鍺管 導(dǎo)通管壓降，硅管 ~,鍺管 ~ 主要參數(shù) IFM URM 二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大平均電流。 U 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 外電場(chǎng)抵消內(nèi)電場(chǎng)的作用，使耗盡層變 窄，形成較大的擴(kuò)散電流， PN結(jié)導(dǎo)通 。 2. 內(nèi)電場(chǎng)阻礙多子擴(kuò)散，有利于少子漂移 。 PN結(jié) 內(nèi)電場(chǎng)（ N區(qū)指向 P區(qū)） N區(qū) P區(qū) 3. 當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，形成PN結(jié)。 （ a. 電子電流、 ） b a 一、 PN結(jié)的形成 P區(qū) N區(qū) PN結(jié) 在交界面，由于兩種載流子的濃度差，出 現(xiàn)多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 3. 當(dāng)溫度升高時(shí)，少子的數(shù)量 （ a. 減少、 b. 不變、 c. 增多）。 a b c 1. 在雜質(zhì)半導(dǎo)體中多子的數(shù)量與 （ a. 摻雜濃度、 ）有關(guān)。 空穴 多子； 電子 少子。 電子 多子； 空穴 少子。 。 硅或鍺的晶體結(jié)構(gòu) 共價(jià)鍵 價(jià)電子共有化，形成共價(jià)鍵的晶體結(jié)構(gòu) 內(nèi)部結(jié)構(gòu) 電子空穴對(duì)的形成 半導(dǎo)體中有兩種載流子 :自由電子和空穴 自由電子 空穴 導(dǎo)電機(jī)理 在外電場(chǎng)作用下，電子的定向移動(dòng)形成電流 + + + + + + + + 外電場(chǎng) 在外電場(chǎng)作用下，空穴的定向移動(dòng)形成電流 + + + + + + + + 外電場(chǎng) 電子電流和空穴電流相等，并且它們之和為總的導(dǎo)電 電流。 光敏性： 當(dāng)受到光照時(shí)，導(dǎo)電能力明顯變化 (可做 成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極 管、光敏三極
醫(yī)療健康相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1