我國led產業(yè)發(fā)展與前景-展示頁
2024-07-29 15:32本頁面
【正文】 率為80%，功率LED芯片在350mA下發(fā)射功率為100mW～150mW，最好可達150mW。LED照明 預計未來幾年國內InGaN芯片仍將保持30%左右的年復合增長率，至2010年國內將超過日本成為全球第二大GaN芯片生產基地，產能高達1650KK/月，實際上由于LED MOCVD設備投入后產能提高特別快，這些估計有些保守。LED照明 (2005年統(tǒng)計國內LED產業(yè)總產值133億元，其中封裝封裝產品的銷售額約100億)?！ ∧壳?，我國具有一定封裝規(guī)模的企業(yè)約600家，各種大大小小封裝企業(yè)已超過1000家，目前國內LED器件封裝能力約600億只/年，2006年國內高亮度LED封裝產品的銷售額約146億元，比2005年的100億元增長46%。中國照明網技術論文從國內芯片產值上計算，同期國內InGaN芯片需求總產值25億元；國內非InGaN芯片(普亮和四元)總產值6億元，同期國內非InGaN芯片需求總產值17億元，合計國內芯片市場總需求42億元?！ ?006年國內LED芯片市場分布如圖5所示。中國照明網技術論文 截至2006年12月，我國有十余家外延芯片廠商已經裝備MOCVD，投入生產的總計數量為40臺。 中國國內LED產業(yè)發(fā)展現狀中國照明網技術論文LED照明 國內LED外延、芯片的主要企業(yè)有：廈門三安、大連路美、杭州士藍明芯、上海藍光、深圳方大、上海藍寶、山東華光、江西聯創(chuàng)、深圳世紀晶源、廣州普光、揚州華夏集成等。中國照明網技術論文LED照明 雖然中國在LED外延片、芯片的生產技術上距離國際先進水平還有一定的差距，但是國內龐大的應用需求，給LED下游廠商帶來巨大的發(fā)展機會，國內生產的如顯示屏、景觀照明燈具等LED應用產品已經出口到美國、歐盟等國家和地區(qū)。 在LED上游外延片、芯片生產上，美國、日本、歐盟仍擁有巨大的技術優(yōu)勢，而中國臺灣地區(qū)則已經成為全球重要的LED生產基地。中國照明網技術論文同時，根據我國自身半導體照明的發(fā)展現狀，國家制定了符合自身發(fā)展的半導體照明產業(yè)發(fā)展計劃和2006年技術發(fā)展路線圖。LED照明 長三角、珠三角、閩三角以及北方地區(qū)則成為中國LED產業(yè)發(fā)展的聚集地。特別是2003年中國半導體照明工作小組的成立標志著政府對于LED在照明領域的發(fā)展寄予厚望，LED作為光源進入通用照明市場成為日后產業(yè)發(fā)展的核心。中國LED產業(yè)在經歷了買器件、買芯片、買外延片之路后，目前已經實現了自主生產外延片和芯片。我國LED產業(yè)發(fā)展與前景中國LED產業(yè)概況中國照明網技術論文LED照明 經過30多年的發(fā)展，中國LED產業(yè)已初步形成了較為完整的產業(yè)鏈。現階段，從事該產業(yè)的人數達5萬多人，研究機構20多家，企業(yè)4000多家，其中上游企業(yè)50余家，封裝企業(yè)1000余家，下游應用企業(yè)3000余家。在“國家半導體照明工程”的推動下，形成了上海、大連、南昌、廈門和深圳等國家半導體照明工程產業(yè)化基地。中國照明網技術論文 “十五”期間國家發(fā)展LED產業(yè)的主要任務是通過建設半導體照明特色產業(yè)基地和示范工程，建立半導體照明技術標準體系和知識產權聯盟，盡快形成我國半導體照明新興產業(yè)，國家科技部已把“國家半導體照明工程”列入“十一五”科技發(fā)展規(guī)劃，作為一項重點工作來抓。在中國半導體照明產業(yè)發(fā)展計劃中，規(guī)劃到2008年達到單燈光通量300lm，可滲透到白熾燈照明領域。LED照明 目前全球形成了以美國、亞洲、歐洲為主導的三足鼎立的產業(yè)格局，并呈現出以日、美、德為產業(yè)龍頭，中國臺灣、韓國緊隨其后，中國大陸、馬來西亞等國家和地區(qū)積極跟進的梯隊分布。中國照明網技術論文 目前國內外延、芯片主要研究機構有北大、清華、南昌大學、中科院半導體所、物理所、中電13所、華南師大、北京工大、深圳大學、山東大學、南京大學等，在技術上主要解決硅襯底上生長GaN外延層、GaN基藍光波長漂移、提高內量子效率和出光效率、提高抗光衰能力和功率芯片的散熱水平等等。LED照明 中國照明網技術論文 國內主要封裝企業(yè)有佛山國星光電、廈門華聯電子、寧波愛米達、江西聯創(chuàng)光電( ,%)等；下游顯示屏行業(yè)主要有上海三思、西安青松、北京利亞德。LED照明 按照各廠商的擴展計劃，2007年預計有15臺MOCVD陸續(xù)安裝投入使用，使國內的GaN MOCVD設備增加到55臺。LED照明 其中InGaN芯片市值約占據43%，四元InGaAlP芯片市值約占據整個國內LED芯片的15%；其他種類LED芯片的市值約占據42%。InGaN和高亮四元占國內芯片總量的58%，說明國內外延及芯片制造及應用市場發(fā)展到一定水平。LED照明 從分布地區(qū)來看，主要集中在珠江三角洲、長江三角洲、江西、福建、環(huán)渤海等地區(qū)。中國照明網技術論文 在產能方面，隨著國內相關企業(yè)生產規(guī)模的擴大及新的芯片公司的陸續(xù)進入，在國內需求市場的推動下，國內InGaN芯片產能已經由2003年的65KK/月倍增至2005年的400KK/月，2006年進一步提升至600KK/月，國內自產供應率逐年提升。中國照明網技術論文 在產業(yè)技術發(fā)展方面，國內目前已研發(fā)1W的功率LED芯片可產業(yè)化，其發(fā)光效率為30lm～40lm/W，單個器件發(fā)射功率為150mW，最高可達189mW。在500mA、1000小時通電試驗下，藍光的光衰小于5%。該專利打破了目前日本日亞公司壟斷藍寶石襯底和美國Cree公司壟斷碳化硅襯底半導體照明技術的局面，形成藍寶石、碳化硅、硅襯底制成藍光的半導體照明技術方案三足鼎立的局面，在產業(yè)化過程中不會受日亞和Cree藍光專利的制約，且目前最成熟的白光合成方案是藍光+YAG磷光粉的方式，即未來進入白光照明領域必須先掌握藍光芯片技術，南昌大學的硅襯底藍光專利具有極為廣闊的市場前景。該項目技術來源于南昌大學發(fā)光材料與器件教育部工程研究中心，并得到了金沙
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